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公開番号2024129738
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-27
出願番号2023039133
出願日2023-03-13
発明の名称成膜方法
出願人JSR株式会社,株式会社FLOSFIA
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類C23C 16/18 20060101AFI20240919BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】量産性に優れた成膜方法を提供する。
【解決手段】酸素を含む雰囲気下、昇温速度20℃/minにおける熱重量-示差熱分析において、480℃から520℃の範囲に発熱ピークを有する金属錯体を用いる成膜方法。
【選択図】なし

特許請求の範囲【請求項１】
酸素を含む雰囲気下、昇温速度２０℃／ｍｉｎにおける熱重量－示差熱分析において、４８０℃から５２０℃の範囲に発熱ピークを有する金属錯体を用いる成膜方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記金属錯体が、酸素を含む雰囲気下、昇温速度２０℃／ｍｉｎにおける熱重量－示差熱分析において、２３℃から４００℃までの温度範囲において１０％以上８０％以下の質量減少があり、かつ４００℃から６００℃の温度範囲において発熱を伴う３％以上５０％以下の質量減少がある請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記金属錯体が、２以上の異なる配位子を有する金属錯体及び同一の配位子と置換基とを有する金属錯体の少なくとも一方の金属錯体である請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記２以上の異なる配位子が、アセチルアセトナート由来の配位子、複素環構造を有する配位子及び下記式（１）で示される配位子からなる群から選ばれる少なくとも２種の配位子であり、前記同一の配位子と置換基とを有する金属錯体が下記式（２）で示される金属錯体である請求項３に記載の成膜方法。
TIFF
2024129738000009.tif
47
165
（式（１）中、点線は配位結合を示し、＊１は金属との配位結合位を示す。＊２は金属との結合位を示す。Ｒ
１
及びＲ
２
は、それぞれ独立して、炭素数１から６のアルキル基を示す。
式（２）中、Ｒ
３
及びＲ
４
は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１から６のアルキル基、フェニル基、又はトリル基を示す。Ｒ
５
はハロゲン原子、ホルミル基、アセトキシ基、スルホ基、メシル基、ニトロ基、ニトロソ基、ホスホリル基、又は炭素数１から６のアルキル基を示す。Ｘは中心金属を示す。）
【請求項５】
前記２以上の異なる配位子を有する金属錯体が配位している中心金属、及び式（２）で示される金属錯体のＸで示される中心金属が、周期律表のｄブロック金属又は周期律表第１３族金属を含有する請求項４に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記中心金属が、周期律表第９族金属又は第１３族金属を含有する請求項４に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記中心金属がイリジウムである請求項４に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記イリジウムを中心金属とする金属錯体が下記式（３）又は下記式（４）で示される金属錯体である請求項７に記載の成膜方法。
TIFF
2024129738000010.tif
48
165
（式（４）中、Ｒ
５
はハロゲン原子、ホルミル基、アセトキシ基、スルホ基、メシル基、ニトロ基、ニトロソ基、ホスホリル基、又は炭素数１から６のアルキル基を示す。）
【請求項９】
前記金属錯体を原料として金属酸化物膜を形成する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記金属酸化物膜が結晶性酸化物半導体を含む請求項９に記載の成膜方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
絶縁体の金属酸化物、導電体の金属酸化物、及び半導体の金属酸化物（酸化物半導体ともいう）の薄膜が、半導体装置をはじめとする様々な製品に用いられている。特に高耐圧、低損失及び高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、バンドギャップの大きな酸化ガリウム（Ｇａ
２
Ｏ
３
）を用いた半導体装置が注目されており、インバータなどの電力用半導体装置への適用が期待されている。しかも、広いバンドギャップからＬＥＤやセンサー等の受発光装置としての応用も期待されている。
【０００３】
近年においては、酸化ガリウム系のｐ型半導体が検討されており、例えば、特許文献１には、β－Ｇａ
２
Ｏ
３
系結晶を、ＭｇＯ（ｐ型ドーパント源）を用いてＦＺ法により形成すると、ｐ型導電性を示す基板が得られることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－３４０３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、量産性に優れた成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の一態様においては、成膜方法は、酸素を含む雰囲気下、昇温速度２０℃／ｍｉｎにおける熱重量－示差熱分析において、４８０℃から５２０℃の範囲に発熱ピークを有する金属錯体を用いる。
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の別の一態様においては、成膜方法は、周期律表第９族の金属を含む金属錯体及び水を含む原料溶液から前記金属を含む膜を成膜する方法であって、前記金属錯体の水への溶解度が０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の成膜方法は、量産性に優れる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施例において用いられる成膜装置（ミストＣＶＤ装置）の概略構成図である。
図２は、実施例１で用いたイリジウム錯体のＴＧ－ＤＴＡチャートである。
図３は、比較例１で用いたイリジウム錯体のＴＧ－ＤＴＡチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の成膜方法は、金属膜を基体上に成膜する方法であって、特に金属酸化物膜を形成する方法である。さらに詳しくは、金属酸化物膜の形成に、金属錯体又は金属錯体水溶液を用いることを特徴とする。より具体的には例えば、金属錯体を溶解させた溶液を霧化法（ミストＣＶＤ法）及び塗布法のそれぞれの成膜方法を用いて、金属酸化物膜を形成する方法である。本発明の成膜方法は量産性に優れる。本明細書において、「量産性に優れる」とは、所望の厚みの膜を形成するために要する時間が短いことを意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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