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公開番号
2025088750
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-06-11
出願番号
2024205037
出願日
2024-11-25
発明の名称
パッケージング基板の製造方法
出願人
アブソリックス インコーポレイテッド
,
Absolics Inc.
代理人
SK弁理士法人
,
個人
,
個人
主分類
H01L
23/14 20060101AFI20250604BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】工程の利便性が改善され、電気的信頼性が向上したパッケージング基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】具現例に係るパッケージング基板の製造方法は、コア層10及びコア層10上に形成された絶縁層20を含むベース基板100を用意する準備ステップと、エッチングマスク30で絶縁層20を選択的にプラズマエッチングして、パターニングされた絶縁層21を形成するパターニングステップと、前記パターニングされた絶縁層が形成されたベース基板からパッケージング基板を製造する製造ステップと、を含む。エッチングマスクは有機化合物を含む。パターニングステップの雰囲気温度は120℃以下である。このような場合、パッケージング基板の製造工程の利便性が改善され、電気的信頼性が向上したパッケージング基板を製造することができる。
【選択図】図2B
特許請求の範囲
【請求項1】
コア層、及び前記コア層上に形成された絶縁層を含むベース基板を用意する準備ステップと、
エッチングマスクで前記絶縁層を選択的にプラズマエッチングして、パターニングされた絶縁層を形成するパターニングステップと、
前記パターニングされた絶縁層が形成されたベース基板からパッケージング基板を製造する製造ステップとを含み、
前記エッチングマスクは有機化合物を含み、
前記パターニングステップの雰囲気温度は120℃以下である、パッケージング基板の製造方法。
続きを表示(約 1,000 文字)
【請求項2】
前記パターニングステップにおいて、前記エッチングマスクは、前記絶縁層の上面に接して配置される、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項3】
前記絶縁層はエッチング対象領域を含み、
前記パターニングステップは、前記エッチング対象領域で前記絶縁層の一部をエッチングするエッチング過程と、前記パターニングステップの雰囲気温度を下げる安定化過程とを含み、
前記パターニングステップにおいて、前記エッチング過程及び前記安定化過程を行うことを1サイクルとして、前記絶縁層の1層当たり2回以上のサイクルを行う、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項4】
前記エッチング過程は、1回当たり200秒~700秒間行われる、請求項3に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項5】
前記エッチング過程は、第1エッチングガス及び第2エッチングガスを含む雰囲気で行われ、
前記第1エッチングガスはフッ素系ガスであり、
前記第2エッチングガスは酸素気体である、請求項3に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項6】
前記エッチング過程のプラズマ電力は1.5kW以上3kW以下である、請求項3に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項7】
前記エッチングマスクの厚さは5μm~40μmである、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項8】
前記パターニングステップを終えた後、前記製造ステップの前に、前記ベース基板を超音波洗浄する洗浄ステップをさらに含み、
前記洗浄ステップの振動周波数は30kHz~200kHzである、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項9】
前記パターニングされた絶縁層は、前記絶縁層の厚さ方向に形成された貫通孔を含み、
前記貫通孔の直径は3μm~50μmである、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
【請求項10】
前記パッケージング基板は、前記コア層、及び前記コア層上に配置される前記パターニングされた絶縁層を含み、
前記パッケージング基板は、前記パターニングされた絶縁層の上面に少なくとも一部が接して形成された電気伝導層を含み、
前記パターニングされた絶縁層の上面に対する前記電気伝導層の剥離強度は200gf/cm以上である、請求項1に記載のパッケージング基板の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
具現例は、パッケージング基板の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,100 文字)
【背景技術】
【0002】
電子部品を作製するにおいて、半導体ウエハに回路を具現することを前工程(FE:Front-End)といい、ウエハを実際の製品で使用可能な状態に組み立てることを後工程(BE:Back-End)といい、この後工程にパッケージング工程が含まれる。
【0003】
最近の電子製品の急速な発展を可能にした半導体産業の4つの核心技術としては、半導体技術、半導体パッケージング技術、製造工程技術、ソフトウェア技術がある。半導体技術は、マイクロ以下のナノ単位の線幅、1千万個以上のセル(Cell)、高速動作、多くの熱放出などの様々な形態に発展しているが、相対的にこれを完璧にパッケージングする技術がサポートされていない。そのため、半導体の電気的性能が、半導体技術自体の性能よりは、パッケージング技術及びこれによる電気的接続によって決定されることもある。
【0004】
最近、ハイエンド用パッケージング基板にセラミック素材を適用した研究が進められている。セラミック素材の基板に貫通孔を形成し、導電性物質をこの貫通孔に適用することで、素子とマザーボードとの間の配線長が短くなり、優れた電気的特徴を有することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
韓国公開特許第10-2022-0135842号
韓国公開特許第10-2014-0085023号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
具現例の目的は、工程の利便性が改善され、電気的信頼性が向上したパッケージング基板を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本明細書の一実施例に係るパッケージング基板の製造方法は、コア層、及び前記コア層上に形成された絶縁層を含むベース基板を用意する準備ステップと、エッチングマスクで前記絶縁層を選択的にプラズマエッチングして、パターニングされた絶縁層を形成するパターニングステップと、前記パターニングされた絶縁層が形成されたベース基板からパッケージング基板を製造する製造ステップとを含む。
【0008】
前記エッチングマスクは有機化合物を含む。
【0009】
前記パターニングステップの雰囲気温度は120℃以下である。
【0010】
前記パターニングステップにおいて、前記エッチングマスクは、前記絶縁層の上面に接して配置されてもよい。
(【0011】以降は省略されています)
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