特許ウォッチ

公開番号2025104730
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-10
出願番号2023222745
出願日2023-12-28
発明の名称多層配線母材基板、多層配線基板、多層配線母材基板の製造方法および多層配線基板の製造方法
出願人TOPPANホールディングス株式会社
代理人弁理士法人第一国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20250703BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】本発明では、多層配線基板の製造工程中での位置ずれおよび剥離を抑制することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の多層配線母材基板の一つは、第1面および前記第1面に対向する第2面を有する複数のコア基板と、前記第1面上に形成された配線層である第1配線層と、前記第2面上に形成された配線層である第2配線層と、を有する多層配線母材基板であって、前記複数のコア基板は、各々のコア基板の間の間隙(以下、「個片化エリア」という。)に充填された樹脂材料によって接続されており、前記複数のコア基板のうち隣接するコア基板は、前記個片化エリアにおいて、前記複数のコア基板の材料と同じ材料の部材によって少なくとも一部が接続されている。
【選択図】図23
特許請求の範囲【請求項１】
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する複数のコア基板と、
前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、
を有する多層配線母材基板であって、
前記複数のコア基板は、各々のコア基板の間の間隙（以下、「個片化エリア」という。）に充填された樹脂材料によって接続されており、
前記複数のコア基板のうち隣接するコア基板は、前記個片化エリアにおいて、前記複数のコア基板の材料と同じ材料の部材によって少なくとも一部が接続されている
ことを特徴とする多層配線母材基板。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
第１面および前記第１面に対向する第２面を有するコア基板と、
前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と、
を有する多層配線基板であって
前記多層配線基板の側面は、
前記コア基板が露出している部分（以下、「露出部分」という。）と、
前記コア基板の材料と異なる物質で覆われている部分（以下、「被覆部分」という。）とを有する
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項３】
前記被覆部分は、樹脂または金属を含む物質によって構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記多層配線基板の側面の面積の内、前記被覆部分の面積が３０％以上９９％以下である、
ことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項５】
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する複数のコア基板と、
前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と
を有する多層配線母材基板の製造方法であって、
前記コア基板の母材である母材基板にレーザ改質部を形成し、
前記レーザ改質部をエッチングすることによって、
前記母材基板を複数のコア基板に分離する分離溝を形成し、
前記分離溝に、前記母材基板の一部を残存させる
ことを特徴とする多層配線母材基板の製造方法。
【請求項６】
前記分離溝を形成するエッチングは、
下面視にて個片化ラインのボトム部のみにコア部材を残った状態でエッチングを停止する
ことを特徴とする請求項５に記載の多層配線母材基板の製造方法。
【請求項７】
前記レーザ改質部をエッチングした後に、
前記分離溝にそって多層配線母材基板を個片化する
ことを特徴とする請求項５に記載の多層配線母材基板の製造方法。
【請求項８】
第１面と第２面を有する母材基板と、
前記第１面上に形成された配線層を含む領域である第１配線層領域と、
前記第２面上に形成された配線層を含む領域である第２配線層領域と、
前記母材基板を複数のコア基板に分離する個片化エリアと、
前記個片化エリアには、前記複数のコア基板のうち隣接するコア基板を接続するコア材料部を有する、
ことを特徴とする多層配線母材基板。
【請求項９】
第１面および前記第１面に対向する第２面を有する複数のコア基板と、
前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、
前記第２面上に形成された配線層である第２配線層と
を有する多層配線基板の製造方法であって、
前記コア基板の母材である母材基板にレーザ改質部を形成し、
前記レーザ改質部をエッチングし、
前記母材基板を前記複数のコア基板に分離する分離溝を形成し、
前記分離溝には、前記母材基板の一部を残存させる
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線母材基板、多層配線基板、多層配線母材基板の製造方法および多層配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 3,600 文字）【背景技術】
【０００２】
ＦＣ－ＢＧＡ（Flip Chip-Ball Grid Array）基板等の多層配線基板は、プロセッサ等の半導体装置とプリント基板との間を電気的に接続するインターポーザ基板である。半導体装置の高集積化の要求に伴い、多層配線基板の配線構造も高密度化が進行している。
【０００３】
従来、配線基板の材料としては、ガラスエポキシ樹脂に代表される有機材料が一般的に用いられていた。近年、ガラス材料への穴あけ技術の進歩により、例えば、３００μｍ厚のガラス基板に対して１００μｍ以下の小径スルーホールを１５０μｍピッチ以下で形成することが可能となっている。このことから、電子回路基板の材料としてガラスに注目が集まっている。
ガラス材料を多層配線基板のコア基板に用いる場合、母材基板となるガラス基板を支持体に貼付したうえで、複数のコア基板に分割し、分割した基板部分の間に樹脂部材を充填し固定したのちに、複数のコア基板に対してリソグラフィ処理等を用いて配線層などを形成する製造方法が採用されている。
また、特許文献１には、受動素子を内蔵化した多層基板及びその製造方法において、受動素子の高性能化、高精度化を実現することができる多層基板及びその製造方法を提供することを目的として、多層基板及びその製造方法として次の内容を示している。
「セラミックス多層基板は４つのブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４に区分され、ブロックＢ１はＡｌＮからなる２層の絶縁層が積層され、ブロックＢ２は高純度アルミナからなる２層の絶縁層が積層されて、その上層の絶縁層上に抵抗素子Ｒ１、Ｒ２が形成されており、ブロックＢ３はガラスセラミックからなる１層の絶縁層であり、その絶縁層上にキャパシタＣ１、Ｃ２が形成されており、ブロックＢ４はジルコニアからなる４層の絶縁層が積層されている。これらブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４は各ブロック間に介在する絶縁性接合材１１及び導電性接合材１２によって機械的及び電気的に接合されている」。
この技術では、受動素子を印刷や真空成膜法等で形成することで多層基板内に内蔵させている。そして、小型化に加えて配線長が短くなることにより、高周波ノイズを軽減する効果も得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０００－１５１１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
高密度の配線構造を実現するためには、配線を形成する場合の加工精度を高く維持する必要がある。支持体に貼付されているコア基板であっても、位置ずれが発生する場合には、加工精度が低下する可能性がある。また、支持体からコア基板が剥離する場合には、多層配線基板の製造が行われず、歩留まりが低下する可能性がある。
しかし、先行技術においては、いずれにおいても、ダイシングの際の位置ずれや、ガラス基板と支持基板との間の剥離防止については、十分検討されておらず、ガラス材料を多層配線基板のコア基板に用いる場合の製造上の課題を解決することはできなかった。
【０００６】
そこで、本発明では、多層配線基板の製造工程中での位置ずれおよび剥離を抑制することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、代表的な本発明の多層配線母材基板の一つは、第１面および前記第１面に対向する第２面を有する複数のコア基板と、前記第１面上に形成された配線層である第１配線層と、前記複数のコア基板は、前記コア基板の各々の間に配置された間隙（以下、「個片化エリア」という。）に充填された樹脂材料によって接続されており、前記複数のコア基板のうち隣接するコア基板は、前記コア基板と同じ材料の部材によって少なくとも一部が繋がっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、多層配線基板の製造工程中での位置ずれおよび剥離を抑制することが可能となる。上記した以外の課題、構成および効果は、以下の実施をするための形態における説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、母材基板からコア基板を分離する場合を模式的に示す図である。
図２は、レーザ照射部の位置と空洞部の重複率との関係を説明する図である。
図３は、２本の個片化ラインの間に連続する空洞部を形成する場合の一例を示す図である。
図４は、個片化ラインの分離溝を離間した空洞部の集合として形成した場合の一例を示す図である。
図５は、図４（ｃ）に示したＡ－Ａ´（個片化ライン）における断面図の他の形状の例を示す図である。
図６は、個片化ラインの外観を平面図で見た場合のバリエーションを模式的に示す図である。
図７は、図６の個片化エリアのバリエーションを模式図として示したものである。
図８は、コア材料部の配置箇所を模式的に示す図である。
図９は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体の接着工程を説明する断面図である。
図１０は、第１実施形態に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。
図１１は、第１実施形態に係る製造方法において、第１配線層の形成工程を説明する断面図である。
図１２は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の接着工程を説明する断面図である。
図１３は、第１実施形態に係る製造方法において、第１支持体の剥離工程を説明する断面図である。
図１４は、第１実施形態に係る製造方法において、エッチングによる貫通孔の形成工程を説明する断面図である。
図１５は、分離溝を形成した場合の下面図（ｚ軸マイナス方向から見た図）である。
図１６は、図１５の領域Ｒ１を拡大して示す図である。
図１７は、第１実施形態に係る製造方法において、第２配線層の形成工程を説明する断面図である。
図１８は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の剥離工程を説明する断面図である。
図１９は、第１実施形態に係る製造方法において、第２支持体の剥離工程が行われた後を示す断面図である。
図２０は、第１実施形態に係る製造方法において、ビルドアップ層の形成工程を説明する断面図である。
図２１は、第１実施形態に係る製造方法において、接続パッドの形成工程を説明する断面図である。
図２２は、第１実施形態に係る製造方法において、個片化工程を説明する断面図である。
図２３は、第１実施形態に係る多層配線基板を示す断面図である。
図２４は、第１実施形態に係る多層基板配線のうち、貫通電極の構造を示す断面図である。
図２５は、第１実施形態に係る製造方法のフローチャートを示す図である。
図２６は、第１変形例に係る製造方法において、レーザ改質箇所を説明する断面図である。
図２７は、第１変形例に係る製造方法において、レーザ改質部の形成工程を説明する断面図である。
図２８は、第１変形例に係る製造方法において、エッチングによるコア材料除去の工程を説明する断面図である。
図２９は、第１変形例に係る製造方法において、ビルドアップ層の形成工程を説明する断面図である。
図３０は、第１変形例に係る製造方法のフローチャートを示す図である。
図３１は、第２変形例に係る多層配線基板を示す断面図およびインダクタの概要図である。
図３２は、第１実施形態に係る位置ずれ測定時の断面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
なお、以下の説明は、本発明の一例に関するものであり、本発明はこれらによって限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付して示している。
図面において示す各構成要素の位置、大きさ、形状、範囲などは、発明の理解を容易にするため、実際の位置、大きさ、形状、範囲などを表していない場合がある。このため、本発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、形状、範囲などに限定されない。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許