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公開番号2025163727
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-30
出願番号2024067201
出願日2024-04-18
発明の名称コア基板及びその製造方法
出願人イビデン株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 3/40 20060101AFI20251023BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】導電層の厚みを調整するためのハーフエッチングの後、導電層の表面にピンホール不良が発生することを抑えるための技術を提供する。
【解決手段】絶縁性基材と、前記絶縁性基材の表裏の両側に積層される1対の導電層と、前記絶縁性基材を貫通するスルーホールと、前記スルーホール内にめっき充填されて前記1対の導電層の間を連絡するスルーホール導体と、を備えるコア基板であって、前記1対の導電層のそれぞれは、前記スルーホール導体と一体成形される第1の電解めっき層と、前記第1の電解めっき層上に積層される無電解めっき層と、さらにその上に積層される第2の電解めっき層と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
絶縁性基材と、前記絶縁性基材の表裏の両側に積層される１対の導電層と、前記絶縁性基材を貫通するスルーホールと、前記スルーホール内にめっき充填されて前記１対の導電層の間を連絡するスルーホール導体と、を備えるコア基板であって、
前記１対の導電層のそれぞれは、前記スルーホール導体と一体成形される第１の電解めっき層と、前記第１の電解めっき層上に積層される無電解めっき層と、さらにその上に積層される第２の電解めっき層と、を含む。
続きを表示（約 770 文字）【請求項２】
請求項１に記載のコア基板であって、前記第１の電解めっき層には絶縁性異物が付着しており、
前記無電解めっき層は、前記第１の電解めっき層及び前記絶縁性異物上に積層される。
【請求項３】
請求項１に記載のコア基板であって、
前記第２の電解めっき層の上面は、ハーフエッチングされる被エッチング面になっている。
【請求項４】
請求項１に記載のコア基板であって、
前記１対の導電層のそれぞれには、前記絶縁性基材の表面に形成される金属箔と、前記第１電解めっき層の給電用に前記金属箔の上に形成される給電用無電解めっき層と、が備えられる。
【請求項５】
請求項１に記載のコア基板であって、
前記スルーホールは両端部より中間部の内径が小さい形状をなしている。
【請求項６】
請求項１から５の何れか１の請求項に記載のコア基板の製造方法であって、
前記スルーホール導体を形成するとともに、前記第１の電解めっき層が積層される第１電解めっき工程と、
前記無電解めっき層が積層される無電解めっき工程と、
前記第２の電解めっき層が積層される第２電解めっき工程と、が順に行われることを含む。
【請求項７】
請求項６に記載のコア基板の製造方法であって、
前記第２電解めっき工程の後に、前記導電層の厚みを調整する工程を含む。
【請求項８】
請求項７に記載のコア基板の製造方法であって、
前記導電層の厚みを調整する工程は、ハーフエッチングである。
【請求項９】
請求項６に記載の配線基板の製造方法であって、
前記スルーホールは、レーザーによって形成される。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、コア基板及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来のコア基板の製造方法として、スルーホール内がめっき充填されたスルーホール導体の形成と共に、絶縁性基材の表裏の両面に１対の導電層が形成されるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－９３９３４号公報（段落［００２０］、図４）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来のコア基板の製造方法においては、スルーホール内のめっき充填後に、導電層の厚みを調整するためにハーフエッチングが行われることがある。そのハーフエッチングの後、導電層の表面にピンホール不良が発生することがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
発明の一態様は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の表裏の両側に積層される１対の導電層と、前記絶縁性基材を貫通するスルーホールと、前記スルーホール内にめっき充填されて前記１対の導電層の間を連絡するスルーホール導体と、を備えるコア基板であって、前記１対の導電層のそれぞれは、前記スルーホール導体と一体成形される第１の電解めっき層と、前記第１の電解めっき層上に積層される無電解めっき層と、さらにその上に積層される第２の電解めっき層と、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１は、第１実施形態に係るコア基板の拡大断面図
図２Ａは、絶縁性基材の断面図、図２Ｂは、第１の無電解めっき層が形成されたコア基板の断面図、図２Ｃは、第１の電解めっき層が形成されたコア基板の断面図
図３Ａは、第２の無電解めっき層が形成されたコア基板の断面図、図３Ｂは、第２の電解めっき層が形成されたコア基板の断面図、図３Ｃは、被エッチング面が形成されたコア基板の断面図
図４Ａは、従来のコア基板の拡大断面図、図４Ｂは、従来のコア基板の拡大断面図
図５Ａは、コア基板の拡大断面図、図５Ｂは、コア基板の拡大断面図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
［第１実施形態］
図１から図３、及び図５を参照して、第１実施形態に係るコア基板１０およびその製造方法について説明する。図１に示すように、コア基板１０には、絶縁性基材１１と、その表裏に積層される１対の導電層２０とが備えられている。
【０００８】
絶縁性基材１１は、例えば、プリプレグであり、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等）を含浸させたガラスクロスである。なお、絶縁性基材１１として、例えばビルドアップ基板用の絶縁フィルム（芯材を有さず、例えば、無機フィラーを含む熱硬化性樹脂からなるフィルム）が使用されていてもよい。
【０００９】
絶縁性基材１１には、スルーホール１２Ｈが貫通形成されている。スルーホール１２Ｈは、絶縁性基材１１の表裏の両側から、絶縁性基材１１の厚み方向の中央に向かうにつれて縮径するテーパー状である。また、スルーホール１２Ｈの内部には、スルーホール導体１２が充填されている。なお、スルーホール１２Ｈは、両端部分よりも中間部分が小径になっていてもよいし、均一な径になっていてもよい。
【００１０】
１対の導電層２０は、それぞれ、銅箔１３、第１及び第２の無電解めっき層１６Ａ，１６Ｂ、第１及び第２の電解めっき層１４，１５を含む多層構造になっている。第１及び第２の無電解めっき層１６Ａ，１６Ｂは、例えば、無電解銅めっき層であり、第１及び第２の電解めっき層１４，１５は、例えば、電解銅めっき層である。なお、無電解めっきは、一般に化学めっきとも呼ばれている。
（【００１１】以降は省略されています）

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