TOP特許意匠商標
特許ウォッチ Twitter
10個以上の画像は省略されています。
公開番号2024053204
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-15
出願番号2022159305
出願日2022-10-03
発明の名称圧電基板、圧電素子および圧電素子応用デバイス
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10N 30/20 20230101AFI20240408BHJP()
要約【課題】リーク電流の発生を抑制することができる圧電基板、圧電素子および圧電素子応用デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の圧電基板は、基体と、基体上に成膜された電極と、電極上に成膜され、カリウムとナトリウムとニオブとを含む圧電体層とを備えた圧電基板であって、圧電体層の表面をフーリエ変換赤外分光法により測定した時のピーク2の積分強度IR2をピーク1の積分強度IR1で除した値IR2/IR1が0.086未満であることを特徴とする圧電基板。ここで、ピーク1は、波長が475~700cm-1に検出されるピークの内最も強いピークの面積強度であり、ピーク2は、波長が1200~1645cm-1に検出されるピークの面積強度の合算である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
基体と、
前記基体上に成膜された電極と、
前記電極上に成膜され、カリウムとナトリウムとニオブとを含む圧電体層と、
を備えた圧電基板であって、
前記圧電体層の表面をフーリエ変換赤外分光法により測定した時のピーク2の積分強度IR2をピーク1の積分強度IR1で除した値IR2/IR1が0.086未満であることを特徴とする圧電基板。
ここで、前記ピーク1は、波長が475~700cm
-1
に検出されるピークの内最も強いピークの面積強度であり、前記ピーク2は、波長が1200~1645cm
-1
に検出されるピークの面積強度の合算である。
続きを表示(約 790 文字)【請求項2】
前記IR2/IR1が0.05以上であることを特徴とする請求項1に記載に圧電基板。
【請求項3】
前記圧電体層はリチウムを含むことを特徴とする請求項1に記載の圧電基板。
【請求項4】
前記リチウムの含有量は10mоl%以下であることを特徴とする請求項3に記載の圧電基板。
【請求項5】
前記圧電体層は第1遷移金属を含むことを特徴とする請求項1に記載の圧電基板。
【請求項6】
前記第1遷移金属はマンガンまたは銅を含むことを特徴とする請求項5に記載の圧電基板。
【請求項7】
前記第1遷移金属の合計含有量は5mоl%以下であることを特徴とする請求項5に記載の圧電基板。
【請求項8】
前記圧電体層と前記電極との間に配向制御層を有することを特徴とする請求項1に記載の圧電基板。
【請求項9】
基体と、
前記基体上に成膜された第1電極と、
前記第1電極上に成膜され、カリウムとナトリウムとニオブとを含む圧電体層と、
前記圧電体層上に成膜された第2電極と、
を備えた圧電素子であって、
前記圧電体層の表面をフーリエ変換赤外分光法により測定した時のピーク2の積分強度IR2をピーク1の積分強度IR1で除した値IR2/IR1が0.086未満であることを特徴とする圧電素子。
ここで、前記ピーク1は、波長が475~700cm
-1
に検出されるピークの内最も強いピークの面積強度であり、前記ピーク2は、波長が1200~1645cm
-1
に検出されるピークの面積強度の合算である。
【請求項10】
請求項9に記載の圧電素子を具備することを特徴とする圧電素子応用デバイス。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本発明は、圧電基板、圧電素子および圧電素子応用デバイスに関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
圧電素子は、一般に、基板と、電気機械変換特性を有する圧電体層と、圧電体層を挟持する2つの電極と、を有している。このような圧電素子を駆動源として用いたデバイス(圧電素子応用デバイス)の開発が、近年、盛んに行われている。圧電素子応用デバイスの一つとして、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッド、圧電MEMS素子に代表されるMEMS要素、超音波センサ等に代表される超音波測定装置、更には、圧電アクチュエーター装置等がある。
【0003】
圧電素子の圧電体層の材料(圧電材料)として、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)が知られている。しかし近年は、環境負荷低減の観点から、鉛の含有量を抑えた非鉛系の圧電材料の開発が進められている。
さらに近年では、各種電子機器や電子部品等のさらなる小型化、高性能化が強く要求されており、それに伴い、圧電素子に対しても小型化、高性能化が求められてきている。
【0004】
非鉛系の圧電材料の1つとして、たとえば、特許文献1のように、ニオブ酸カリウムナトリウム(KNN;(K,Na)NbO

)が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
特開2013-225605号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
一般的に、KNN系を圧電材料として用いた場合、リーク電流が発生しやすいという課題が知られている。この点において、特許文献1では、鉄及びマンガンの少なくとも一方を含むことにより、リーク電流の発生を抑制することができることが開示されている。
【0007】
しかしながら、本発明者らの検討により、圧電体層内に残留する有機成分によってリーク電流密度が高くなることがわかってきた。すなわち、KNN系の圧電体層内への添加剤の添加により結晶配向性を向上させるだけでは、リーク電流密度を十分に低減できないおそれがある。
【0008】
このような事情から、KNN系の圧電体層を備える圧電基板や圧電素子において、リーク電流を十分に低減可能な圧電体層が求められている。
【0009】
なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに搭載された圧電アクチュエーターに用いられる圧電素子に限定されず、他の圧電素子応用デバイスに用いられる圧電素子においても同様に存在する。
【課題を解決するための手段】
【0010】
上記の課題を解決するために、本発明の第1の態様によれば、基体と、基体上に成膜された電極と、電極上に成膜され、カリウムとナトリウムとニオブとを含む圧電体層とを備えた圧電基板であって、圧電体層の表面をフーリエ変換赤外分光法により測定した時のピーク2の積分強度IR2をピーク1の積分強度IR1で除した値IR2/IR1が0.086未満である圧電基板が提供される。ここで、前記ピーク1は、波長が475~700cm
-1
に検出されるピークの内最も強いピークの面積強度であり、前記ピーク2は、波長が1200~1645cm
-1
に検出されるピークの面積強度の合算である。
(【0011】以降は省略されています)

この特許をJ-PlatPatで参照する

関連特許

株式会社東芝
半導体装置
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
記憶装置
2日前
マグネデザイン株式会社
GSR素子の製造方法
16日前
多摩川精機株式会社
電力消費装置
1か月前
京セラ株式会社
圧電素子
21日前
住友電気工業株式会社
光センサ
23日前
住友電気工業株式会社
光センサ
23日前
キヤノン株式会社
光電変換素子
14日前
株式会社半導体エネルギー研究所
表示装置の作製方法、表示装置
28日前
キオクシア株式会社
不揮発性半導体メモリ
1か月前
兵庫県公立大学法人
ペロブスカイト太陽電池
28日前
TDK株式会社
磁歪膜および電子デバイス
今日
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス、表示装置、および電子機器
2日前
キオクシア株式会社
半導体装置およびその製造方法
23日前
国立大学法人東北大学
発電用複合材料および発電用複合材料の製造方法
1か月前
三菱ケミカル株式会社
光電変換素子用材料、及び光電変換素子
今日
富士フイルム株式会社
圧電素子及びアクチュエータ
1か月前
富士フイルム株式会社
圧電素子及びアクチュエータ
1か月前
富士フイルム株式会社
圧電素子及びアクチュエータ
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置、半導体装置の作製方法、及び電子機器
1か月前
富士フイルム株式会社
圧電素子及びアクチュエータ
1か月前
セメス株式会社
半導体装置
1日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
15日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
8日前
株式会社アイシン
ホール輸送材料及びホール輸送材料を用いた太陽電池
2日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光素子
1か月前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
23日前
三菱ケミカル株式会社
有機光電変換素子の製造方法及び有機光電変換素子
29日前
株式会社Gaianixx
自立膜、積層構造体、素子、電子デバイス、電子機器及びシステム
7日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
27日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
23日前
株式会社半導体エネルギー研究所
正孔輸送材料
27日前
株式会社半導体エネルギー研究所
発光デバイス
1か月前
旺宏電子股ふん有限公司
3Dメモリデバイス及びシール構造を形成する方法
6日前
セイコーエプソン株式会社
圧電基板、圧電素子および圧電素子応用デバイス
1か月前
出光興産株式会社
有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器
1か月前
続きを見る