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公開番号2025084870
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-03
出願番号2025030497,2023071910
出願日2025-02-27,2019-06-18
発明の名称載置台及びプラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人ITOH
主分類H01L 21/683 20060101AFI20250527BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の下面及び静電チャックの上面の間に供給する伝熱ガスの放電を抑制することを提供する。
【解決手段】基板及びエッジリングを支持するための静電チャックと、前記静電チャックを支持する基台と、を備え、前記静電チャックは、第1上面を有し、前記第1上面の上に載置される基板を支持するように構成された第1領域と、第2上面を有し、前記第1領域の周囲に一体として設けられ、前記第2上面の上に載置されるエッジリングを支持するように構成された第2領域と、前記第1領域に設けられ、直流電圧を印加する第1電極と、前記第2領域に設けられ、直流電圧を印加する第2電極と、バイアス電力を印加する第3電極と、を有する載置台が提供される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置され、基板を配置する第１上面を有する基板載置部及び前記第１上面に配置された前記基板を囲むエッジリングを配置する第２上面を有するエッジリング載置部を含む載置台と、
前記基板載置部内に配置される第１のバイアス電極と、
前記エッジリング載置部内に配置される第２のバイアス電極と、
前記第１のバイアス電極に電気的に接続される第１のバイアス電源と、
前記第２のバイアス電極に電気的に接続される第２のバイアス電源と、を備え、
前記エッジリング載置部の前記第２上面と前記第２のバイアス電極の上面との間の距離は、前記基板載置部の前記第１上面と前記第１のバイアス電極の上面との間の距離と等しい、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記載置台は、静電チャックを含み、
前記第１のバイアス電極は、前記静電チャック内に配置される、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記載置台は、静電チャックを含み、
前記第２のバイアス電極は、前記静電チャック内に配置される、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記静電チャック内には、前記第２のバイアス電極の上方に前記エッジリングの吸着電極が配置され、
前記吸着電極と前記第１のバイアス電極は、同一面内に配置される、
請求項２又は３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記吸着電極は、第１の吸着電極と第２の吸着電極とを含み、
前記第１の吸着電極と前記第２の吸着電極には互いに極性の異なる電圧が印加される、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第２のバイアス電極には、複数の給電端子が周方向に配置される、
請求項３～５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数の給電端子は周方向に均等に配置される、
請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第１のバイアス電源は直流電源、高周波電源、パルス電源の少なくともいずれかである、
請求項１～７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第２のバイアス電源は直流電源、高周波電源、パルス電源の少なくともいずれかである、
請求項１～８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１のバイアス電源は負の直流パルス電源である、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、載置台及びプラズマ処理装置に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
電子デバイスの製造においては、プラズマ処理装置が用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ内に供給したガスを載置台に印加した高周波電力により励起し、これによりプラズマを生成し、載置台の上の基板をプラズマ処理する。
【０００３】
近年、特にイオン引き込み用（バイアス用）の高周波について高パワーの条件を使用してプラズマ処理が行われている。これに対して、例えば、特許文献１は、チャンバ本体の内壁に照射されるイオンのエネルギーを低下させるための技術を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１９－３６６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
イオン引き込み用の高周波について高パワーの条件を使用してプラズマ処理を行うと、基板の下面及び静電チャックの上面の間に供給する伝熱ガスが電離し、放電が生じる場合がある。
【０００６】
本開示は、基板の下面及び静電チャックの上面の間に供給する伝熱ガスの放電を抑制することが可能な、載置台及びプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の一の態様によれば、基板及びエッジリングを支持するための静電チャックと、前記静電チャックを支持する基台と、を備え、前記静電チャックは、第１上面を有し、前記第１上面の上に載置される基板を支持するように構成された第１領域と、第２上面を有し、前記第１領域の周囲に一体として設けられ、前記第２上面の上に載置されるエッジリングを支持するように構成された第２領域と、前記第１領域に設けられ、直流電圧を印加する第１電極と、前記第２領域に設けられ、直流電圧を印加する第２電極と、バイアス電力を印加する第３電極と、を有する載置台が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
一の側面によれば、基板の下面及び静電チャックの上面の間に供給する伝熱ガスの放電を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。
一実施形態に係る載置台の一例を示す図。
一実施形態に係る載置台のＡ－Ａ断面、Ｂ－Ｂ断面、Ｃ－Ｃ断面を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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