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公開番号2025076774
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-16
出願番号2023188621
出願日2023-11-02
発明の名称基板処理方法及び基板処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H10K 71/20 20230101AFI20250509BHJP()
要約【課題】生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】(A)複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、(B)前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び第1封止層を形成する工程と、(C)複数の前記電極のうち一の種類の電極の上にマスクを前記第1封止層の上に形成する工程と、(D)前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記第1封止層が積層された積層体を形成する工程と、(E)前記電極アレイの全体に第2封止層を形成する工程と、(F)前記基板に異方性エッチング処理を施し、前記積層体の側壁を覆う前記第2封止層を形成する工程と、を有する、基板処理方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、
（Ｂ）前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び第１封止層を形成する工程と、
（Ｃ）複数の前記電極のうち一の種類の電極の上にマスクを前記第１封止層の上に形成する工程と、
（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記第１封止層が積層された積層体を形成する工程と、
（Ｅ）前記電極アレイの全体に第２封止層を形成する工程と、
（Ｆ）前記基板に異方性エッチング処理を施し、前記積層体の側壁を覆う前記第２封止層を形成する工程と、を有する、
基板処理方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
複数の前記電極のうち他の種類の電極について、前記（Ｂ）工程から前記（Ｆ）工程を繰り返す工程と、
前記第１封止層を除去する工程と、
前記電極層を接続する配線層を形成する工程と、をさらに有する、
請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記電極アレイは、３種類の前記電極を含む、
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項４】
３種類の前記電極は、赤色を発光する前記積層体の前記電極、青色を発光する前記積層体の前記電極、緑色を発光する前記積層体の前記電極を含む、
請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記マスクは、フォトレジストマスクである、
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記（Ｄ）工程において、前記第１封止層の上に前記マスクを残し、
前記（Ｅ）工程において、前記積層体及び前記第１封止層の積層構造の上に前記第２封止層を形成する、
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記（Ｄ）工程において、前記第１封止層の上の前記マスクを除去し、
前記（Ｅ）工程において、前記積層体の上に前記第２封止層を形成する、
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記（Ｆ）工程において、前記異方性エッチング処理のバイアス用の高周波電力が、前記基板の異方性エッチング処理面の面積に対して、１７５０Ｗ／ｍ
２
より大きい値である、
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法。
【請求項９】
複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有し、基板表面に第１発光層、第１電極層及び第１封止層が積層され、複数の前記電極のうち一の種類の電極の上において前記第１封止層の上にマスクを有する基板を処理する基板処理装置であって、
前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記第１発光層、前記第１電極層、及び前記第１封止層が積層された積層体を形成する第１エッチング処理モジュールと、
前記積層体が形成された前記基板に第２封止層の形成処理を施す第１封止層形成処理モジュールと、
前記第２封止層が形成された前記基板に異方性エッチング処理を施し、前記積層体の側壁を覆う前記第２封止層を形成する第２エッチング処理モジュールと、
前記異方性エッチング処理が施された前記基板に第２発光層の形成処理を施す発光層形成処理モジュールと、
前記第２発光層が形成された前記基板に第２電極層の形成処理を施す電極層形成処理モジュールと、
前記第２電極層が形成された前記基板に第３封止層の形成処理を施す第２封止層形成処理モジュールと、
前記第１エッチング処理モジュール、前記第１封止層形成処理モジュール、前記第２エッチング処理モジュール、前記発光層形成処理モジュール、前記電極層形成処理モジュール及び前記第２封止層形成処理モジュールを連結する真空搬送モジュールと、を備える、
基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、有機発光ダイオードディスプレイなどのディスプレイに利用されうるサブピクセル回路およびサブピクセル回路を形成する方法が開示されている。上記サブピクセルは隣接するＰＤＬ（Pixel Defining Layer）構造上に形成されたオーバーハング構造を利用して有機ＥＬ（Electro Luminescence）層の塗分けをおこない、形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
米国特許出願公報２０２２／００７７２５７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一の側面では、本開示は、生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、一の態様によれば、（Ａ）複数の電極が基板表面に配置された電極アレイを有する基板を準備する工程と、（Ｂ）前記電極アレイの全体に発光層、電極層、及び第１封止層を形成する工程と、（Ｃ）複数の前記電極のうち一の種類の電極の上にマスクを前記第１封止層の上に形成する工程と、（Ｄ）前記マスクを用いて前記基板にエッチング処理を施し、前記一の種類の電極、前記発光層、前記電極層、及び前記第１封止層が積層された積層体を形成する工程と、（Ｅ）前記電極アレイの全体に第２封止層を形成する工程と、（Ｆ）前記基板に異方性エッチング処理を施し、前記積層体の側壁を覆う前記第２封止層を形成する工程と、を有する、基板処理方法を提供することができる。
【発明の効果】
【０００６】
一の側面によれば、生産性を向上する基板処理方法及び基板処理装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャート。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
各工程における基板の断面模式図の一例。
バイアス投入電力に対する封止膜エッチングレート推移の一例。
第１基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
第２基板処理システムの構成を示す平面図の一例。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
上述した特許文献１の技術ではオーバーハング構造形成においてフォトリソグラフィ処理の回数が増加することによる工程数の増加や、ウェットエッチング処理時の水分や大気中の酸素の影響によるアノード電極の劣化のおそれがある。また、オーバーハング構造に遮られた有機ＥＬ層とカソード電極の側面への封止は処理難度が高い。
【０００９】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１０】
＜基板処理方法＞
基板に複数種類の有機ＥＬ素子を形成する基板処理方法の一例について、図１から図２０を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理方法の一例を示すフローチャートである。図２から図２０は、各工程における基板の断面模式図の一例である。
（【００１１】以降は省略されています）

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