特許ウォッチ

公開番号2025155781
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-14
出願番号2024221996
出願日2024-12-18
発明の名称配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法
出願人日東電工株式会社
代理人弁理士法人いくみ特許事務所
主分類H05K 3/24 20060101AFI20251002BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】端子上にはんだメッキ層を備える構成において、ウィスカの発生を抑制できる配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】
配線回路基板1は、端子131Aを有する回路パターン13と、端子131A上に配置されるはんだメッキ層15とを備える。端子131Aは、銅からなる導体層1311と、導体層1311を被覆する被覆層1312とを有する。被覆層1312は、金からなる表層1312Aを有する。はんだメッキ層15は、表層1312A上に配置され、錫と銀とを含有する。はんだメッキ層15中の銀の含有割合は、1質量%以上、20質量%未満である。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
端子を有する回路パターンと、
前記端子上に配置されるはんだメッキ層と
を備え、
前記端子は、銅からなる導体層と、前記導体層を被覆する被覆層とを有し、
前記被覆層は、金からなる表層を有し、
前記はんだメッキ層は、前記表層上に配置され、錫と銀とを含有し、
前記はんだメッキ層中の銀の含有割合は、１質量％以上、２０質量％未満である、配線回路基板。
続きを表示（約 660 文字）【請求項２】
前記はんだメッキ層中の銀の含有割合は、１５質量％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記はんだメッキ層中の銀の含有割合は、１０質量％以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記はんだメッキ層の厚みは、１０μｍ以上、１００μｍ以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記端子の先端と前記はんだメッキ層との間の距離は、１０μｍ以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記はんだメッキ層の厚みに対する前記距離の割合は、１以下である、請求項５に記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記はんだメッキ層の厚みに対する、前記はんだメッキ層中の錫の結晶粒の最大粒径の比率は、０．９５以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項８】
前記表層の厚みに対する、前記はんだメッキ層の厚みの比率は、１０以上である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記端子の幅は、３０μｍ以下である、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項１０】
金属支持層と、
前記金属支持層の厚み方向において前記金属支持層の一方側に配置される絶縁層とを、さらに備え、
前記回路パターンは、前記厚み方向において、前記絶縁層の一方側に配置される、請求項１に記載の配線回路基板。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 970 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、端子を有する導体層と、端子の表面に配置される金属保護層と、金属保護層上に配置される導電部材とを備える配線回路基板が知られている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２３－０２９２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記した特許文献１に記載の配線回路基板において、導体層が銅からなり、金属保護層がニッケルおよび金からなり、導電部材が錫からなる場合に、加熱による導体層の変形などが原因で金属保護層から導体層が露出してしまうと、導体層と導電部材とが合金化し、端子にウィスカが発生する可能性が考えられる。
【０００５】
本発明は、端子上にはんだメッキ層を備える構成において、ウィスカの発生を抑制できる配線回路基板、および、配線回路基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明［１］は、端子を有する回路パターンと、前記端子上に配置されるはんだメッキ層とを備え、前記端子が、銅からなる導体層と、前記導体層を被覆する被覆層とを有し、前記被覆層が、金からなる表層を有し、前記はんだメッキ層が、前記表層上に配置され、錫と銀とを含有し、前記はんだメッキ層中の銀の含有割合が、１質量％以上、２０質量％未満である、配線回路基板を含む。
【０００７】
本発明［２］は、前記はんだメッキ層中の銀の含有割合が、１５質量％以下である、上記［１］の配線回路基板を含む。
【０００８】
本発明［３］は、前記はんだメッキ層中の銀の含有割合が、１０質量％以下である、上記［１］の配線回路基板を含む。
【０００９】
本発明［４］は、前記はんだメッキ層の厚みが、１０μｍ以上、１００μｍ以下である、上記［１］～［３］のいずれか１つの配線回路基板を含む。
【００１０】
本発明［５］は、前記端子の先端と前記はんだメッキ層との間の距離が、１０μｍ以下である、上記［１］～［４］の配線回路基板を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許