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公開番号2024061130
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-07
出願番号2022168863
出願日2022-10-21
発明の名称配線基板及びその製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/34 20060101AFI20240425BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】半田バンプのリフロー時におけるウィッキングを抑える技術を提供する。
【解決手段】本開示の配線基板10の製造方法は、配線基板10を覆うマスク20の複数の貫通孔21に半田めっき16Aが充填されて配線基板10上の複数の半田バンプ16が形成されてからマスク20が取り除かれる製造方法であり、マスク20が取り除かれる前に、複数の半田バンプ16の頂部が平面加工される。
【選択図】図7
特許請求の範囲【請求項１】
配線基板を覆うマスクの複数の貫通孔に半田が充填されて前記配線基板上の複数の半田バンプが形成されてから前記マスクが取り除かれる配線基板の製造方法において、
前記マスクが取り除かれる前に、前記複数の半田バンプの頂部が平面加工される平面加工工程を有する。
続きを表示（約 670 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記平面加工工程で、前記複数の半田バンプの頂部は、前記マスクの表面と一緒に研削又は切削される。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記複数の貫通孔に充填される半田がリフローされて固化し、上面が表面張力により膨出した形状に前記複数の半田バンプが形成されるリフロー工程を有し、
前記平面加工工程では、各前記半田バンプの膨出する上面のうち外縁部より内側が平面加工される。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
配線基板の最外層の導電層の上にソルダーレジスト層が積層されてからその上に追加樹脂層が積層され、それらソルダーレジスト層と追加樹脂層とに合わせて前記複数の貫通孔が形成されて複数のパッドが形成されると共に、前記追加樹脂層が前記複数のパッドに対応する前記複数の貫通孔を有する前記マスクになる穿孔工程を有する。
【請求項５】
複数の半田バンプを備える配線基板であって、
前記複数の半田バンプのうち配線基板の外面から突出する半田バンプ本体部は、円柱状をなし、
先端面が平坦な加工面をなし、
先端部の外周面が、先方に向かうに従って縮径する傾斜面になっている。
【請求項６】
請求項５に記載の配線基板であって、
前記半田バンプ本体部の外周面のうち先端部の下方には、前記傾斜面と連続する円筒面が備えられている。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、複数の半田バンプを有する配線基板及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、この種の配線基板の製造方法として、フラッタニング処理にて複数の半田バンプが加圧されて頂部を平面加工される製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－２２３０６５号公報（段落［０００９］，図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の製造方法で製造される配線基板の複数の半田バンプは、リフローされる際にウィッキングし易いという問題がある。これに対し、ウィッキングを抑える技術の開発が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するためになされた配線基板の製造方法は、配線基板を覆うマスクの複数の貫通孔に半田が充填されて前記配線基板上の複数の半田バンプが形成されてから前記マスクが取り除かれる配線基板の製造方法において、前記マスクが取り除かれる前に、前記複数の半田バンプの頂部が平面加工される平面加工工程を有する。
【発明の効果】
【０００６】
請求項１の配線基板の製造方法では、複数の半田バンプは、マスクの複数の貫通孔に収まり、側方への変形を規制された状態で頂部を平面加工される。これにより、従来の製造方法で生じる半田バンプの側方への膨みが抑えられ、駄肉が少ない半田バンプの形成が可能になる。そして、半田バンプの駄肉が少なくなることで、従来よりウィッキングが抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示の第１実施形態に係る配線基板の拡大断面図
半田バンプの拡大断面図
半田バンプの拡大断面図
（Ａ）ソルダーレジスト積層工程の配線基板の断面図、（Ｂ）開口形成工程の配線基板の断面図
（Ａ）マスク層積層工程の配線基板の断面図、（Ｂ）穿孔工程の配線基板の断面図
（Ａ）クリーム半田充填工程の配線基板の断面図、（Ｂ）リフロー工程の配線基板の断面図
（Ａ）平面加工工程の配線基板の断面図、（Ｂ）マスク層除去工程の配線基板の断面図
ＣＭＰ研磨機及び平面加工工程の配線基板の概念図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図１～図８を参照して、本開示の一実施形態について説明する。図１には、本実施形態の配線基板１０における実装面近傍の一部のみが拡大して示されている。この配線基板１０は、例えば導電層１２と絶縁層１３とが交互に積層される多層配線基板（図１には１つの導電層１２と１つの絶縁層１３のみが示されている）であって、実装面をソルダーレジスト層１１で覆われている。また、ソルダーレジスト層１１には、複数の開口部１５が形成され、導電層１２のうち複数の開口部１５内に位置する部位が複数のパッド１４になっている。そして、一部複数のパッド１４上に半田バンプ１６が形成されている（図１には、半田バンプ１６を備えていないパッド１４は省略されている）。
【０００９】
なお、本実施形態の配線基板１０は、半田バンプ１６を有しないパッド１４を備えているが、そのようなパッド１４を備えていなくもよい。
【００１０】
図２（Ａ）には、本実施形態の配線基板１０が有する複数の半田バンプ１６の形状の代表例が示されている。半田バンプ１６は、円柱体の先端部が僅かに先細りになった形状をなしている。具体的には、半田バンプ１６は、ソルダーレジスト層１１から突出している半田バンプ本体部１６Ｈと、開口部１５内に位置している半田バンプ基礎部１６Ｂとからなり、半田バンプ本体部１６Ｈの高さは、半田バンプ基礎部１６Ｂの高さの、例えば、１．５～３倍程度になっている。
（【００１１】以降は省略されています）

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