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公開番号2025066946
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023176546
出願日2023-10-12
発明の名称貫通電極基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法
出願人大日本印刷株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 23/12 20060101AFI20250417BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】貫通電極基板の平面面積が増大し、貫通電極基板を備える半導体パッケージの平面面積が増大する。
【解決手段】半導体パッケージ1において、貫通電極基板は10は、第1面13と、第1面とは反対側に位置する第2面14と、第1面から第2面に貫通した複数の貫通孔15と、を含むガラス基板12と、貫通孔内に位置する貫通電極20と、ガラス基板の第1面上に位置する第1配線構造部30と、ガラス基板の第2面上に位置する第2配線構造部40と、を備える。複数の貫通孔は、第1孔径を有する第1貫通孔16と、第1孔径よりも小さい第2孔径を有する第2貫通孔17と、を含む。貫通電極は、第1貫通孔内に位置する第1貫通電極21と、第2貫通孔内に位置する第2貫通電極22と、を含む。第1配線構造部は、第1半導体素子3と電気的に接続される第1パッド36を含む。第2配線構造部は、第2半導体素子4と電気的に接続される第2パッド46を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１半導体素子及び第２半導体素子が搭載される貫通電極基板であって、
第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面に貫通した複数の貫通孔と、を含むガラス基板と、
前記貫通孔内に位置する貫通電極と、
前記ガラス基板の前記第１面上に位置する第１配線構造部と、
前記ガラス基板の前記第２面上に位置する第２配線構造部と、を備え、
複数の前記貫通孔は、第１孔径を有する第１貫通孔と、前記第１孔径よりも小さい第２孔径を有する第２貫通孔と、を含み、
前記貫通電極は、前記第１貫通孔内に位置する第１貫通電極と、前記第２貫通孔内に位置する第２貫通電極と、を含み、
前記第１配線構造部は、前記第１半導体素子と電気的に接続される第１パッドを含み、
前記第２配線構造部は、前記第２半導体素子と電気的に接続される第２パッドを含み、
前記第１パッド及び前記第２パッドは、前記第２貫通電極を介して互いに電気的に接続されている、貫通電極基板。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記第１配線構造部は、前記第１パッドとは異なる位置で前記第１半導体素子と電気的に接続される第３パッドを含み、
前記第２配線構造部は、前記第２パッドとは異なる位置で支持基板と電気的に接続される第４パッドを含み、
前記第３パッド及び前記第４パッドは、前記第１貫通電極を介して互いに電気的に接続されている、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項３】
前記第１孔径は、１００μｍ以上２００μｍ以下である、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項４】
前記第２孔径は、前記第２パッドの配列間隔よりも小さい、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項５】
前記第２孔径は、１０μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項６】
前記第２貫通孔及び前記第２パッドは、厚み方向に一直線に並んでいる、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項７】
前記ガラス基板の厚みが、１００μｍ以上１２００μｍ以下である、請求項１に記載の貫通電極基板。
【請求項８】
請求項１～７のいずれか一項に記載の貫通電極基板と、
前記貫通電極基板に搭載され、前記第１パッドと電気的に接続された第１半導体素子と、
前記貫通電極基板に搭載され、前記第２パッドと電気的に接続された第２半導体素子と、を備える、半導体パッケージ。
【請求項９】
前記第１半導体素子は、論理素子であり、
前記第２半導体素子は、記憶素子である、請求項８に記載の半導体パッケージ。
【請求項１０】
前記貫通電極基板が搭載される支持基板を備え、
前記第１配線構造部は、前記第１パッドとは異なる位置で前記第１半導体素子と電気的に接続される第３パッドを含み、
前記第２配線構造部は、前記第２パッドとは異なる位置で前記支持基板と電気的に接続される第４パッドを含み、
前記第３パッド及び前記第４パッドは、前記第１貫通電極を介して互いに電気的に接続されている、請求項８に記載の半導体パッケージ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の実施形態は、貫通電極基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
貫通電極基板が、様々な用途で利用されている。貫通電極基板は、第１面と第２面と貫通孔とを含む基板と、貫通孔内に位置する貫通電極と、を備える部材である。貫通電極基板は、例えば、インターポーザとして利用される。インターポーザは、２つの電気部品の間に介在される部材である。貫通電極基板は、例えば、半導体素子と支持基板との間、あるいは半導体素子と実装基板との間に介在される。貫通電極基板の基板として、ガラス基板が用いられることもある。
【０００３】
貫通電極基板は、配線構造部を備えることがある。配線構造部は、配線層を含む。配線層は、例えば、半導体素子のパッド又は端子を別の場所に再配置するという機能を果たす。このような配線層は、再配線層とも称される。配線構造部は、基板上に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－７５２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
貫通電極基板に複数の半導体素子が搭載されることがある。この場合、貫通電極基板の配線構造部上の平面内に複数の半導体素子が配置される。このため、貫通電極基板の平面面積が増大し、貫通電極基板を備える半導体パッケージの平面面積が増大し得る。
【０００６】
本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る貫通電極基板及び半導体パッケージ、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の実施形態は、以下の［１］～［１６］に関する。
［１］第１半導体素子及び第２半導体素子が搭載される貫通電極基板であって、
第１面と、前記第１面とは反対側に位置する第２面と、前記第１面から前記第２面に貫通した複数の貫通孔と、を含むガラス基板と、
前記貫通孔内に位置する貫通電極と、
前記ガラス基板の前記第１面上に位置する第１配線構造部と、
前記ガラス基板の前記第２面上に位置する第２配線構造部と、を備え、
複数の前記貫通孔は、第１孔径を有する第１貫通孔と、前記第１孔径よりも小さい第２孔径を有する第２貫通孔と、を含み、
前記貫通電極は、前記第１貫通孔内に位置する第１貫通電極と、前記第２貫通孔内に位置する第２貫通電極と、を含み、
前記第１配線構造部は、前記第１半導体素子と電気的に接続される第１パッドを含み、
前記第２配線構造部は、前記第２半導体素子と電気的に接続される第２パッドを含み、
前記第１パッド及び前記第２パッドは、前記第２貫通電極を介して互いに電気的に接続されている、貫通電極基板。
【０００８】
［２］前記第１配線構造部は、前記第１パッドとは異なる位置で前記第１半導体素子と電気的に接続される第３パッドを含み、
前記第２配線構造部は、前記第２パッドとは異なる位置で支持基板と電気的に接続される第４パッドを含み、
前記第３パッド及び前記第４パッドは、前記第１貫通電極を介して互いに電気的に接続されている、［１］に記載の貫通電極基板。
【０００９】
［３］前記第１孔径は、１００μｍ以上２００μｍ以下である、［１］又は［２］に記載の貫通電極基板。
【００１０】
［４］前記第２孔径は、前記第２パッドの配列間隔よりも小さい、［１］～［３］のいずれかに記載の貫通電極基板。
（【００１１】以降は省略されています）

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