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公開番号2025150485
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-09
出願番号2024051385
出願日2024-03-27
発明の名称配線基板
出願人イビデン株式会社
代理人弁理士法人朝日奈特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20251002BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】配線基板の品質向上。
【解決手段】実施形態の配線基板1は、第1ビルドアップ部10と、第1ビルドアップ部10の第1面10aに接するソルダーレジスト層81と、ソルダーレジスト層81から第1面10aと反対方向に突出する金属ポスト7と、を含んでいる。第1ビルドアップ部10は、第1面10aを構成する第1絶縁層51と、ソルダーレジスト層81における第1面10aとの接触面上に形成されていて第1導体パッド411を含んでいる第1導体層41と、を含み、金属ポスト7は、第1導体パッド411に接続されているベースめっき層71を含み、ベースめっき層71は、ソルダーレジスト層81の開口81h内に形成されている貫通部711と、ソルダーレジスト層81から突出しているパッド部712と、を含んでいる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
積層されている導体層及び絶縁層によって構成されていて、互いに反対側を向く第１面及び第２面を有する第１ビルドアップ部と、
前記第１ビルドアップ部の前記第１面に接するソルダーレジスト層と、
前記ソルダーレジスト層から前記第１面と反対方向に突出する金属ポストと、
を含んでいる配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は、
前記第１面を構成する第１絶縁層と、
前記ソルダーレジスト層における前記第１面との接触面上に形成されていて第１導体パッドを含んでいる第１導体層と、
を含み、
前記金属ポストは、前記第１導体パッドに接続されているベースめっき層を含み、
前記ベースめっき層は、前記ソルダーレジスト層の開口内に形成されている貫通部と、前記ソルダーレジスト層から突出しているパッド部と、を含んでいる。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
請求項１記載の配線基板であって、
前記第１ビルドアップ部は、
前記第１絶縁層における前記第２面側の表面に形成されている第２導体パッドと、
前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体パッドと前記第２導体パッドとを接続しているビア導体と、
をさらに含み、
前記第１導体パッドとの界面での前記ベースめっき層の前記貫通部の幅は、前記ソルダーレジスト層における前記第１ビルドアップ部側と反対側の表面での前記貫通部の幅よりも小さく、
前記第１導体パッドとの界面における前記ビア導体の幅は、前記第２導体パッドとの界面における前記ビア導体の幅よりも小さい。
【請求項３】
請求項２記載の配線基板であって、
前記ベースめっき層の前記貫通部と前記ビア導体には、互いに逆向きにテーパが付けられている。
【請求項４】
請求項２記載の配線基板であって、前記ソルダーレジスト層の前記表面での前記ベースめっき層の前記貫通部の幅は、前記第２導体パッドとの界面での前記ビア導体の幅よりも大きい。
【請求項５】
請求項２記載の配線基板であって、
前記第１導体パッドの幅は、前記ベースめっき層の前記パッド部の幅よりも大きく、
前記ベースめっき層の前記パッド部の幅は前記第２導体パッドの幅よりも大きい。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板であって、前記第２導体パッド全体が平面視で前記ベースめっき層の前記パッド部に重なっており、前記パッド部全体が平面視で前記第１導体パッドに重なっている。
【請求項７】
請求項２記載の配線基板であって、前記第１導体層と前記第１絶縁層との積層方向において、前記ベースめっき層の前記貫通部の長さは前記ビア導体の長さよりも長い。
【請求項８】
請求項１記載の配線基板であって、前記金属ポストは、さらに、前記ベースめっき層の上に形成されているトップめっき層を含んでいる。
【請求項９】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体層は、前記ソルダーレジスト層に接する第１金属膜と、前記第１金属膜における前記第２面側の表面上に形成されている第２金属膜とを含んでいる。
【請求項１０】
請求項１記載の配線基板であって、前記第１導体パッドにおける前記ソルダーレジスト層側の表面と、前記第１絶縁層における前記ソルダーレジスト層側の表面とが略面一である。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、支持基板の表面に導体層及び絶縁層を交互に形成することによって製造される、コア基板を有さないビルドアップ配線基板が開示されている。支持基板の表面には金属膜が備えられており、その金属膜をシード層として用いる電解めっきによって、最外層の導体層が形成される。支持基板の除去によって露出する表面（部品実装面）は、絶縁層、及び絶縁層に埋め込まれた導体パッドによって構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２４－１５８６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示の配線基板では、支持基板の表面の金属膜上に最外層の導体層が形成されるため、最外層の導体層における個々の導体パターン同士が短絡された状態で、所望の層数の導体層及び絶縁層が順次形成される。従って、所望の層数の導体層及び絶縁層の形成後に支持基板及び金属膜が除去されるまで、最外層の導体層に含まれていて、設計上、分離されている導体パターン同士の短絡の電気的な検査（ショートチェック）ができないと考えられる。また、そのような最外層の導体層の導体パターンに接続されている内層導体層の導体パターンの間のショートチェックも行えないことがある。そのため、外観検査が必要になることや、支持基板上の複数の製品エリアそれぞれに配線基板が形成されていても、支持基板の除去に伴う個片化後にしかショートチェックを行えないことがある。結果として、品質検査が効率的に行われていないことがある。また、特許文献１の配線基板では、部品実装面に露出している導体パッドが狭いピッチで並んでいる場合、それら導体パッドと実装部品との間で高い接続信頼性を確保するのが困難なことがある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の配線基板は、積層されている導体層及び絶縁層によって構成されていて、互いに反対側を向く第１面及び第２面を有する第１ビルドアップ部と、前記第１ビルドアップ部の前記第１面に接するソルダーレジスト層と、前記ソルダーレジスト層から前記第１面と反対方向に突出する金属ポストと、を含んでいる。そして、前記第１ビルドアップ部は、前記第１面を構成する第１絶縁層と、前記ソルダーレジスト層における前記第１面との接触面上に形成されていて第１導体パッドを含んでいる第１導体層と、を含み、前記金属ポストは、前記第１導体パッドに接続されているベースめっき層を含み、前記ベースめっき層は、前記ソルダーレジスト層の開口内に形成されている貫通部と、前記ソルダーレジスト層から突出しているパッド部と、を含んでいる。
【０００６】
本発明の実施形態によれば、効率的で十分なショートチェックが可能であるため、配線基板の品質を高めることができると推察される。また、金属ポスト及びソルダーレジスト層によって、狭いピッチで並ぶ導体パッドと実装部品との間の良好な接続信頼性の確保が可能なことがある。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
図１の配線基板のII部の拡大図。
実施形態の配線基板における金属ポストと導体パッドとビア導体との重なり状態の一例を示す平面図。
図１の配線基板における金属ポストの変形例を拡大して示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
第２実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の第２実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
製造工程中の第２実施形態の配線基板の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜実施形態の配線基板の基本構成＞
本発明の実施形態の配線基板が図面を参照しながら説明される。図１には、実施形態の配線基板の一例である配線基板１が示されており、図２には、図１の配線基板１のII部の拡大図が示されている。なお、以下の説明において参照される各図面に例示される配線基板は実施形態の配線基板の一例に過ぎない。実施形態の配線基板の積層構造は、各図面に示される配線基板の積層構造に限定されず、実施形態の配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの層数は、各図面に示される配線基板に含まれる導体層及び絶縁層それぞれの層数に限定されない。実施形態の配線基板は、各図面に示される配線基板が有する絶縁層及び導体層に加えて、任意の数の絶縁層及び導体層を含んでもよく、各図面に示される配線基板が有する絶縁層及び導体層の全てを含まないこともある。なお、以下の説明で参照される各図面では、開示される実施形態が理解され易いように特定の部分が拡大して描かれていることがある。従って、各構成要素が、大きさや長さに関して互いの間の正確な比率で描かれていない場合がある。
【０００９】
図１に示されるように、配線基板１は、互いに反対側を向く第１面１０ａ及び第２面１０ｂを有するビルドアップ部１０（第１ビルドアップ部）と、ソルダーレジスト層８１と、ソルダーレジスト層８１からビルドアップ部１０の第１面１０ａと反対方向に突出する金属ポスト７と、を含んでいる。金属ポスト７は、ベースめっき層７１を含んでいる。ソルダーレジスト層８１は、ビルドアップ部１０の第１面１０ａに接している。ビルドアップ部１０の第１面１０ａ及び第２面１０ｂは、ビルドアップ部１０の厚さ方向と直交する、ビルドアップ部１０の２つの主面であり、ビルドアップ部１０における互いに反対方向を向く２つの表面である。図１の配線基板１は、さらに、ソルダーレジスト層８２を含んでいる。配線基板１において、ソルダーレジスト層８１が設けられている側の表面は、例えば半導体集積回路装置などの部品（図示せず）が実装される部品実装面である。
【００１０】
ビルドアップ部１０は、交互に積層されている導体層及び絶縁層によって構成されている。図１の配線基板１においてビルドアップ部１０は、絶縁層５１～５２と、導体層４１～４３と、ビア導体６１～６２と、を含んでいる。ビルドアップ部１０において、ソルダーレジスト層８１と接している第１面１０ａから第２面１０ｂに向かって、導体層４１（第１導体層）、絶縁層５１（第１絶縁層）、及び導体層４２（第２導体層）が順に形成されている。さらに、導体層４２上及び絶縁層５１における第２面１０ｂ側に、絶縁層５２と導体層４３とが交互に形成され、全部で４組の絶縁層５２及び導体層４３が積層されている。ビア導体６１～６２のうちのビア導体６１（第１ビア導体）は、絶縁層５１を貫通して、導体層４１と導体層４２とを接続している。また、ビア導体６２は、それぞれ、絶縁層５２を貫通して、導体層４２と導体層４３とを接続するか、導体層４３同士を接続している。
（【００１１】以降は省略されています）

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