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公開番号
2025148133
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-10-07
出願番号
2024048745
出願日
2024-03-25
発明の名称
CHA型ゼオライトの製造方法
出願人
東ソー株式会社
代理人
主分類
C01B
39/48 20060101AFI20250930BHJP(無機化学)
要約
【課題】
構造指向剤としてN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを使用して得られる従来のCHA型ゼオライトと比べ、シラノール欠陥量が少ない結晶性に優れたCHA型ゼオライトが得られる製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
N,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオン源、アルミナ源、シリカ源、ナトリウム源、希土類元素源及び水を含み、アルミナに対するシリカのモル比が8以上25以下である組成物を結晶化して結晶化物を得る結晶化工程、結晶化物を400℃以上700℃以下で焼成して焼成物を得る焼成工程、並びに、焼成物と、アンモニウム塩含有溶液とを接触させるアルカリ除去工程、を有するCHA型ゼオライトの製造方法を提供する。
【選択図】 なし
特許請求の範囲
【請求項1】
N,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオン源、アルミナ源、シリカ源、ナトリウム源、希土類元素源及び水を含み、アルミナに対するシリカのモル比が8以上25以下である組成物を結晶化して結晶化物を得る結晶化工程、結晶化物を400℃以上700℃以下で焼成して焼成物を得る焼成工程、並びに、焼成物と、アンモニウム塩含有溶液とを接触させるアルカリ除去工程、を有するCHA型ゼオライトの製造方法。
続きを表示(約 530 文字)
【請求項2】
前記組成物が少なくとも以下のモル組成を有する、請求項1に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
SiO
2
/Al
2
O
3
比 :3以上25以下
TACH
+
/SiO
2
比 :0.01以上0.5以下
Na/SiO
2
比 :0超0.60以下
RE/SiO
2
比 :0超0.05以下
H
2
O/SiO
2
比 :3以上50以下
OH/SiO
2
比 :0.10以上1.50以下
ただし、TACH
+
はN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを表し、REは希土類元素を表す。
【請求項3】
前記組成物が、N,N,N-トリアルキルアダマンタンアンモニウムカチオン源、トリメチルベンジルアンモニウムカチオン源及びテトラエチルアンモニウムカチオン源の群から選ばれる1以上を含む、請求項1又は2に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示はN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを構造指向剤として使用して得られるCHA型ゼオライトの製造方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
人工的に合成されたCHA型ゼオライトは、窒素酸化物還元触媒や、石化触媒などの触媒として使用されている。これまで、種々のCHA型ゼオライトの製造方法が提案されており、N,N,N-トリメチル-1-アダマンタンカチオン等の高価な構造指向剤を使用する製造方法や、N,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオン等の安価な構造指向剤を使用するCHA型ゼオライトの製造方法が提案されている(例えば、特許文献1及び2)。
【0003】
CHA型ゼオライトにおいて、これを構成する骨格のシラノール欠陥が少なくなるほど、含水蒸気雰囲気下で耐熱性が高くなる傾向がある。しかしながら、アルミニウム量が多いゼオライトは高温の水蒸気にさらされると骨格からのアルミニウムの脱離(脱アルミニウム)が発生し、シラノール欠陥が増加し、触媒活性が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
米国特許2008/0045767号
米国特許2019/0105639号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、構造指向剤としてN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを使用して得られる従来のCHA型ゼオライトと比べ、シラノール欠陥量が少ない結晶性に優れたCHA型ゼオライトが得られる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、N,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを構造指向剤として使用するCHA型ゼオライトの製造方法において、結晶化の条件に着目して検討した。その結果、結晶化に供する組成物に特定の元素を含有させることで、欠陥量が少なくなることを見出した。
【0007】
すなわち、本発明は特許請求の範囲のとおりであり、また、本開示の要旨は以下のとおりである。
[1] N,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオン源、アルミナ源、シリカ源、ナトリウム源、希土類元素源及び水を含み、アルミナに対するシリカのモル比が8以上25以下である組成物を結晶化して結晶化物を得る結晶化工程、結晶化物を400℃以上700℃以下で焼成して焼成物を得る焼成工程、並びに、焼成物と、アンモニウム塩含有溶液とを接触させるアルカリ除去工程、を有するCHA型ゼオライトの製造方法。
[2] 前記組成物が少なくとも以下のモル組成を有する、前記[1]に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
【0008】
SiO
2
/Al
2
O
3
比 :3以上25以下
TACH
+
/SiO
2
比 :0.01以上0.5以下
Na/SiO
2
比 :0超0.60以下
RE/SiO
2
比 :0超0.05以下
H
2
O/SiO
2
比 :3以上50以下
OH/SiO
2
比 :0.10以上1.50以下
ただし、TACH
+
はN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを表し、REは希土類元素を表す。
[3] 前記組成物が、N,N,N-トリアルキルアダマンタンアンモニウムカチオン源、トリメチルベンジルアンモニウムカチオン源及びテトラエチルアンモニウムカチオン源の群から選ばれる1以上を含む、前記[1]又は[2]に記載のCHA型ゼオライトの製造方法。
【発明の効果】
【0009】
本開示により、構造指向剤としてN,N,N-トリアルキルシクロヘキシルアンモニウムカチオンを使用して得られる従来のCHA型ゼオライトと比べ、シラノール欠陥量が少ないCHA型ゼオライトが得られる製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
実施例1のイットリウムを含有するCHA型ゼオライトの走査型電子顕微鏡観察図である。
実施例2のイットリウムを含有するCHA型ゼオライトの走査型電子顕微鏡観察図である。
実施例3のイットリウムを含有するCHA型ゼオライトの走査型電子顕微鏡観察図である。
比較例1のイットリウムを含有するCHA型ゼオライトの走査型電子顕微鏡観察図である。
【発明を実施するための形態】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPat(特許庁公式サイト)で参照する
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