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公開番号2025143085
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-01
出願番号2024042816
出願日2024-03-18
発明の名称受光素子
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H10F 39/18 20250101AFI20250924BHJP()
要約【課題】隣り合う画素間のクロストークを低減できる受光素子を提供する。
【解決手段】受光素子は、複数の画素を含む受光素子であって、主面を含む基板と、主面上に設けられた受光層と、複数の画素間に設けられた溝と、受光層上に設けられると共に複数の画素のそれぞれに設けられたコンタクト層と、を備える。受光層は、主面上に設けられた第1半導体層と、第1半導体層上に設けられた第2半導体層と、を含む。第1半導体層は、InGaAs層およびGaAsSb層を含むタイプIIの量子井戸層を含む。第2半導体層は、InGaAs層を含む。溝は、第2半導体層内に位置する底面を含む。受光層は、底面に位置する高抵抗領域を含む。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
複数の画素を含む受光素子であって、
主面を含む基板と、
前記主面上に設けられた受光層と、
前記複数の画素間に設けられた溝と、
前記受光層上に設けられると共に前記複数の画素のそれぞれに設けられたコンタクト層と、を備え、
前記受光層は、
前記主面上に設けられた第１半導体層と、
前記第１半導体層上に設けられた第２半導体層と、を含み、
前記第１半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層およびＧａＡｓＳｂ層を含むタイプＩＩの量子井戸層を含み、
前記第２半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層を含み、
前記溝は、前記第２半導体層内に位置する底面を含み、
前記受光層は、前記底面に位置する高抵抗領域を含む、受光素子。
続きを表示（約 340 文字）【請求項２】
前記溝は、前記高抵抗領域の幅よりも大きい幅を有する、請求項１に記載の受光素子。
【請求項３】
前記高抵抗領域は、前記第２半導体層の下面と同じかまたはそれよりも下方に位置する下面を含む、請求項１または請求項２に記載の受光素子。
【請求項４】
前記受光層は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた第３半導体層をさらに含み、
前記第３半導体層は、ベリリウムを含み、
前記高抵抗領域は、前記第３半導体層内に位置する下面を含む、請求項１または請求項２に記載の受光素子。
【請求項５】
前記高抵抗領域は、亜鉛または鉄のうち少なくとも一つを含む、請求項１または請求項２に記載の受光素子。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、受光素子に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１から３には、赤外線を検知する受光素子として、タイプＩＩの量子井戸層を有する受光層を備える受光素子が開示されている。受光素子においては、複数の画素間に溝が形成され、画素ごとにメサが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００１－１４４２７８号公報
特開２０１３－１７５６８６号公報
特開２０１５－１４９４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記受光素子では、隣り合う画素間のクロストークの低減が困難である。
【０００５】
本開示は、隣り合う画素間のクロストークを低減できる受光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一側面に係る受光素子は、複数の画素を含む受光素子であって、主面を含む基板と、前記主面上に設けられた受光層と、前記複数の画素間に設けられた溝と、前記受光層上に設けられると共に前記複数の画素のそれぞれに設けられたコンタクト層と、を備え、前記受光層は、前記主面上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた第２半導体層と、を含み、前記第１半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層およびＧａＡｓＳｂ層を含むタイプＩＩの量子井戸層を含み、前記第２半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層を含み、前記溝は、前記第２半導体層内に位置する底面を有し、前記受光層は、前記底面に位置する高抵抗領域を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、隣り合う画素間のクロストークを低減できる受光素子が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、一実施形態に係る受光素子を模式的に示す平面図である。
図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿った断面図である。
図３は、図１に示される受光素子と、読み出し回路基板とが接続された構造を示す断面図である。
図４は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図５は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図６は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図７は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図８は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図９は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図１０は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図１１は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図１２は、図１の受光素子を製造する方法における一工程を示す断面図である。
図１３は、本実施形態の変形例に係る受光素子を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態を列記して説明する。
【００１０】
（１）受光素子は、複数の画素を含む受光素子であって、主面を含む基板と、前記主面上に設けられた受光層と、前記複数の画素間に設けられた溝と、前記受光層上に設けられると共に前記複数の画素のそれぞれに設けられたコンタクト層と、を備え、前記受光層は、前記主面上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた第２半導体層と、を含み、前記第１半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層およびＧａＡｓＳｂ層を含むタイプＩＩの量子井戸層を含み、前記第２半導体層は、ＩｎＧａＡｓ層を含み、前記溝は、前記第２半導体層内に位置する底面を有し、前記受光層は、前記底面に位置する高抵抗領域を含む。
（【００１１】以降は省略されています）

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