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公開番号2025083830
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-06-02
出願番号2023197439
出願日2023-11-21
発明の名称ウエーハの加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人愛宕綜合特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250526BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】デバイスチップの側面および表面に付着した加工屑に起因する問題を解決可能なウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】ウエーハの加工方法は、分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、分割起点形成工程の前または後に伸縮性を有するシート10にウエーハ2を配設するシート配設工程と、シート10を拡張してウエーハ2に外力を付与してウエーハ2を個々のデバイスチップ6に分離する分離工程とを含む。分離工程において、シート10を拡張する前または後にウエーハ2の露出面に流動性を有する粘着液を被覆して分離によって形成された分離溝54に粘着液を浸入させる粘着液被覆工程を備える。分離工程の後、シート10を拡張した状態で粘着液を固化させて固化膜52’を形成する固化膜形成工程と、固化膜52’を剥離してデバイスチップ6の側面に付着した加工屑56を除去する加工屑除去工程とを備える。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後に伸縮性を有するシートにウエーハを配設するシート配設工程と、
該シートを拡張してウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに分離する分離工程と、を含み、
該分離工程において、該シートを拡張する前または後にウエーハの露出面に流動性を有する粘着液を被覆して分離によって形成された分離溝に該粘着液を浸入させる粘着液被覆工程を備え、
該分離工程の後、
該シートを拡張した状態で該粘着液を固化させて固化膜を形成する固化膜形成工程と、
該固化膜を剥離してデバイスチップの側面に付着した加工屑を除去する加工屑除去工程とを備えるウエーハの加工方法。
続きを表示（約 950 文字）【請求項２】
複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点を形成する分割起点形成工程と、
該分割起点形成工程の前または後にウエーハの表面を保護する保護部材を配設する保護部材配設工程と、
該分割起点形成工程の後に該保護部材側をチャックテーブルに保持しウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともに分割予定ラインに分割溝を形成してウエーハを個々のデバイスチップに分割する裏面研削工程と、
ウエーハの裏面に伸縮性を有するシートを配設するとともにウエーハの表面から該保護部材を除去するシート配設工程と、
該シートを拡張して個々のデバイスチップの間隔を拡張する拡張工程と、を含み、
該拡張工程において、該シートを拡張する前または後にウエーハの露出面に流動性を有する粘着液を被覆して該分割溝に該粘着液を浸入させる粘着液被覆工程を備え、
該拡張工程の後、
該シートを拡張した状態で該粘着液を固化させて固化膜を形成する固化膜形成工程と、
該固化膜を剥離してデバイスチップの側面に付着した加工屑を除去する加工屑除去工程とを備えるウエーハの加工方法。
【請求項３】
該分割起点形成工程において、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射して分割の起点となる改質層を形成する請求項１または２記載のウエーハの加工方法。
【請求項４】
該加工屑除去工程の後、ウエーハを洗浄する洗浄工程を備える請求項１または２記載のウエーハの加工方法。
【請求項５】
該粘着液は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリルアミド、カルボキシメチルセルロース、レゾール型フェノール樹脂、メチロール化ユリア樹脂、メチロール化メラミン樹脂、酢酸ビニル樹脂系エマルジョン固着材、（ＰＶＡ＋ホウ砂）のいずれかを含む水溶性樹脂またはシリコン系粘着樹脂である請求項１または２記載のウエーハの加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩなどの複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、裏面が研削されて所望の厚みに形成された後、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、分割された各デバイスチップは携帯電話、パソコンなどの電気機器に利用される。
【０００３】
また、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射して、分割の起点となる改質層を形成し、その後、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のデバイスチップに分割する技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置づけてレーザー光線をウエーハに照射して、分割の起点となる改質層を形成し、その後、ウエーハの裏面を研削して所望の厚みに仕上げるとともにウエーハを個々のデバイスチップに分割する技術を本出願人が提案した（たとえば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第３４０８８０５号公報
特開２０１４－７８５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、分割予定ラインの内部に改質層が形成されたウエーハに外力を付与して個々のデバイスチップに分割すると、改質層の破壊によって粉塵が飛散してデバイスチップの表面に付着して、デバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
【０００７】
また、デバイスチップの側面には、破壊した改質層の残渣が付着しており、ピックアップ工程、ワイヤーボンディング、ダイボンディング、デバイスチップの積層などの後工程において、デバイスチップの側面から落下、飛散した改質層の残渣がボンディングを妨げるとともに、デバイスチップの表面に付着して、積層されたデバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
【０００８】
さらに、研削の際に発生する研削屑が、分割予定ラインに形成された分割溝に侵入してデバイスチップの側面に付着し、前記同様に後工程においてデバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
【０００９】
このような問題は、デバイスチップの仕上がり厚みに相当する深さの溝を分割の起点として分割予定ラインに形成し、デバイスチップの仕上がり厚みに達するまでウエーハの裏面を研削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する先ダイシングと称される技術（たとえば、特開平１１－４０５２０号公報参照）においても起こり得る。
【００１０】
本発明の課題は、デバイスチップの側面および表面に付着した加工屑に起因する問題を解決可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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