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公開番号2025158587
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-17
出願番号2024061273
出願日2024-04-05
発明の名称半導体装置及び電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H04R 17/10 20060101AFI20251009BHJP(電気通信技術)
要約【課題】出力可能な周波数帯域が狭い音出力器に高品質な音を出力させることが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】メモリーからサウンドデータを読み出すサウンドデータ読出回路と、前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第1パルス幅変調信号を生成する第1パルス幅変調信号生成回路と、前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第2パルス幅変調信号を生成する第2パルス幅変調信号生成回路と、を備え、前記第1パルス幅変調信号は、第1圧電素子及び第1振動板を含む第1音出力器に音を出力させるための信号であり、前記第2パルス幅変調信号は、第2圧電素子及び第2振動板を含み、前記第1音出力器よりも共振周波数が高い第2音出力器に音を出力させるための信号である、半導体装置。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
メモリーからサウンドデータを読み出すサウンドデータ読出回路と、
前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第１パルス幅変調信号を生成する第１パルス幅変調信号生成回路と、
前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第２パルス幅変調信号を生成する第２パルス幅変調信号生成回路と、
を備え、
前記第１パルス幅変調信号は、第１圧電素子及び第１振動板を含む第１音出力器に音を出力させるための信号であり、
前記第２パルス幅変調信号は、第２圧電素子及び第２振動板を含み、前記第１音出力器よりも共振周波数が高い第２音出力器に音を出力させるための信号である、半導体装置。
続きを表示（約 680 文字）【請求項２】
請求項１において、
前記第１パルス幅変調信号は、パルス幅が変化し、かつ、パルス周期が一定の信号であり、
前記第２パルス幅変調信号は、パルス幅及びパルス周期が変化する信号である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２パルス幅変調信号は、前記第１パルス幅変調信号のパルス周期の半周期を中心に前後で波形が対称となる信号である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第２パルス幅変調信号のパルス周期の平均値は、前記第１パルス幅変調信号のパルス周期の平均値よりも小さい、半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、
前記第１パルス幅変調信号の電圧振幅と前記第２パルス幅変調信号の電圧振幅とが等しい、半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記第１パルス幅変調信号を昇圧して前記第１音出力器を駆動する第１駆動信号を生成する第１昇圧回路と、
前記第２パルス幅変調信号を昇圧して前記第２音出力器を駆動する第２駆動信号を生成する第２昇圧回路と、
を備える、半導体装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記第１音出力器及び前記第２音出力器は、１つの筐体に収容されている、半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置と、
前記第１音出力器と、
前記第２音出力器と、
を備える、電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び電子機器に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、ＰＷＭ信号出力回路が、音出力器が出力可能な周波数帯域の下限より低い周波数帯域に属する基音の複数の倍音のうち、音出力器が出力可能な周波数帯域に属する倍音を用いた疑似サウンドデータに基づくＰＷＭ信号を音出力器に出力する回路装置が記載されている。特許文献１に記載の回路装置によれば、本来は音出力器が出力できない低帯域の音が、その倍音を用いることで疑似的に出力されるので、高品質な音声再生が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－０７２４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の回路装置では、低帯域の音が疑似的に出力されているものの、実際には低帯域の音は出力されていないので、高品質な音声再生のためには改善する余地がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る半導体装置の一態様は、
メモリーからサウンドデータを読み出すサウンドデータ読出回路と、
前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第１パルス幅変調信号を生成する第１パルス幅変調信号生成回路と、
前記サウンドデータに基づいて、パルス幅が変化する第２パルス幅変調信号を生成する第２パルス幅変調信号生成回路と、
を備え、
前記第１パルス幅変調信号は、第１圧電素子及び第１振動板を含む第１音出力器に音を出力させるための信号であり、
前記第２パルス幅変調信号は、第２圧電素子及び第２振動板を含み、前記第１音出力器よりも共振周波数が高い第２音出力器に音を出力させるための信号である。
【０００６】
本発明に係る電子機器の一態様は、
前記半導体装置の一態様と、
前記第１音出力器と、
前記第２音出力器と、
を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
第１実施形態の半導体装置及び音再生装置の構成例を示す図。
昇圧回路の構成例を示す図。
音出力器の斜視図。
音出力器の断面図。
人の音声の特性と音出力器の音再生特性との関係の一例を示す図。
パルス幅変調信号の一例を示す図。
第２実施形態の半導体装置及び音再生装置の構成例を示す図。
変形例の半導体装置及び音再生装置の構成例を示す図。
他の変形例の半導体装置及び音再生装置の構成例を示す図。
第１実施形態の半導体装置を用いた電子機器の構成例を示す機能ブロック図。
第２実施形態の半導体装置を用いた電子機器の構成例を示す機能ブロック図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【０００９】
１．半導体装置及び音再生装置
１－１．第１実施形態
図１は、第１実施形態の半導体装置２及び音再生装置１の構成例を示す図である。図１に示すように、音再生装置１は、半導体装置２、ＭＣＵ３、外部メモリー４、ｎ個の昇圧回路６－１～６－ｎ及びｎ個の音出力器７－１～７－ｎを備える。ＭＣＵは、Micro Controller Unitの略称である。ｎは２以上の整数である。
【００１０】
図１に示すように、半導体装置２は、ＭＣＵ３、外部メモリー４及びｎ個の昇圧回路６－１～６－ｎと接続されており、制御回路１０、サウンドデータ読出回路２０、メモリー３０、メモリーインターフェース回路４０及びｎ個のパルス幅変調信号生成回路５０－１～５０－ｎを備える。半導体装置２は、１チップの半導体集積回路装置であってもよいし、複数チップの半導体集積回路装置で構成されてもよいし、少なくとも一部が半導体集積回路装置以外の電子部品で構成されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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