特許ウォッチ

公開番号2025104260
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2024198678
出願日2024-11-14
発明の名称表示装置
出願人エルジーディスプレイカンパニーリミテッド
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類G09F 9/302 20060101AFI20250702BHJP(教育;暗号方法;表示;広告;シール)
要約【課題】開口率および解像度が向上した表示装置を提供する。
【解決手段】一実施例の表示装置は、複数のサブ画素からなる複数の画素を含む基板と、前記複数のサブ画素の各々に配置される第1発光素子と、前記サブ画素の各々に配置され、前記第1発光素子を駆動する第1トランジスタと、前記複数のサブ画素の互いに隣接するサブ画素間に配置される第2発光素子と、前記複数のサブ画素間に配置され、前記第2発光素子を駆動する第2トランジスタで構成され、前記基板と前記第2発光素子との間におけるギャップが、前記第1発光素子と前記基板との間におけるギャップより大きい。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
複数のサブ画素領域をそれぞれが有する複数の画素領域を含む基板と、
前記複数のサブ画素領域のそれぞれに配置される第１発光素子と、
前記第１発光素子を駆動する第１トランジスタと、
前記複数のサブ画素領域の互いに隣接する前記サブ画素領域間に配置される第２発光素子と、
前記複数のサブ画素領域間に配置され、前記第２発光素子を駆動する第２トランジスタとを備え、
前記基板と前記第２発光素子との間におけるギャップが、前記第１発光素子と前記基板との間におけるギャップより大きい、表示装置。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記サブ画素領域間に配置されるバンク層をさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記バンク層は、前記バンク層を貫通して形成された複数の開口領域を含み、前記複数のサブ画素領域は、前記複数の開口領域に対応する、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１発光素子は、前記複数の開口領域のそれぞれに配置される、請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２発光素子は、前記バンク層上に配置される、請求項２～４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１発光素子は、
前記複数のサブ画素領域のそれぞれに配置される第１電極と、
前記第１電極上に配置される第１発光層と、
前記第１発光層上に配置される第２電極とを含む、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２発光素子は、
前記バンク層上に配置される第３電極と、
前記第３電極上に配置される第２発光層と、
前記第２発光層上に配置される第４電極とを含む、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極および前記第４電極は一体に形成される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記バンク層と前記第２発光素子との間には、第１パターンおよび第２パターンが配置される、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、前記バンク層上において段差を形成するオーバーハング構造を有する、請求項９に記載の表示装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本明細書は、開口率および解像度が向上した表示装置に関するものである。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディアが発達するに伴い、表示装置の重要性が高まっている。表示装置としては、液晶表示装置や有機電界発光表示装置などといった様々な表示装置が提案されている。
【０００３】
表示装置は、複数のサブ画素を含み、各々のサブ画素に表示素子が備えられることで映像を表示する。ところが、従来の表示装置では、サブ画素を区画するための構造物が必要となるが、このような構造物は、映像が表示されない領域である。そのため、かかる構造物により表示装置の開口率が低下し、高解像度の実現を妨害する要因となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本明細書は、開口率が向上し、高解像度が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一実施例の表示装置は、複数のサブ画素からなる複数の画素を含む基板と、サブ画素の各々に配置される第１トランジスタと、複数のサブ画素間に配置される第２トランジスタと、サブ画素の各々に配置される第１発光素子と、複数のサブ画素間に配置される第２発光素子とを備え、基板と第２発光素子との間におけるギャップが、第１発光素子と基板との間におけるギャップより大きい。
【０００６】
サブ画素間にはバンク層が配置され、第２発光素子はバンク層上に配置される。
【０００７】
第１発光素子は、各々のサブ画素に配置される第１電極と、第１電極上に配置される第１発光層と、第１発光層上に配置される第２電極とを含み、第２発光素子は、バンク層上に配置される第３電極と、第３電極上に配置される第２発光層と、第２発光層上に配置される第４電極とを含む。第２電極と第４電極は、一体で形成される。
【０００８】
バンク層と第２発光素子との間には、オーバーハング構造の第１パターンおよび第２パターンが配置され、第１発光層および第２発光層は、前記オーバーハング構造のため断線する。
【０００９】
第１トランジスタは、バッファ層上に配置される第１半導体層と、第１半導体層上に配置されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に配置される第１ゲート電極と、第１ゲート電極上に配置される層間絶縁層と、層間絶縁層上に配置される第１ソース電極および第１ドレイン電極とを含み、第２トランジスタは、バッファ層上に配置される第２半導体層と、第２半導体層上に配置されるゲート絶縁層と、ゲート絶縁層上に配置される第２ゲート電極と、第２ゲート電極上に配置される層間絶縁層と、層間絶縁層上に配置される第２ソース電極および第２ドレイン電極とを含む。
【００１０】
第１トランジスタおよび第２トランジスタ上には、平坦化層が形成される。第１ドレイン電極は、平坦化層に形成される第１コンタクトホールを介し、第１電極と電気的に接続され、第２ドレイン電極は、平坦化層、バンク層、第１パターンおよび第２パターンに形成される第２コンタクトホールを介し、第１電極と電気的に接続される。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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