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公開番号2025122894
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-22
出願番号2024018622
出願日2024-02-09
発明の名称基板の接合方法
出願人株式会社ディスコ
代理人個人,個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/02 20060101AFI20250815BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】第1基板と第2基板とを従来よりも精度よく接合することが可能な基板の接合方法を提供する。
【解決手段】第1基板及び第2基板の一方又は両方に接着層を形成する接着層形成ステップと、該接着層形成ステップの後、該第1基板と該第2基板とが該接着層を介して対向するように該第1基板と該第2基板とを配置し、大気圧よりも低い第1気圧下において該第1基板及び該第2基板の一方又は両方を該第1基板と該第2基板とが相対的に近づく方向に押圧することにより、該接着層を介して該第1基板と該第2基板とが一体となった仮接合基板を形成する仮接合ステップと、該仮接合ステップの後、該仮接合基板を該第1気圧よりも高い第2気圧下において加熱することにより、該第1基板と該第2基板とを接合する本接合ステップと、を含む基板の接合方法を提供する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
接着層を介して第１基板と第２基板とを接合する基板の接合方法であって、
該第１基板及び該第２基板の一方又は両方に該接着層を形成する接着層形成ステップと、
該接着層形成ステップの後、該第１基板と該第２基板とが該接着層を介して対向するように該第１基板と該第２基板とを配置し、大気圧よりも低い第１気圧下において該第１基板及び該第２基板の一方又は両方を該第１基板と該第２基板とが相対的に近づく方向に押圧することにより、該接着層を介して該第１基板と該第２基板とが一体となった仮接合基板を形成する仮接合ステップと、
該仮接合ステップの後、該仮接合基板を該第１気圧よりも高い第２気圧下において加熱することにより、該第１基板と該第２基板とを接合する本接合ステップと、を含む基板の接合方法。
続きを表示（約 220 文字）【請求項２】
該仮接合ステップでは、該接着層を第１温度まで加熱し、
該本接合ステップでは、該接着層を第２温度まで加熱し、
該第１温度は、該第２温度よりも低く、
該第２温度では、該接着層が軟化する請求項１に記載の基板の接合方法。
【請求項３】
該仮接合ステップでは、該第１基板の外周を含む領域と該第２基板の外周を含む領域とが該接着層を介して密着する請求項１又は２に記載の基板の接合方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の接合方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）によって区画された複数の領域にそれぞれ半導体デバイスが形成された基板（半導体ウェーハ）が用いられる。この基板をストリートに沿って分割することにより、半導体デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話機、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。
【０００３】
近年では、積層された複数の半導体デバイスを備えるデバイスチップ（積層デバイスチップ）を製造する技術が実用化されている。例えば、積層デバイスチップの製造方法として、ＷｏＷ（Wafer on Wafer）と称される手法が提案されている。
【０００４】
この手法では、２枚の基板（第１基板及び第２基板）を接合して積層し、積層された基板を貫通するように形成された電極（ＴＳＶ：Through-Silicon Via）で各基板が備える半導体デバイス同士を接続することにより、積層基板が形成される。この積層基板をストリートに沿って分割することにより、積層デバイスチップが製造される。
【０００５】
上記のように２枚の基板を接合する方法の一つとして、熱可塑性樹脂からなる接着剤（接着層）を用いた接合方法が知られている。この方法では、減圧環境下において接着剤が軟化する温度まで接着剤を加熱しながら、接着剤を介して第１基板と第２基板とを貼り合わせることにより、第１基板と第２基板とが接合される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特開２０１６－１００３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
第１基板と第２基板とを接合させる際には、高い接合精度が要求される。しかしながら、上記のように接着剤が軟化する温度まで接着剤を加熱しながら第１基板と第２基板とを接合する場合には、第１基板と第２基板とを精度良く接合することが難しい場合があった。
【０００８】
例えば、第１基板と第２基板とが互いに平行になるように両基板の配置（角度）が厳密に調節されないと、第１基板と第２基板とが非平行な状態のまま接着剤により接合されてしまい、接合精度が低下する。
【０００９】
そこで、第１基板と第２基板との接合には専用の接合装置が用いられることがある。接合装置は、第１基板及び第２基板を互いに向かい合わせた状態でそれぞれ保持可能な一対のステージを備えており、一対のステージの配置（角度）は第１基板と第２基板とが平行に保持されるように緻密に調節される。
【００１０】
そして、接合装置は、一対のステージによって第１基板と第２基板とを平行に保持した状態で、両基板を接近させて接合させる。このような接合装置を用いることにより、第１基板と第２基板との接合精度の向上を図ることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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