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公開番号2024055324
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-18
出願番号2022162151
出願日2022-10-07
発明の名称配線基板の製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/34 20060101AFI20240411BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】C4エリア内の複数の半田バンプの頂部の高さのばらつきが、従来より抑えられる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本開示の配線基板の製造方法は、C4方式でチップ部品100が実装されるC4エリア30を表面に備える配線基板10が、台座50の平坦な載置面51に載置され、押圧部材40によりC4エリア30の全域のC4バンプ31群が押圧されてフラッタニングされる製造方法であって、台座50の載置面51には、C4エリア30の真下領域52に複数の凹部53が形成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チップ部品が実装されるエリアを表面に備える配線基板が、台座の平坦な載置面に載置され、押圧部材により前記エリアの全域の半田バンプ群が押圧されてフラッタニングされる配線基板の製造方法であって、
前記台座の前記載置面には、前記エリアの真下領域に複数の凹部が形成されている。
続きを表示（約 700 文字）【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記押圧部材の押圧面は、前記載置面と平行になっている。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板は、複数の導電層と複数の絶縁層とが交互に積層されている多層構造をなし、
前記複数の導電層に形成される配線の重なり量の相違により生じる前記エリア内の前記配線基板の厚さの相違に応じて、前記エリアのうち前記配線基板が厚い部分の下方に前記複数の凹部が偏在している。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記配線基板には、前記半田バンプ群に対応する複数の開口を有するソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層に覆われ、前記複数の開口内に対応する基板側パッドを有する複数の配線と、が備えられ、
単位面積当りの前記複数の配線の数の相違によって生じる前記ソルダーレジスト層の厚さの相違に応じて、前記エリアのうち前記ソルダーレジスト層が厚い部分の下方に前記複数の凹部が偏在している。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の配線基板の製造方法であって、
前記エリアの外縁部の下方に前記複数の凹部が偏在している。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記複数の凹部は、四角形をなしている。
【請求項７】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
１つの前記凹部の開口面の上方に、複数の半田バンプが配置されている。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＣｏｌｌａｐｓｅＣｈｉｐＣｏｎｎｅｃｔｉｏｎ（以下「Ｃ４」と略す）の工法において、チップ部品が実装されるＣ４エリアの複数の半田バンプの頂部を、Ｃ４エリア全体で平坦にするために、加圧装置にてＣ４エリア全体の複数の半田バンプの頂部が押し潰されて平坦化される技術（一般に「フラッタニング」と呼ばれる）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００２－２２３０６５号公報（段落［０００９］、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の配線基板の製造方法では、フラッタニング後のＣ４エリア内の複数の半田バンプの頂部の高さが大きくばらつくことがあり、そのばらつきを抑える技術の開発が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するためになされた請求項１の発明は、チップ部品が実装されるエリアを表面に備える配線基板が、台座の平坦な載置面に載置され、押圧部材により前記エリアの全域の半田バンプ群が押圧されてフラッタニングされる配線基板の製造方法であって、前記台座の前記載置面には、前記エリアの真下領域に複数の凹部が形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
請求項１の配線基板の製造方法によれば、Ｃ４エリア内の複数の半田バンプの頂部の高さのばらつきが、従来より抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示に係る配線基板及び台座の斜視図
配線基板及び加圧装置の斜視図
チップ部品の斜視図
配線基板の断面図
フラッタニング前の配線基板の断面図
フラッタニングされている配線基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図１～図６を参照して、本開示の一実施形態について説明する。図１に全体を示された本開示の配線基板１０は、図４に示すように複数の導電層２１と複数の絶縁層２２が交互に積層される多層構造をなし、例えば、表裏の一方の面であるＦ面がソルダーレジスト層２３で覆われている。そして、配線基板１０は、Ｆ面が電気部品の実装面１２になっていて、それとは反対側のＢ面は、電気部品が実装されない非実装面になっている。また、図１に示すように、配線基板１０全体は、例えば、四角形になっていて、その３つの隅部には位置決孔１１が形成されている。
【０００９】
配線基板１０の実装面１２には、図３に示されたチップ部品１００がＣ４方式で実装されるＣ４エリア３０が設けられている。そのチップ部品１００は、例えば、四角形状の平板状をなし、その片面である接続面１０２の略全体に、複数のチップ側パッド１０３が分散配置されている。また、複数のチップ側パッド１０３は、接続面１０２の外縁部分１０４に比べてその内側の内側部分１０５の方が密になっている。
【００１０】
なお、チップ部品１００は、例えば、ベアチップであるが、Ｃ４方式で配線基板１０に実装可能な部品であれば、どのようなものでもよく、例えば、ベアチップとインターポーザーとがパッケージされたパッケージ部品であってもよいし、パッケージ・オン・パッケージ構造の部品であってもよい。また、チップ部品１００の接続面１０２におけるチップ側パッド１０３の疎密は上記構成に限定されるものではなく、チップ側パッド１０３が接続面１０２の内側部分１０５よりも外縁部分１０４で密になっていてもよいし、チップ側パッド１０３が接続面１０２全体で偏りなく均一に配置されていてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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