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公開番号2025170908
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2024075766
出願日2024-05-08
発明の名称窒化物半導体装置の製造方法
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類G03F 9/00 20060101AFI20251113BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】位置合わせ精度を向上できる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、上面が窒素極性を有する第1窒化物半導体層の前記上面の上に、第1開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記第1開口の内側で前記上面の上に第2窒化物半導体層を形成する工程と、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングにより前記第2窒化物半導体層の上面を粗化して、アライメントマークを形成する工程と、を有する。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
上面が窒素極性を有する第１窒化物半導体層の前記上面の上に、第１開口を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１開口の内側で前記上面の上に第２窒化物半導体層を形成する工程と、
アルカリ溶液を用いたウェットエッチングにより前記第２窒化物半導体層の上面を粗化して、アライメントマークを形成する工程と、
を有する、窒化物半導体装置の製造方法。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記絶縁膜および前記アライメントマークの上に感光性膜を形成する工程と、
前記感光性膜に第１光を照射し、前記アライメントマークによる反射光から前記アライメントマークの位置を検出する工程と、
検出された前記アライメントマークの位置を基準にして、前記感光性膜の一部に第２光を照射して感光領域を形成する工程と、
を有する、請求項１に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１光の波長は５４６ｎｍ以上５４７ｎｍ以下であり、
前記第２光の波長は３６５ｎｍ以上４３６ｎｍ以下である、請求項２に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２窒化物半導体層は窒化ガリウム層である、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アライメントマークは窒化ガリウムの（１０－１－１）面を含む上面を有する、請求項４に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記アルカリ溶液は、水酸化カリウムまたは水酸化テトラメチルアンモニウムを含む、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁膜は、第２開口を有し、
前記第２窒化物半導体層と同時に前記第２開口の内側に第３窒化物半導体層が形成される、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の窒化物半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、窒化物半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体装置の製造に際しては、アライメントマークを用いた位置合わせが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２００７／０８０７９５号
特開２０１８－１６３９２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、窒化物半導体装置の小型化が進むに連れて、窒化物半導体装置に含まれる複数の構成要素の間の位置合わせ精度の更なる向上の要請が高まっている。
【０００５】
本開示は、位置合わせ精度を向上できる窒化物半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の窒化物半導体装置の製造方法は、上面が窒素極性を有する第１窒化物半導体層の前記上面の上に、第１開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記第１開口の内側で前記上面の上に第２窒化物半導体層を形成する工程と、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングにより前記第２窒化物半導体層の上面を粗化して、アライメントマークを形成する工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、位置合わせ精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
図２は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
図３は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
図４は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
図５は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
図６は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
図７は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その７）である。
図８は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その８）である。
図９は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その９）である。
図１０は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１０）である。
図１１は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１１）である。
図１２は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１２）である。
図１３は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１３）である。
図１４は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１４）である。
図１５は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１５）である。
図１６は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１６）である。
図１７は、実施形態に係る窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１７）である。
図１８は、金属製のアライメントマークを用いた窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
図１９は、金属製のアライメントマークを用いた窒化物半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
【００１０】
〔１〕本開示の一態様に係る窒化物半導体装置の製造方法は、上面が窒素極性を有する第１窒化物半導体層の前記上面の上に、第１開口を有する絶縁膜を形成する工程と、前記第１開口の内側で前記上面の上に第２窒化物半導体層を形成する工程と、アルカリ溶液を用いたウェットエッチングにより前記第２窒化物半導体層の上面を粗化して、アライメントマークを形成する工程と、を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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