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公開番号2025137451
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-19
出願番号2025030866
出願日2025-02-28
発明の名称デポジションガス
出願人ダイキン工業株式会社
代理人弁理士法人三枝国際特許事務所
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250911BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】本開示は、新たに、デポジションガスを提供する事を目的とする。
【解決手段】デポジションガス。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ハイドロフルオロエチレンを含有するデポジションガス。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記ハイドロフルオロエチレンは、ジフルオロエチレンである、請求項１に記載のデポジションガス。
【請求項３】
シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板の製造において、プラズマ処理のデポジション用である、請求項１に記載のデポジションガス。
【請求項４】
シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板の製造において、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）プロセスのデポジション用である、請求項１に記載のデポジションガス。
【請求項５】
半導体の製造用基板に対して、請求項１に記載のデポジションガスを用いて、デポジションを行う方法。
【請求項６】
前記基板は、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板であり、
請求項１に記載のデポジションガスを用いて、プラズマ処理のデポジションを行う、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板は、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板であり、
ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）プロセスにおいて、
請求項１に記載のデポジションガスを用いて、デポジションを行う、
請求項５に記載の方法。
【請求項８】
半導体の製造用基板に対して、デポジションを行う方法であって、
前記項１に記載のデポジションガスを用いて、
次の式を満たす条件で、堆積速度（ＤＲ）を調整する、方法。
（１）ソースパワーの面積密度：Ｗ／ｃｍ
２
の時
堆積速度（ＤＲ）＝－６．８＊１０
１４
＊ｘ
２
＋１．５＊１０
９
＊ｘ
（２）ソースパワーの体積密度：Ｗ／ｃｍ
３
の時
堆積速度（ＤＲ）＝－６．６＊１０
１９
＊ｘ
２
＋４．７＊１０
１１
＊ｘ
ｘ＝（デポジションガスの相対強度）＊（ソースパワー密度の二乗）
相対強度：四重極質量分析計（ＱＭＳ）を用いて、測定した所望のｍ／ｚのラジカル強度を、１≦ｍ／ｚ≦１５０（デポジションガスの分子量の２．５倍）の質量数のラジカル強度の総和で割った相対的な強度である。
ラジカル強度：（各質量数（ｍ／ｚ）の測定強度）＊（√ｍ）
ラジカル強度は、各質量数（ｍ／ｚ）の測定強度に√ｍを掛け、此れに依り、ＱＭＳが持っている計測感度の質量依存性を補正する。
ｍ：分子量
ｚ：ＱＭＳ内で電離した価数
ソースパワー密度：
ソースパワー：デポジションを行う時の誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）電力（単位：Ｗ）
（１）ソースパワー面積密度（単位：Ｗ／ｃｍ
２
）
（２）ソースパワー体積密度（単位：Ｗ／ｃｍ
３
）
ＣＨ
２
＝ＣＦ
２
（ｍ/ｚ＝６４）の相対強度＊（ソースパワー密度の二乗）
（１）プラズマ生成する誘電体窓の面積：２，６４０ｃｍ
２
（２）プラズマ生成する領域の体積：４６，６００ｃｍ
３
【請求項９】
前記ｘ＝（デポジションガスの相対強度）＊（ソースパワー密度の二乗）において、
ｘの範囲は、
ソースパワー密度を（１）ソースパワー面積密度（単位：Ｗ／ｃｍ
２
）で表す場合は、
４．０＊１０
－７
≦ x ≦ ２．０＊１０
－６
である、又は、
ソースパワー密度を（２）ソースパワー体積密度（単位：Ｗ／ｃｍ
３
）で表す場合は、
１．３＊１０
－９
≦ x ≦ ６．０＊１０
－９
である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のデポジションガスのガス噴出部を有する、半導体製造装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、デポジションガスに関する。
続きを表示（約 690 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、Ｃ
４
Ｆ
８
と２，３，３，３－テトラフルオロプロペンとの混合ガスのプラズマ処理用ガスを開示する。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
国際公開番号ＷＯ２０２２／０７４７０８Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、新たに、ハイドロフルオロエチレンを含有するデポジションガスを提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示は、以下の構成を包含する。
【０００６】
項１．
ハイドロフルオロエチレンを含有するデポジションガス。
【０００７】
項２．
前記ハイドロフルオロエチレンは、ジフルオロエチレンである、前記項１に記載のデポジションガス。
【０００８】
項３．
シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板の製造において、プラズマ処理のデポジション用である、前記項１に記載のデポジションガス。
【０００９】
項４．
シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を備える基板の製造において、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）プロセスのデポジション用である、前記項１に記載のデポジションガス。
【００１０】
項５．
半導体の製造用基板に対して、前記項１に記載のデポジションガスを用いて、デポジションを行う方法。
（【００１１】以降は省略されています）

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