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公開番号2024047995
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-08
出願番号2022153807
出願日2022-09-27
発明の名称半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240401BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】方法は、半導体基板の上方に第1金属層22を設けS100、第1金属層22の上方をジンケート液でジンケート処理しS102、第1金属層22の上方にニッケルめっき層24を形成し104、ニッケルめっき層24の上方に金めっき層26を形成するS106。ジンケート処理S102において、ジンケート処理するための浴槽に供給するジンケート液の流量は、16L/min以上、20L/min以下である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板の上方に設けられた第１金属層の上方をジンケート液でジンケート処理する段階と、
前記第１金属層の上方にニッケルめっき層を形成する段階と、
前記ニッケルめっき層の上方に金めっき層を形成する段階と、
を備え、
ジンケート処理する前記段階において、前記ジンケート処理するための浴槽に供給する前記ジンケート液の流量は、１６Ｌ／ｍｉｎ以上、２０Ｌ／ｍｉｎ以下である、
半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 780 文字）【請求項２】
前記ニッケルめっき層を形成する前記段階において、前記半導体基板をニッケルめっき処理するための浴槽に供給するニッケルめっき液の流量は、１６Ｌ／ｍｉｎ以上、２０Ｌ／ｍｉｎ以上である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ニッケルめっき液中のニッケル濃度は、４．５ｇ／Ｌ以上、４．７ｇ／Ｌ以下である、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ジンケート液は、水酸化ナトリウム、オキシカルボン酸塩、硫酸ナトリウム、酸化亜鉛、および、鉄を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ジンケート液中の亜鉛濃度は、２．０ｇ／Ｌ以上、３．０ｇ／Ｌ以下である、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ジンケート液中の鉄濃度は、０．２５ｇ／Ｌ以上、０．３５ｇ／Ｌ以下である、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金めっき層の上方にはんだを塗布した場合の前記はんだの濡れ性は、８０％以上、９０％以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記はんだは、錫、銀、銅、ニッケル、ゲルマニウムを含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ニッケルめっき層の成膜速度は、０．１μｍ／ｍｉｎ以上、０．２μｍ／ｍｉｎ以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記金めっき層の膜厚は、０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下である、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「金属めっきの表面を、ネオペンチル脂肪酸エステル、二塩基酸、二塩基酸のアミノ塩のうち少なくとも一種類を、アルコール系、塩素系、フッ素系のうち少なくとも一種類の溶剤に溶解して調製した封孔処理剤で処理する」ことが記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２００１－２３７２６２号公報
［特許文献２］国際公開第２０２１／０２００６４号
［特許文献３］特開２００８－２４８３７１号公報
［特許文献４］国際公開第２０１９／１６３４８４号
［特許文献５］特開２０２０－１２０１３３号公報
【発明の概要】
【０００３】
本発明の態様は、半導体基板の上方に設けられた第１金属層の上方をジンケート液でジンケート処理する段階と、前記第１金属層の上方にニッケルめっき層を形成する段階と、前記ニッケルめっき層の上方に金めっき層を形成する段階と、を備え、ジンケート処理する前記段階において、前記ジンケート処理するための浴槽に供給する前記ジンケート液の流量は、１６Ｌ／ｍｉｎ以上、２０Ｌ／ｍｉｎ以上である、半導体装置の製造方法を提供する。
【０００４】
前記半導体装置の製造方法において、前記ニッケルめっき層を形成する前記段階において、前記半導体基板をニッケルめっき処理するための浴槽に供給するニッケルめっき液の流量は、１６Ｌ／ｍｉｎ以上、２０Ｌ／ｍｉｎ以上であってよい。
【０００５】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記ニッケルめっき液中のニッケル濃度は、４．５ｇ／Ｌ以上、４．７ｇ／Ｌ以下であってよい。
【０００６】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記ジンケート液は、水酸化ナトリウム、オキシカルボン酸塩、硫酸ナトリウム、酸化亜鉛、および、鉄を含んでよい。
【０００７】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記ジンケート液中の亜鉛濃度は、２．０ｇ／Ｌ以上、３．０ｇ／Ｌ以下であってよい。
【０００８】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記ジンケート液中の鉄濃度は、０．２５ｇ／Ｌ以上、０．３５ｇ／Ｌ以下であってよい。
【０００９】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記金めっき層の上方にはんだを塗布した場合の前記はんだの濡れ性は、８０％以上、９０％以下であってよい。
【００１０】
上記いずれかの半導体装置の製造方法において、前記はんだは、錫、銀、銅、ニッケル、ゲルマニウムを含んでよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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