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公開番号2025161714
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024205694
出願日2024-11-26
発明の名称基板処理装置及びガス供給方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/027 20060101AFI20251017BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板を処理する処理ユニットと、処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置において、フットプリントの増大を抑制しながら、当該装置に設けられた電装品等の熱源からの熱影響を抑制する。
【解決手段】基板を処理する処理ユニットと、前記処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置であって、空気の供給源からの空気を前記処理ユニットに供給するダクトと、当該基板処理装置の周囲の空気を取り込んで、前記搬送領域に供給する取込供給部と、前記ダクトを流れた前記供給源からの空気も前記搬送領域に供給されるよう、前記ダクトと前記取込供給部とを接続する供給管
と、を有する。
【選択図】図7

特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する処理ユニットと、前記処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置であって、
空気の供給源からの空気を前記処理ユニットに供給するダクトと、
当該基板処理装置の周囲の空気を取り込んで、前記搬送領域に供給する取込供給部と、
前記ダクトを流れた前記供給源からの空気も前記搬送領域に供給されるよう、前記ダクトと前記取込供給部とを接続する供給管と、を有する、基板処理装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記供給管の前記ダクト側の端部は、前記ダクトにおける前記処理ユニットとの接続部分より下流側に接続されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記取込供給部は、
当該基板処理装置の周囲の空気を取り込むファンと、
前記ファンにより取り込まれた雰囲気ガスから異物を除去するフィルタと、
前記フィルタを通過した雰囲気ガスを前記搬送領域内に導く搬送領域用ダクトと、をさらに有する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記供給管の空気の吹き出し口は、前記取込供給部の前記ファンに向けて、空気を吹き出す、請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記供給源から供給される空気は、温度と湿度が調整されたものである、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ダクトへの空気の導入は、当該ダクトの下端部から行われ、
前記ダクトは、その上端部が前記取込供給部に接続されている、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
平面視において、前記搬送領域の延在方向で当該搬送領域と隣接する位置に、受け渡しユニットをさらに有し、
前記受け渡しユニットは、基板が載置され、当該載置された基板の温度を調整する温度調整板を含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ダクトは、
当該ダクトの長さ方向にかかる互いに異なる位置それぞれに前記処理ユニットが接続され、
前記処理ユニットに供給する空気が流れる内側ダクトと、
前記内側ダクトを覆い、前記処理ユニットに供給しない空気が流れる外側ダクトと、を有する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記内側ダクトの下部に、当該内側ダクト内から前記外側ダクトに空気を導入する導入口が設けられ、
前記供給源からの空気は、前記内側ダクトの下部に供給され、その一部が、前記導入口を介して前記外側ダクトに導入される、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記ダクトは、前記外側ダクトが前記取込供給部に接続され、前記外側ダクトからの空気を前記取込供給部に取り込ませる、請求項８に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及びガス供給方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、基板を処理する基板処理装置であって、基板に対して同一の処理を行う複数の処理ユニットと、前記複数の処理ユニットにおける処理結果が略同一となるように、前記複数の処理ユニットにおける気圧を制御する気圧制御手段とを備えるものを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００６－２４６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示にかかる技術は、基板を処理する処理ユニットと、処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置において、フットプリントの増大を抑制しながら、当該装置に設けられた電装品等の熱源からの熱影響を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様は、基板を処理する処理ユニットと、前記処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置であって、空気の供給源からの空気を前記処理ユニットに供給するダクトと、当該基板処理装置の周囲の空気を取り込んで、前記搬送領域に供給する取込供給部と、前記ダクトを流れた前記供給源からの空気も前記搬送領域に供給されるよう、前記ダクトと前記取込供給部とを接続する供給管
と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、基板を処理する処理ユニットと、処理ユニットに基板を搬送する搬送ユニットが設けられた搬送領域と、を有する基板処理装置において、フットプリントの増大を抑制しながら、当該装置に設けられた電装品等の熱源からの熱影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
基板処理装置としての塗布現像装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。
塗布現像装置の奥行き方向中央部の内部構成の概略を模式的に示す図である。
塗布現像装置の手前側の内部構成の概略を模式的に示す図である。
塗布現像装置の奥側の内部構成の概略を模式的に示す図である。
受け渡しユニットの内部の平面図である。
左側サブブロックの外観を示す上面図である。
ダクトと搬送領域用ダクトとの接続形態を示す図である。
供給管の他の例を説明するための図である。
ダクトの他の例を説明するための図である。
ダクトの他の例を説明するための図である。
ダクト及び供給管の他の例を説明するための図である。
供給管の他の例を説明するための図である。
ダクト及び供給管の他の例を説明するための図である。
ダクトの他の例を説明するための図である。
ダクトの他の例を説明するための図であり、一部を断面で示している。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
半導体デバイスの製造プロセス等におけるフォトリソグラフィー工程では、例えば基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に所望のレジストパターンを形成するために一連の処理が行われる。上記一連の処理では、例えば、ウェハ上にレジスト液を供給しレジスト膜を形成するレジスト膜形成処理、レジスト膜を露光する露光処理、露光されたレジスト膜に現像液を供給して現像する現像処理等が行われる。これらの処理のうち、レジスト膜形成処理及び現像処理等、露光処理以外の処理は、基板処理装置である塗布現像装置で行われている。
【０００９】
塗布現像処理装置には、ウェハを液処理する液処理ユニット等の各種処理ユニットが設けられている。また、例えば液処理ユニット内の雰囲気を清浄に保つために、当該ユニットに清浄な空気が供給されている。この清浄な空気の供給のため、ダクトが設けられ、清浄な空気の供給源と液処理ユニットとがダクトを介して接続されている。
【００１０】
塗布現像装置には、さらに、処理ユニットのウェハを搬送する搬送ユニットが設けられている。また、搬送ユニットが設けられた搬送領域にも、清浄な空気が供給されている。そして、塗布現像装置の周囲から取り込んだ空気を、搬送領域に供給する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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