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公開番号2024075071
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-06-03
出願番号2022186231
出願日2022-11-22
発明の名称化学機械研磨用組成物の製造方法
出願人JSR株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】シリコン窒化膜を含有する半導体基板を高速で研磨しながら、研磨後の被研磨面における表面欠陥の発生を低減できる化学機械研磨用組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用組成物の製造方法は、(A)砥粒と、(B)液状媒体とを含有し、pHが1以上5以下である化学機械研磨用組成物の製造方法であって、前記(A)成分と前記(B)成分を含有する組成物へ酸を添加して、前記(A)成分のゼータ電位が0mV以上である分散液を作成する第一工程と;前記第一工程で得られた前記分散液へリン酸エステルを添加して、前記(A)成分のゼータ電位が0mV未満である化学機械研磨用組成物を作成する第二工程と;を有する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）砥粒と、（Ｂ）液状媒体とを含有し、ｐＨが１以上５以下である化学機械研磨用組成物の製造方法であって、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分を含有する組成物へ酸を添加して、前記（Ａ）成分のゼータ電位が０ｍＶ以上である分散液を作成する第一工程と；
前記第一工程で得られた前記分散液へリン酸エステルを添加して、前記（Ａ）成分のゼータ電位が０ｍＶ未満である化学機械研磨用組成物を作成する第二工程と；
を有する、化学機械研磨用組成物の製造方法。
続きを表示（約 390 文字）【請求項２】
前記第一工程において、前記分散液のｐＨが４以下である、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物の製造方法。
【請求項３】
前記第一工程において、１０℃～６０℃で攪拌する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物の製造方法。
【請求項４】
前記第２工程において、１０℃～４０℃で攪拌する、請求項１に記載の化学機械研磨用組成物の製造方法。
【請求項５】
前記リン酸エステルが、下記一般式（５）で表される化合物である、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の化学機械研磨用組成物の製造方法。
TIFF
2024075071000006.tif
28
147
（式（５）中、Ｒ
４
は炭素数２以上７未満の炭化水素基を表し、ｎは０以上２未満であり、ｍは１又は２である。）

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨用組成物の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing、以下「ＣＭＰ」ともいう。）法は、半導体製造工程、特に、多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線（ダマシン配線）形成において活用されている。このような半導体製造工程では、シリコン酸化膜や緻密で誘電率の大きいシリコン窒化膜などが絶縁膜の材料として使用され、これらの材料を高速に研磨するだけでなく、高平坦性と低欠陥のバランスの取れた研磨特性が要求される。
【０００３】
このようなバランスの取れた研磨特性を実現すべく、例えばシリコン窒化膜を研磨するための研磨用組成物（スラリー）が検討されている（例えば、特許文献１～２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－２３５６５２号公報
国際公開第２０１７－０５７１５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の半導体基板の更なる微細化に伴い、シリコン窒化膜を含有する半導体基板を高速で研磨しながら、研磨後の被研磨面における表面欠陥の発生を低減させる必要があり、これらの２つの特性を両立できる化学機械研磨用組成物が要求されている。
【０００６】
本発明に係る幾つかの態様は、上記課題の少なくとも一部を解決することで、シリコン窒化膜を含有する半導体基板を高速で研磨しながら、研磨後の被研磨面における表面欠陥の発生を低減できる化学機械研磨用組成物の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下のいずれかの態様として実現することができる。
【０００８】
本発明に係る化学機械研磨用組成物の製造方法の一態様は、
（Ａ）砥粒と、（Ｂ）液状媒体とを含有し、ｐＨが１以上５以下である化学機械研磨用組成物の製造方法であって、
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分を含有する組成物へ酸を添加して、前記（Ａ）成分のゼータ電位が０ｍＶ以上である分散液を作成する第一工程と；
前記第一工程で得られた前記分散液へリン酸エステルを添加して、前記（Ａ）成分のゼータ電位が０ｍＶ未満である化学機械研磨用組成物を作成する第二工程と；
を有する。
【０００９】
前記化学機械研磨用組成物の製造方法の一態様において、
前記第一工程において、前記分散液のｐＨが４以下であってもよい。
【００１０】
前記化学機械研磨用組成物の製造方法の一態様において、
前記第一工程において、１０℃～６０℃で攪拌してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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