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公開番号2025161526
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064794
出願日2024-04-12
発明の名称処理装置、処理方法、および表示装置の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H10K 71/40 20230101AFI20251017BHJP()
要約【課題】基板を処理する処理装置のフットプリントの縮小に有利な技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理装置は、前記基板を熱処理する熱処理室と、前記熱処理室に連結された予備加熱室と、前記予備加熱室の内部空間に対して加熱された気体を供給する供給部と、前記内部空間から気体を吸引する吸引部と、を備え、前記基板は、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室に搬入され、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室から搬出され、前記基板の搬送方向における前記内部空間の寸法は、前記搬送方向における前記基板の寸法より小さい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する処理装置であって、
前記基板を熱処理する熱処理室と、
前記熱処理室に連結された予備加熱室と、
前記予備加熱室の内部空間に対して加熱された気体を供給する供給部と、
前記内部空間から気体を吸引する吸引部と、を備え、
前記基板は、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室に搬入され、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室から搬出され、
前記基板の搬送方向における前記内部空間の寸法は、前記搬送方向における前記基板の寸法より小さい、
ことを特徴とする処理装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記熱処理室と前記予備加熱室との間に配置された第１バルブと、前記予備加熱室と外部空間との間に配置された第２バルブとを更に備え、
前記熱処理室への前記基板の搬入および前記熱処理室からの前記基板の搬出は、前記第１バルブおよび前記第２バルブの双方を開いた状態でなされる、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記内部空間を通して前記熱処理室に前記基板が搬入される際に、前記基板が前記第２バルブを通過すると前記第２バルブが閉じられ、前記基板が前記第１バルブを通過すると前記第１バルブが閉じられる、
ことを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記内部空間を通して前記熱処理室から前記基板が搬出される際に、前記基板が前記第１バルブを通過すると前記第１バルブが閉じられ、前記基板が前記第２バルブを通過すると前記第２バルブが閉じられる、
ことを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項５】
前記供給部は、前記吸引部と前記熱処理室との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項６】
前記吸引部は、前記供給部と前記熱処理室との間に配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
前記供給部は、前記基板の搬送経路の上方に配置された第１供給口と、前記搬送経路の下方に配置された第２供給口とを含み、
前記吸引部は、前記搬送経路の上方に配置された第１吸引口と、前記搬送経路の下方に配置された第２吸引口とを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項８】
前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記基板が搬送されているときに、前記基板によって前記内部空間が上側空間と下側空間とに分離される、
ことを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記上側空間に配置されたプレート、および、前記下側空間に配置されたプレートの少なくとも一方を更に備える、
ことを特徴とする請求項８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記プレートは、前記基板を加熱する加熱プレートである、
ことを特徴とする請求項９に記載の処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置、処理方法、および表示装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数段の棚を有する加熱炉と、加熱炉の複数段の棚にそれぞれ対応するように配置された複数段のロードロック室とを備える加熱乾燥装置が記載されている。加熱炉は、複数段の棚を有する基板ラックを有し、ロードロック室は、１枚の基板及び搬送アームの収納が可能な容積を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－６５９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたロードロック室は、１枚の基板及び搬送アームの収納が可能な容積を有するので、加熱炉と同程度のフットプリントを必要とする。
【０００５】
本発明は、基板を処理する処理装置のフットプリントの縮小に有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの側面は、基板を処理する処理装置に係り、前記処理装置は、前記基板を熱処理する熱処理室と、前記熱処理室に連結された予備加熱室と、前記予備加熱室の内部空間に対して加熱された気体を供給する供給部と、前記内部空間から気体を吸引する吸引部と、を備え、前記基板は、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室に搬入され、前記予備加熱室の前記内部空間を通して前記熱処理室から搬出され、前記基板の搬送方向における前記内部空間の寸法は、前記搬送方向における前記基板の寸法より小さい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、基板を処理する処理装置のフットプリントの縮小に有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
第１実施形態の処理装置の構成を模式的に示す図。
第１実施形態の処理装置における基板の搬送を模式的に示す図。
第２実施形態の処理装置の構成を模式的に示す図。
第２実施形態の処理装置における予備加熱室の構成を模式的に示す図。
第２実施形態の処理装置の変形例の構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。以下で説明する実施形態および図面において、方向はＸＹＺ座標系によって示される。ＸＹＺ座標系において、ＸＹ平面は水平方向であり、Ｚ軸方向は鉛直方向でありうる。
【００１０】
図１は、第１実施形態の処理装置ＰＡの構成を模式的に示す図である。図２は、第１実施形態の処理装置ＰＡにおける基板Ｓの搬送を模式的に示す図である。処理装置ＰＡは、基板Ｓを熱処理するように構成されうる。基板Ｓは、支持部材（あるいは、支持基板とも呼ばれうる）ＳＭと、支持部材ＳＭの上に配置された少なくとも１つの膜Ｆと、を有しうる。基板Ｓを熱処理することは、膜Ｆを熱処理することを含みうる。基板Ｓを熱処理することは、例えば、膜Ｆを乾燥させる乾燥処理、および、膜Ｆを焼成する焼成処理の少なくとも一方を含みうる。乾燥処理は、膜Ｆに含まれる溶媒を揮発させ、その溶媒の濃度を低減することを意味する。焼成処理は、膜Ｆの性質を変化させること、例えば、膜Ｆの結晶構造を変化させることを意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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