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公開番号2025161446
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2024064628
出願日2024-04-12
発明の名称半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法
出願人株式会社レゾナック
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20251017BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】再配線層から支持体を簡便に剥離できる半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置形成用積層体L1は、支持体1と、支持体1の一面側に設けられた予備再配線層3と、予備再配線層3の一面側に設けられたシード層5と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
支持体と、
前記支持体の一面側に設けられた予備再配線層と、
前記予備再配線層の一面側に設けられたシード層と、を備える、半導体装置形成用積層体。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記支持体と前記予備再配線層との間に金属層が設けられている、請求項１記載の半導体装置形成用積層体。
【請求項３】
前記予備再配線層は、前記支持体の一面に直接設けられている、請求項１記載の半導体装置形成用積層体。
【請求項４】
支持体を準備する準備工程と、
前記支持体の一面側に予備再配線層を形成する予備再配線層形成工程と、
前記予備再配線層の一面側にシード層を形成するシード層形成工程と、
前記予備再配線層上の再配線層において前記シード層上にめっき層を形成するめっき層形成工程と、
前記めっき層に半導体チップを実装する実装工程と、
前記半導体チップを封止する封止工程と、
前記支持体を前記予備再配線層から剥離する剥離工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記準備工程と呼び再配線層形成工程との間に、前記支持体の一面に金属層を形成する金属層形成工程を備え、
前記剥離工程では、前記金属層にインコヒーレント光を照射して前記支持体を前記予備再配線層から剥離する、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記予備再配線層形成工程では、前記予備再配線層を前記支持体の一面に直接形成し、
前記剥離工程では、前記予備再配線層にコヒーレント光を照射して前記支持体を前記予備再配線層から剥離する、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に係る半導体装置形成用積層体を準備する工程と、
前記予備再配線層上の再配線層において前記シード層上にめっき層を形成するめっき層形成工程と、
前記めっき層に半導体チップを実装する実装工程と、
前記半導体チップを封止する封止工程と、
前記支持体を前記予備再配線層から剥離する剥離工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持体と前記予備再配線層との間に金属層が設けられている前記半導体装置形成用積層体を準備し、
前記剥離工程では、前記金属層にインコヒーレント光を照射して前記支持体を前記予備再配線層から剥離する、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記予備再配線層が前記支持体の一面に直接設けられている前記半導体装置形成用積層体を準備し、
前記剥離工程では、前記予備再配線層にコヒーレント光を照射して前記支持体を前記予備再配線層から剥離する、請求項７記載の半導体装置の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電子デバイスの小型化に伴い、電子デバイスに搭載される半導体パッケージの小型化・高集積化のニーズが一層強まっている。現状のパッケージング技術としては、半導体チップにはんだバンプを設けて回路基板と接続するＦＣＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）が主流であるが、これに代わる技術として、回路基板を用いずに半導体チップに再配線層（RDL: Re-Distribution Layer）を介して直接はんだボールを設けるＦＯＷＬＰ（Fan-Out Wafer Level Packaging）が検討されている(例えば特許文献１参照)。
【０００３】
ＦＯＷＬＰには、主にＤｉｅ－Ｆｉｒｓｔ方式及びＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ方式がある。Ｄｉｅ－Ｆｉｒｓｔ方式は、支持体に剥離層を介して半導体チップを配置し、半導体チップを封止した後に半導体チップから支持体を剥離して再配線層を形成する方式である。ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ方式は、支持体に剥離層を介して再配線層を形成し、さらに半導体チップを形成して封止した後に再配線層から支持体を剥離する方式である（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開ＷＯ２０２０／１０５４８５号公報
特開２０１５－３５５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
Ｄｉｅ－Ｆｉｒｓｔ方式では、再配線層の形成より先に半導体チップが封止されるため、再配線層に不具合があった場合に良品である半導体チップを併せて廃棄せざるを得なくなる。ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ方式では、半導体チップの封止より先に再配線層を形成するため、このような課題をクリアできる一方、既に形成されている再配線層にダメージを与えることなく、再配線層から支持体を簡便に剥離できることが求められている。
【０００６】
本開示は、上記課題の解決のためになされたものであり、再配線層から支持体を簡便に剥離できる半導体装置形成用積層体及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の要旨は、以下に示すとおりである。
【０００８】
［１］支持体と、前記支持体の一面側に設けられた予備再配線層と、前記予備再配線層の一面側に設けられたシード層と、を備える、半導体装置形成用積層体。
【０００９】
この半導体装置形成用積層体では、支持体の一面側に予備再配線層が設けられ、当該予備再配線層の一面側にシード層が設けられている。この積層体を用いて半導体装置を製造する場合、予備再配線層上に積層した再配線に所定のパターンでめっき層を形成し、半導体チップの実装及び封止を行った後、予備再配線層の部分で再配線層から支持体を簡便に剥離できる。再配線層から支持体を簡便に剥離できることで、再配線層へのダメージが抑えられ、製造された半導体装置の信頼性の向上が図られる。
【００１０】
［２］前記支持体と前記予備再配線層との間に金属層が設けられている、［１］記載の半導体装置形成用積層体。この場合、例えば金属層にインコヒーレント光を照射し、金属層を介して予備再配線層を加熱することで、再配線層から支持体を簡便に剥離できる。
（【００１１】以降は省略されています）

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