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公開番号2024044005
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-02
出願番号2022149297
出願日2022-09-20
発明の名称磁気メモリ
出願人キオクシア株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H10B 61/00 20230101AFI20240326BHJP()
要約【課題】磁気メモリの信頼性を向上する。
【解決手段】実施形態の磁気メモリは、第1の方向において隣り合う第1及び第2の部分を含む磁性体を含み、第1の部分は、磁性体の第1の方向に対して垂直な第2の方向における寸法が第1の部分内で極大となる磁性体の第1の位置で第2の方向における第1の寸法を有し、第2の部分は、磁性体の第2の方向における寸法が第2の部分内で極小となる磁性体の第2の位置で第2の方向における第1の寸法より小さい第2の寸法を有し、第1の部分は、第1の位置と第2の位置との間の第3の位置を介して、第2の部分と連続し、第2の方向から見て磁性体の外周面に対応する曲線が、第1の位置と第3の位置との間を延在し、前記曲線は、前記第1の位置と前記第2の位置とを接続する直線より磁性体の中心側を通過する。
【選択図】図12
特許請求の範囲【請求項１】
第１の部分と、第１の方向において前記第１の部分と隣り合う第２の部分と、を含む管状の磁性体と、
前記磁性体と離間して設けられた書き込み配線と、
前記磁性体に接続された読み出し素子と、
を具備し、
前記第１の部分は、前記磁性体の前記第１の方向に対して垂直な第２の方向における寸法が前記第１の部分内で極大となる前記磁性体の第１の位置において、前記第２の方向における第１の寸法を有し、
前記第２の部分は、前記磁性体の前記第２の方向における寸法が前記第２の部分内で極小となる前記磁性体の第２の位置において、前記第２の方向における前記第１の寸法より小さい第２の寸法を有し、
前記第１の部分は、前記第１の位置と前記第２の位置との間の第３の位置を介して、前記第２の部分と連続し、
前記第２の方向から見て、前記磁性体の外周面に対応する曲線が、前記第１の位置と前記第３の位置との間を延在し、
前記曲線は、前記第１の位置と前記第２の位置とを接続する直線より前記磁性体の中心側を通過する、
磁気メモリ。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記磁性体は、磁壁を含み、
前記第１の位置と前記第３の位置との間の第４の位置における前記磁壁の体積変化率は、前記第３の位置における前記磁壁の体積変化率より大きい、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記第２の方向から見て、前記第２の部分の外周面に対応する輪郭は、前記第２の位置と前記第３の位置との間において、直線を含む、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記磁性体は、前記磁性体の中心軸側に窪んだ第３の部分を、前記第１の部分内に含む、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記第３の位置における前記磁性体の前記第２の方向における第３の寸法は、前記第１の寸法より小さく、前記第２の寸法より大きく、
前記第１の方向における前記第１の位置と前記第３の位置との間の寸法は、前記第１の方向における前記第２の位置と前記第３の位置との間の寸法と等しい、
請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
第１の部分と、第１の方向において前記第１の部分と隣り合う第２の部分と、を含む管状の磁性体と、
前記磁性体と離間して設けられた書き込み配線と、
前記磁性体に接続された読み出し素子と、
を具備し、
前記第１の部分は、前記磁性体の前記第１の方向に対して垂直な第２の方向における寸法が前記第１の部分内で極大となる前記磁性体の第１の位置において、前記第２の方向における第１の寸法を有し、
前記第２の部分は、前記磁性体の前記第２の方向における寸法が前記第２の部分内で極小となる前記磁性体の第２の位置において、前記第２の方向における前記第１の寸法より小さい第２の寸法を有し、
前記第１の部分は、前記第１の位置と前記第２の位置との間の第３の位置を介して、前記第２の部分と連続し、
前記第１の位置と前記第３の位置との間における前記磁性体の前記第１の方向に垂直な断面の断面積は、非線形に変化し、
前記第１の位置と前記第３の位置との間の第４の位置における前記磁性体の断面積の変化率は、前記第３の位置における前記磁性体の断面積の変化率より大きい、
磁気メモリ。
【請求項７】
前記第２の位置と前記第３の位置との間における前記磁性体の前記第１の方向に垂直な断面の断面積は、線形に変化する、
請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記第１の方向から見た前記第２の部分の断面積は、前記第１の方向から見た前記第１の部分の断面積より小さい、
請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記磁性体は、磁壁を含み、
前記第４の位置における前記磁壁の体積変化率は、前記第２の位置と前記第３の位置との間の第５の位置における前記磁壁の体積変化率より大きい、
請求項６に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
第１の部分と、第１の方向において前記第１の部分と隣り合う第２の部分と、を含む管状の磁性体と、
前記磁性体と離間して設けられた書き込み配線と、
前記磁性体に接続された読み出し素子と、
を具備し、
前記第１の部分は、前記磁性体の前記第１の方向に対して垂直な第２の方向における寸法が前記第１の部分内で極大となる前記磁性体の第１の位置において、前記第２の方向における第１の寸法を有し、
前記第２の部分は、前記磁性体の前記第２の方向における寸法が前記第２の部分内で極小となる前記磁性体の第２の位置において、前記第２の方向における前記第１の寸法より小さい第２の寸法を有し、
前記第１の部分は、前記第１の位置と前記第２の位置との間の第３の位置を介して、前記第２の部分と連続し、
前記第１の位置と前記第３の位置との間の第４の位置における前記磁性体の前記第２の方向における寸法の変化率は、前記第３の位置における前記磁性体の前記第２の方向における寸法の変化率より大きい、
磁気メモリ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気メモリに関する
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
磁性細線を用いた磁気メモリが、研究及び開発されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許９１５３３４０号明細書
米国特許９１８４２１２号明細書
米国特許９２９３６９６号明細書
特開２０２１－１２５６４２号公報
特開２０２２－４５２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
磁気メモリの信頼性を向上する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の磁気メモリは、第１の部分と、第１の方向において前記第１の部分と隣り合う第２の部分と、を含む管状の磁性体と、前記磁性体と離間して設けられた書き込み配線と、前記磁性体に接続された読み出し素子と、を含み、前記第１の部分は、前記磁性体の前記第１の方向に対して垂直な第２の方向における寸法が前記第１の部分内で極大となる前記磁性体の第１の位置において、前記第２の方向における第１の寸法を有し、前記第２の部分は、前記磁性体の前記第２の方向における寸法が前記第２の部分内で極小となる前記磁性体の第２の位置において、前記第２の方向における前記第１の寸法より小さい第２の寸法を有し、前記第１の部分は、前記第１の位置と前記第２の位置との間の第３の位置を介して、前記第２の部分と連続し、前記第２の方向から見て、前記磁性体の外周面に対応する曲線が、前記第１の位置と前記第３の位置との間を延在し、前記曲線は、前記第１の位置と前記第２の位置とを接続する直線より前記磁性体の中心側を通過する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１の実施形態の磁気メモリの全体構成を示すブロック図。
第１の実施形態の磁気メモリのメモリセルアレイの構成例を示す模式図。
第１の実施形態の磁気メモリのメモリセルユニットの構成例を示す鳥瞰図。
第１の実施形態の磁気メモリのメモリセルユニットの構成例を示す断面図。
第１の実施形態の磁気メモリのメモリセルの構成例を示す断面図。
第１の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第１の実施形態の磁気メモリの動作例を示す図。
第２の実施形態の磁気メモリのメモリセルユニットの構成例を示す断面図。
第２の実施形態の磁気メモリのメモリセルの構成例を示す断面図。
第２の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第２の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第２の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第２の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第３の実施形態の磁気メモリのメモリセルユニットの構成例を示す断面図。
第３の実施形態の磁気メモリのメモリセルの構成例を示す断面図。
第３の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第３の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第３の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
第３の実施形態の磁気メモリの特性を示す図。
実施形態の磁気メモリの変形例を示す図。
実施形態の磁気メモリの変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しながら、本実施形態について詳細に説明する。以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付す。
また、以下の各実施形態において、末尾に区別化のための数字／英字を伴った参照符号を付された構成要素（例えば、回路、配線、各種の電圧及び信号など）が、相互に区別されなくとも良い場合、末尾の数字／英字が省略された記載（参照符号）が用いられる。
【０００８】
（実施形態）
図１乃至図２４を参照して、実施形態の磁気メモリについて、説明する。
【０００９】
（１）第１の実施形態
図１乃至図１０を参照して、第１の実施形態の磁気メモリについて、説明する。
【００１０】
（ａ）構成例
図１乃至図５を参照して、本実施形態の磁気メモリの構成例について、説明する。
（【００１１】以降は省略されています）

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