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公開番号2025103213
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-09
出願番号2023220423
出願日2023-12-27
発明の名称配線基板及び配線基板の製造方法
出願人新光電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H05K 1/09 20060101AFI20250702BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】実装用のパッドの厚さや幅の減少量のばらつきを抑制する配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板1は、第1面3Aを有する基部と、第1面3Aに設けられた実装用の第1パッド401及び第2パッド402と、第1パッド401に電気的に接続された外部接続用の第3パッド501、第2パッド402に電気的に接続されたダミー用の第4パッド602と、第3パッド501の表面を覆う第1めっき層231と、第4パッド602の表面を覆う第2めっき層232と、を有し、第1めっき層231及び第2めっき層232のイオン化傾向は第1パッド401及び第2パッド402のイオン化傾向よりも低い。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１面を有する基部と、
前記第１面に設けられた実装用の第１パッド及び第２パッドと、
前記第１パッドに電気的に接続された外部接続用の第３パッド、
前記第２パッドに電気的に接続されたダミー用の第４パッドと、
前記第３パッドの表面を覆う第１めっき層と、
前記第４パッドの表面を覆う第２めっき層と、
を有し、
前記第１めっき層及び前記第２めっき層のイオン化傾向は前記第１パッド及び前記第２パッドのイオン化傾向よりも低い配線基板。
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記第４パッドは前記第１面に設けられている請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第３パッドは前記第１面に設けられ、
前記第１めっき層にボンディングワイヤが接続される請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記基部は前記第１面とは反対側の第２面を有し、
前記第３パッドは前記第２面に設けられ、
前記第１めっき層に外部接続端子が設けられる請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１パッド及び前記第２パッドの表面に銅が露出し、
前記第１めっき層及び前記第２めっき層の表面に金が露出する請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項６】
それぞれ前記第１パッドの表面及び前記第２パッドの表面を覆う複数の保護層を有する、請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項７】
第１面を有する基部と、前記第１面に設けられた実装用の第１パッド及び第２パッドと、前記第１パッドに電気的に接続された外部接続用の第３パッド、前記第２パッドに電気的に接続されたダミー用の第４パッドと、を備えた積層体を準備する工程と、
前記第３パッドの表面を覆う第１めっき層及び前記第４パッドの表面を覆う第２めっき層を形成する工程と、
前記第１めっき層及び前記第２めっき層を形成する工程の後、前記第１パッドの表面、前記第２パッドの表面、前記第１めっき層の表面及び前記第２めっき層の表面をエッチング液に接触させて前記第１パッドの表面及び前記第２パッドの表面をエッチングする工程と、
を有し、
前記第１めっき層及び前記第２めっき層のイオン化傾向は前記第１パッド及び前記第２パッドのイオン化傾向よりも低い配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１パッドの表面及び前記第２パッドの表面をエッチングする工程の後、それぞれ前記第１パッドの表面及び前記第２パッドの表面を覆う複数の保護層を形成する工程を有する、請求項７に記載の配線基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品の実装用のパッドと、ワイヤボンディング用のパッドとが設けられた配線基板が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００８－３００６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の配線基板においては、製造中に実装用のパッド（配線）に厚さや幅の減少が生じることがある。また、複数の実装用のパッドの間で厚さや幅の減少量がばらつくことがある。実装用のパッドの厚さや幅の減少量のばらつきは、電子部品の配線基板への接続の安定性の低下につながり得る。
【０００５】
本開示は、実装用のパッドの厚さや幅の減少量のばらつきを抑制することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一形態によれば、第１面を有する基部と、前記第１面に設けられた実装用の第１パッド及び第２パッドと、前記第１パッドに電気的に接続された外部接続用の第３パッド、前記第２パッドに電気的に接続されたダミー用の第４パッドと、前記第３パッドの表面を覆う第１めっき層と、前記第４パッドの表面を覆う第２めっき層と、を有し、前記第１めっき層及び前記第２めっき層のイオン化傾向は前記第１パッド及び前記第２パッドのイオン化傾向よりも低い配線基板が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
開示の技術によれば、実装用のパッドの厚さや幅の減少量のばらつきを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態に係る配線基板のレイアウトを例示する図である。
実施形態に係る配線基板を例示する平面図である。
実施形態に係る配線基板を例示する断面図（その１）である。
実施形態に係る配線基板を例示する断面図（その２）である。
実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１）である。
実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その２）である。
実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その３）である。
実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その４）である。
参考例に係る配線基板を例示する平面図である。
参考例に係る配線基板を例示する断面図（その１）である。
参考例に係る配線基板を例示する断面図（その２）である。
参考例に係る配線基板の製造過程におけるソフトエッチングの前後でのパッドの変化を例示する平面図である。
参考例に係る配線基板の製造過程におけるソフトエッチングの前後でのパッドの変化を例示する断面図である。
実施形態に係る配線基板の製造過程におけるソフトエッチングの前後でのパッドの変化を例示する平面図である。
実施形態に係る配線基板の製造過程におけるソフトエッチングの前後でのパッドの変化を例示する断面図である。
実施形態に係る配線基板を用いて製造される半導体装置を例示する断面図（その１）である。
実施形態に係る配線基板を用いて製造される半導体装置を例示する断面図（その２）である。
実施形態の変形例に係る配線基板の一部を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。以下の説明では、ＸＹＺ直交座標系を用いるが、当該座標系は、説明のために定めるものである。
【００１０】
［実施形態に係る配線基板の構造］
まず、実施形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、実施形態に係る配線基板のレイアウトを例示する図である。図２は、実施形態に係る配線基板を例示する平面図である。図３及び図４は、実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２には、配線基板に含まれる複数のユニットのうちの一つのユニットに相当する部分を示す。図３（ａ）は、図２中のIIIa-IIIa線に沿った断面図に相当する。図３（ｂ）は、図２中のIIIb-IIIb線に沿った断面図に相当する。図４（ａ）は、図２中のIVa-IVa線に沿った断面図に相当する。図４（ｂ）は、図２中のIVb-IVb線に沿った断面図に相当する。
（【００１１】以降は省略されています）

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