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公開番号2025106544
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-15
出願番号2025066940,2024155115
出願日2025-04-15,2012-09-11
発明の名称発光装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類G09G 3/3233 20160101AFI20250708BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果ト
ランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第1のゲート及び第2のゲート
を有し、第2のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果ト
ランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第2のゲート
と、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジス
タにおける第2のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との
間の電圧を保持する機能を有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１のトランジスタ乃至第５のトランジスタと、発光素子と、第１の配線乃至第３の配線を画素に有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極及び第２のゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、データ信号が供給される前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のゲート電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電位が供給される前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、前記第２のゲート電極に第２の電位を供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、前記データ信号の電位に応じて、前記第３の配線と前記発光素子の画素電極との間に流れる電流を制御する機能を有し、
第１の導電膜乃至第３の導電膜を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方としての機能を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記第２の導電膜と前記第３の導電膜との間に形成される容量は、前記第２の導電膜と前記第１の導電膜との間に形成される容量よりも大きい、
発光装置。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
第１のトランジスタ乃至第５のトランジスタと、発光素子と、第１の配線乃至第３の配線を画素に有し、
前記第１のトランジスタは、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域の下方に配置された領域を有する第１のゲート電極と、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域の上方に配置された領域を有する第２のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、データ信号が供給される前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のゲート電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の電位が供給される前記第２の配線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタは、前記第２のゲート電極に第２の電位を供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタは、前記データ信号の電位に応じて、前記第３の配線と前記発光素子の画素電極との間に流れる電流を制御する機能を有し、
第１の導電膜乃至第３の導電膜を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方としての機能を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２のゲート電極と電気的に接続され、
前記第２の導電膜は、前記発光素子の画素電極と電気的に接続され、
前記第２の導電膜と前記第３の導電膜との間に形成される容量は、前記第２の導電膜と前記第１の導電膜との間に形成される容量よりも大きい、
発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第５のトランジスタのそれぞれは、ｎチャネル型を有する、
発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３の配線は、前記画素に第３の電位を供給する機能を有し、
前記第３の電位は、前記第１の電位よりも高い、
発光装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、半導体装置に関する。また、本発明の一態様は、発光装置に関する。
また、本発明の一態様は、電子機器に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、電界効果トランジスタを用いた半導体装置の開発が進められている。
【０００３】
上記半導体装置としては、例えば上記電界効果トランジスタのソースとドレインの間に流
れる電流量を制御して所望の動作を行う半導体装置などが挙げられる（例えば特許文献１
）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－０８３０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置では、電界効果トランジスタにおける閾値電圧のばらつ
きの影響により、ソースとドレインの間に流れる電流量の制御が難しいといった問題があ
った。ソースとドレインの間に流れる電流量が制御できないと、半導体装置において例え
ば動作不良などが起こってしまう。
【０００６】
本発明の一態様では、動作不良を抑制すること、及び電界効果トランジスタの閾値電圧の
ばらつきによる影響を低減することの一つ又は複数を課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様では、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２の
ゲートを有する電界効果トランジスタを用いる。さらに、第２のゲートの電位を制御する
ことにより、電界効果トランジスタの閾値電圧を設定する。上記構成にすることにより、
動作時における電界効果トランジスタのソースとドレインの間に流れる電流量の制御を図
る。
【０００８】
本発明の一態様は、電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を備える半導体
装置である。
【０００９】
上記電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及
び第２のゲートを有する。電界効果トランジスタにおける閾値電圧の値は、第２のゲート
の電位に応じて変化する。また、電界効果トランジスタは、ノーマリオンであってもよい
。例えば、電界効果トランジスタは、デプレッション型トランジスタであってもよい。
【００１０】
上記スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トラン
ジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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