特許ウォッチ

公開番号2025087237
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-10
出願番号2023201750
出願日2023-11-29
発明の名称デバイス製造方法
出願人リンテック株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250603BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】比較的大きいサイズのワーク小片を取り扱う場合であっても焼け付きの問題を抑制して良好にワーク小片を取り扱うことが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】界面アブレーション層を備えるワークハンドリングシート上にワーク小片が保持されてなる積層体を準備する準備工程と、前記ワーク小片を受容可能な対象物に対して前記積層体を配置する配置工程と、レーザー光を照射して界面アブレーションを生じさせることで前記ワーク小片を分離し、前記ワーク小片を前記対象物上に載置する分離工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法であって、前記レーザー光は、その軌跡が線状であり、前記軌跡同士の間隔が30μm以上130μm以下であり、前記ワーク小片の主面の中心から最も離れて位置する前記軌跡によって囲まれる領域の面積が前記主面の面積の5%以上、40%以下であるデバイス製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
ワーク小片を保持可能であるとともに、レーザー光の照射によって界面アブレーションする界面アブレーション層と、前記界面アブレーション層における片面側に積層された基材とを備えるワークハンドリングシートにおける、前記界面アブレーション層側の面上に複数のワーク小片が保持されてなる積層体を準備する準備工程と、
前記ワーク小片を受容可能な対象物に対して、前記積層体における前記ワーク小片側の面が向かい合うように前記積層体を配置する配置工程と、
前記積層体における前記界面アブレーション層における、少なくとも１つの前記ワーク小片が貼付されている位置に対し、レーザー光を照射して、前記界面アブレーション層における前記照射された位置において界面アブレーションを生じさせることで、当該界面アブレーションが生じた位置に存在する前記ワーク小片を前記ワークハンドリングシートから分離し、前記ワーク小片を前記対象物上に載置する分離工程と
を備えることを特徴とするデバイス製造方法であって、
前記分離工程において、前記ワーク小片の各々に対して照射される前記レーザー光は、その軌跡が線状であり、隣接する前記軌跡同士の間隔が３０μｍ以上、１３０μｍ以下であり、前記ワーク小片の各々について、前記ワーク小片の主面の中心から最も離れて位置する前記軌跡によって囲まれる領域の面積が、前記主面の面積の５％以上、４０％以下である
ことを特徴とするデバイス製造方法。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記界面アブレーション層は、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、
前記配置工程と前記分離工程との間に、前記積層体における前記界面アブレーション層の全体に対し、または、前記積層体における前記界面アブレーション層における、少なくとも１つの前記ワーク小片が貼付されている位置に対し、活性エネルギー線を照射することによって、前記界面アブレーション層を全体的または局所的に硬化させる硬化工程を備える
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項３】
前記ワーク小片の主面の形状は、最小の一辺の長さが１ｍｍ以上の矩形であることを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項４】
前記レーザー光の軌跡は、少なくとも一部において、略平行に配列された複数の直線となっていることを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項５】
前記分離工程における照射は、点状のレーザー光の照射によって行われ、
前記軌跡は、当該照射によって生じた複数の点状の照射痕から構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。
【請求項６】
隣接する前記照射痕同士の間隔ｄｓは、前記照射痕の直径ｒ以下であることを特徴とする請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記界面アブレーション層は、活性エネルギー線硬化性成分、光重合開始剤および紫外線吸収剤を含有することを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体部品や半導体装置等のワーク小片を取り扱うために使用可能なワークハンドリングシートを用いたデバイス製造方法に関するものである。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハおよび各種パッケージ類は、大径の状態で製造され、これらは素子小片（半導体チップ）に切断分離（ダイシング）されるとともに個々に剥離（ピックアップ）された後に、次の工程であるマウント工程に移される。この際、半導体ウエハ等の被加工物は、基材および粘着剤層を備える半導体加工用シートに貼着された状態で、バックグラインド、ダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンド、ピックアップ、マウンティング等の加工が行われる。
【０００３】
上述したピックアップおよびマウンティングの工程では、半導体加工用シート上における半導体チップを、吸引コレットを用いて個々に取り上げ、所定の位置に配置することが行われる。このとき、半導体加工用シートの裏面から、ニードルを用いて半導体チップを突き上げたり、半導体加工用シートをエキスパンドさせて、半導体チップ同士を離間させることも行われる。
【０００４】
ところで、近年、マイクロ発光ダイオードを用いたディスプレイの開発において、個々のマイクロ発光ダイオードの基板への配置のために、レーザー光の照射を利用することが検討されている。例えば、特許文献１には、複数のマイクロ発光ダイオードを、所定の層を介して支持体に保持した後、当該層に対してレーザー光を照射することで、その照射した位置において当該層のアブレーションを生じさせ、それによって支持体から分離（レーザーリフトオフ）したマイクロ発光ダイオードを配線基板に載置する方法が検討されている。レーザー光は、指向性および収束性に優れているため、照射する位置を制御しやすく、選択的な載置を良好に行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第６５４６２７８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したレーザーリフトオフの手法では、低密度なエネルギーを有するレーザーを照射すると、十分なアブレーションを生じさせることができず、ワーク小片を支持体から良好に分離することができない。特に、一辺がｍｍオーダーに達するような大きいサイズのワーク小片を取り扱う場合には、低密度なエネルギーを使用した場合、分離が非常に困難となる。その一方で、高密度なエネルギーを有するレーザーを照射してしまうと、支持体等が焼け付いてしまい、不具合が生じるという問題があった。
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、比較的大きいサイズのワーク小片を取り扱う場合であっても焼け付きの問題を抑制して良好にワーク小片を取り扱うことが可能なデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、第１に本発明は、ワーク小片を保持可能であるとともに、レーザー光の照射によって界面アブレーションする界面アブレーション層と、前記界面アブレーション層における片面側に積層された基材とを備えるワークハンドリングシートにおける、前記界面アブレーション層側の面上に複数のワーク小片が保持されてなる積層体を準備する準備工程と、前記ワーク小片を受容可能な対象物に対して、前記積層体における前記ワーク小片側の面が向かい合うように前記積層体を配置する配置工程と、前記積層体における前記界面アブレーション層における、少なくとも１つの前記ワーク小片が貼付されている位置に対し、レーザー光を照射して、前記界面アブレーション層における前記照射された位置において界面アブレーションを生じさせることで、当該界面アブレーションが生じた位置に存在する前記ワーク小片を前記ワークハンドリングシートから分離し、前記ワーク小片を前記対象物上に載置する分離工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法であって、前記分離工程において、前記ワーク小片の各々に対して照射される前記レーザー光は、その軌跡が線状であり、隣接する前記軌跡同士の間隔が３０μｍ以上、１３０μｍ以下であり、前記ワーク小片の各々について、前記ワーク小片の主面の中心から最も離れて位置する前記軌跡によって囲まれる領域の面積が、前記主面の面積の５％以上、４０％以下である
ことを特徴とするデバイス製造方法を提供する（発明１）。
【０００９】
上記発明（発明１）に係るデバイス製造方法では、分離工程の際に、前述した条件でレーザー光を照射することで、ワークハンドリングシート等の焼き付きを抑えて、ワーク小片を良好に分離することができ、結果として効率的にデバイスを製造することができる。
【００１０】
上記発明（発明１）において、前記界面アブレーション層は、活性エネルギー線硬化性粘着剤から構成されており、前記配置工程と前記分離工程との間に、前記積層体における前記界面アブレーション層の全体に対し、または、前記積層体における前記界面アブレーション層における、少なくとも１つの前記ワーク小片が貼付されている位置に対し、活性エネルギー線を照射することによって、前記界面アブレーション層を全体的または局所的に硬化させる硬化工程を備えることが好ましい（発明２）。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許