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公開番号2025088548
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-11
出願番号2023203322
出願日2023-11-30
発明の名称電子装置
出願人Rapidus株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 25/04 20230101AFI20250604BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】配線層に対してブリッジを高い位置精度で実装することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る電子装置1は、複数の電子部品20(20A、20B、20C)間を電気接続するブリッジ31(31A、31B)と、配線を有する配線層4と、を備え、ブリッジ31(31A、31B)は、配線層4と金属接合されている。ブリッジ31は、複数の電子部品20同士を互いに電気接続するブリッジ配線311を有している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
複数の電子部品間を電気接続するブリッジと、
配線を有する配線層と、
を備え、
前記ブリッジは、前記配線層と金属接合されている、電子装置。
続きを表示（約 920 文字）【請求項２】
複数の電子部品を備え、
前記複数の電子部品はそれぞれ、前記ブリッジと対向する第１対向部を有し、
前記ブリッジは、前記複数の電子部品の前記第１対向部と対向する第２対向部と、第２対向部の反対側に形成された第３対向部と、を有し、
前記ブリッジは、前記第２対向部から前記第３対向部まで貫通するブリッジ貫通電極をさらに有し、
前記ブリッジ貫通電極が、前記配線層と金属接合されている、請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記ブリッジは、複数の前記電子部品同士を互いに電気接続するブリッジ配線をさらに有する、請求項１または請求項２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記ブリッジは、前記ブリッジ配線を絶縁するブリッジ絶縁層をさらに有する、請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記ブリッジ絶縁層は、有機絶縁層である、請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記複数の電子部品を有する電子部品層と、
前記ブリッジを有し、前記複数の電子部品と前記配線層とを電気接続する接続層とを備える、請求項２に記載の電子装置。
【請求項７】
前記ブリッジ貫通電極は、前記複数の電子部品と、前記配線層の前記配線とを電気接続する、請求項６に記載の電子装置。
【請求項８】
前記接続層は、前記ブリッジの周囲を覆う絶縁層を有し、
前記絶縁層には、前記電子部品層に対向する対向部から前記配線層に対向する対向部まで貫通し、前記電子部品と前記配線層の前記配線とを電気接続する接続層貫通電極が形成されている、請求項６に記載の電子装置。
【請求項９】
前記複数の電子部品は、互いに隣接するように並べて配置される、請求項６または請求項７に記載の電子装置。
【請求項１０】
前記電子部品層および前記接続層を積層方向視したとき、前記ブリッジは、前記複数の電子部品のそれぞれと重畳するように配置される、請求項６または請求項７に記載の電子装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、複数の半導体チップ同士を相互接続チップで接続する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特表２０２０－５２８２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
先行文献１は、ブリッジを固定する際の位置精度については考慮できていない。
【０００５】
本発明は、配線層に対してブリッジを高い位置精度で実装することが可能な電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子装置は、複数の電子部品間を電気接続するブリッジと、配線を有する配線層と、を備え、前記ブリッジは、前記配線層と金属接合されている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、配線層に対してブリッジを高い位置精度で実装することが可能な電子装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る電子装置の断面図である。
図１に示す電子装置を分解した断面図である。
一実施形態に係る電子装置を上面視した外観図である。
一実施形態に係る電子装置のブリッジの製造工程を示す図であり、ガラス基材準備工程を示す図である。
ガラス基材に形成した貫通穴にビア埋めしてブリッジ貫通ビアの一部を形成するビア埋め工程を示す図である。
ガラス基材上にブリッジ絶縁層を形成する絶縁膜形成工程を示す図である。
ブリッジ絶縁層上にブリッジ配線を形成するブリッジ配線形成工程を示す図である。
ブリッジ配線上にブリッジ絶縁層を形成する絶縁膜形成工程を示す図である。
ブリッジ絶縁層に形成した開口部にビア埋めしてブリッジ貫通ビアを形成するビア埋め工程を示す図である。
ブリッジ配線形成工程を示す図である。
バンプ電極形成工程を示す図である。
一実施形態に係る電子装置の層積層工程を示す図であって、パネルキャリアにリリース層を形成するリリース層形成工程を示す図である。
第１層ライン配線を形成する配線形成工程を示す図である。
配線層と絶縁層を形成する配線層形成工程を示す図である。
配線層上にブリッジを実装するブリッジ実装工程を示す図である。
レジスト膜形成工程を示す図である。
レジスト膜に形成した穴にビア埋めをしてピラーを形成するピラー形成工程を示す図である。
レジスト膜を除去するレジスト膜除去工程を示す図である。
ブリッジおよびピラーを絶縁層で覆うモールド工程を示す図である。
絶縁層の表面を研削する研削工程を示す図である。
薄膜金属による電極を形成する電極形成工程を示す図である。
接続層上に電子部品を実装する電子部品実装工程を示す図である。
電子部品を絶縁層で覆うモールド工程を示す図である。
絶縁層の表面を研削する研削工程を示す図である。
パネルキャリアを除去するパネルキャリア除去工程を示す図である。
配線層にバンプ電極を形成するバンプ電極形成工程を示す図である。
本実施形態の変形例のブリッジを上面視した外観図である。
本実施形態の変形例の接続層を上面視した外観図である。
配線層上にブリッジを実装するブリッジ実装工程における、アライメント工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態に係る電子装置１について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
まず、図１および図２を参照して、一実施形態に係る電子装置１を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る電子装置１の断面図である。図２は、図１に示す電子装置１を分解した断面図である。なお、図１では、細部の構成要素の参照符号を省略している。
（【００１１】以降は省略されています）

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