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公開番号2024033648
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-13
出願番号2022137362
出願日2022-08-30
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20240306BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】厚さの増大が抑制されながらも高密度の導体回路を形成可能な配線基板の提供。
【解決手段】実施形態の配線基板は、交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を有する。配線基板1は、第1の領域A、及び、隣り合う導体層間の距離が第1の領域Aにおける隣り合う導体層間の距離よりも小さい第2の領域Bを含み、導体層は、第1の領域A及び第2の領域Bに亘って形成される第1導体層12、並びに、第2の領域Bにのみ形成される第2導体層121を含み、第1の領域Aは、2層の絶縁層111、112を貫通して隣り合う第1導体層12を接続する複数の第1ビア導体13を含み、第2の領域Bは、1層の絶縁層111、112を貫通して隣り合う第1導体層12と第2導体層121とを接続する複数の第2ビア導体131を含み、複数の第2ビア導体131の径のうち最大の径の値は、複数の第1ビア導体13の径のうち最小の径の値よりも小さい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を有する配線基板であって、
前記配線基板は、第１の領域、及び、隣り合う導体層間の距離が前記第１の領域における隣り合う導体層間の距離よりも小さい第２の領域を含み、
前記導体層は、前記第１の領域及び前記第２の領域に亘って形成される第１導体層、並びに、前記第２の領域にのみ形成される第２導体層を含み、
前記第１の領域は、２層の絶縁層を貫通して隣り合う前記第１導体層を接続する複数の第１ビア導体を含み、
前記第２の領域は、１層の絶縁層を貫通して隣り合う前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の第２ビア導体を含み、
前記複数の第２ビア導体の径のうち最大の径の値は、前記複数の第１ビア導体の径のうち最小の径の値よりも小さい。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、前記複数の第２ビア導体の径のうち最大の径の値は、前記複数の第１ビア導体の径のうち最小の径の値の、２／５以下である。
【請求項３】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１ビア導体の高さが１０μｍ以上、且つ、３０μｍ以下であり、前記第２ビア導体の高さが５μｍ以上、且つ、１５μｍ以下である。
【請求項４】
請求項１記載の配線基板であって、前記第２ビア導体のアスペクト比は、０．５以上、且つ、１．０以下である。
【請求項５】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層の上面、及び、前記第２導体層の上面は、算術平均粗さが０．３μｍ以下の研磨面である。
【請求項６】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は第１配線を含み、前記第２導体層は第２配線を含み、前記第１及び第２配線のアスペクト比が、２．０以上であって、４．０以下である。
【請求項７】
請求項６記載の配線基板であって、前記第１配線の配線幅の最小値が５μｍ以下、且つ、配線間距離の最小値が７μｍ以下であり、前記第２配線の配線幅の最小値が３μｍ以下、且つ、配線間距離の最小値が５μｍ以下である。
【請求項８】
請求項６記載の配線基板であって、前記配線基板の一方の面は、それぞれ複数の接続要素を含む第１の部品搭載領域及び第２の部品搭載領域を有し、前記第１の部品搭載領域に含まれる接続要素と前記第２の部品搭載領域に含まれる接続要素とが、前記第２配線及び前記第２ビア導体を介して接続されている。
【請求項９】
請求項６記載の配線基板であって、前記第２配線の上側、及び／又は、下側に隣接する導体層は、平面視において前記第２配線と重なるプレーン層を有している。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、コア層の両面に対称に絶縁層及び配線層が積層された第１の配線部材、第１の配線部材の一方に積層された高密度配線層である第２の配線部材、及び、第１の配線部材の他方に積層されたソルダーレジスト層である最外絶縁層、を含む配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－２２５６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、高密度配線層である第２の配線部材は第１の配線部材の外側に形成されている。配線基板の厚さ方向における寸法が増大すると考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態である配線基板は、交互に積層される複数の絶縁層及び導体層を有する。前記配線基板は、第１の領域、及び、隣り合う導体層間の距離が前記第１の領域における隣り合う導体層間の距離よりも小さい第２の領域を含み、前記導体層は、前記第１の領域及び前記第２の領域に亘って形成される第１導体層、並びに、前記第２の領域にのみ形成される第２導体層を含み、前記第１の領域は、２層の絶縁層を貫通して隣り合う前記第１導体層を接続する複数の第１ビア導体を含み、前記第２の領域は、１層の絶縁層を貫通して隣り合う前記第１導体層と前記第２導体層とを接続する複数の第２ビア導体を含み、前記複数の第２ビア導体の径のうち最大の径の値は、前記複数の第１ビア導体の径のうち最小の径の値よりも小さい。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、配線基板は第１の領域及び隣り合う導体層間の距離が第１の領域における隣り合う導体層間の距離よりも小さい第２の領域を含んでいる。第２の領域に含まれる第２ビア導体の径の最大値は、第１の領域に含まれる第１ビア導体の径の最小値よりも小さい。配線基板の厚さ方向における寸法の増大が抑制されながらも、より微細かつ高密度に形成された導体回路を含む配線基板が提供され得る。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す平面図。
本発明の一実施形態の配線基板の一例を示す図１の部分拡大図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
一実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の一実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、一実施形態の配線基板が有し得る構造の一例として、配線基板１の断面図が示されている。
【０００９】
図１には、絶縁層（コア絶縁層）１０１と、コア絶縁層１０１の両面に形成された導体層（コア導体層）１０２を含むコア基板１００を有する例の配線基板１が示されている。コア基板１００の絶縁層１０１には、コア基板１００における第１面Ｆ１を構成する導体層１０２と第２面Ｆ２を構成する導体層１０２とを接続するスルーホール導体１０３が形成されている。スルーホール導体１０３の内部は、エポキシ樹脂などを含む樹脂体１０３ｉで充填されている。
【００１０】
コア基板１００の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２上には、それぞれ、絶縁層及び導体層が交互に積層されている。図示の例では、コア基板１００の第１面Ｆ１上には、絶縁層１１、１１１、１１２及び導体層１２、１２１が積層された第１ビルドアップ部１０が形成されている。コア基板１００の第２面Ｆ２上には、絶縁層２１及び導体層２２が積層された第２ビルドアップ部２０が形成されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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