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公開番号2025066358
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-23
出願番号2023175897
出願日2023-10-11
発明の名称紫外線照射装置、紫外線照射方法及び配線基板製造方法
出願人ウシオ電機株式会社
代理人弁理士法人南青山国際特許事務所
主分類H05K 3/42 20060101AFI20250416BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】ドライプロセスによるデスミアにより信頼性に優れる電気的接続の実現を可能とする紫外線照射装置、紫外線照射方法及び配線基板製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の一形態に係る本紫外線照射装置は処理室と、紫外線光源と、ガス供給部とを具備する。上記紫外線光源は、前記処理室へ紫外線を入射させる。上記ガス供給部は、前記処理室に酸化性ガスが供給される第1状態と、前記処理室に還元性ガスが供給される第2状態とを切り替え可能である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
処理室と、
前記処理室へ紫外線を入射させる紫外線光源と、
前記処理室に酸化性ガスが供給される第１状態と、前記処理室に還元性ガスが供給される第２状態とを切り替え可能なガス供給部と
を具備する紫外線照射装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記ガス供給部は、流路切替機構と、前記酸化性ガスのガス源である酸化性ガス源と前記流路切替機構を接続する第１流路と、前記還元性ガスのガス源である還元性ガス源と前記流路切替機構を接続する第２流路と、前記流路切替機構と前記処理室を接続する第３流路を備え、
前記流路切替機構は、前記第１状態において前記第１流路と前記第３流路を接続し、前記第２流路と前記第３流路を遮蔽し、前記第２状態において前記第２流路と前記第３流路を連通接続し、前記第１流路と前記第３流路を遮蔽する
紫外線照射装置。
【請求項３】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記流路切替機構は、前記第１流路、前記第２流路及び前記第３流路と接続された三方弁である
紫外線照射装置。
【請求項４】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記ガス供給部を前記第１状態として前記紫外線光源から前記処理室へ紫外線を入射させた後、前記ガス供給部を前記第２状態として前記紫外線光源から前記処理室内へ紫外線を入射させるように前記ガス供給部及び前記紫外線光源を制御する制御部
をさらに具備する紫外線照射装置。
【請求項５】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記処理室と紫外線透過部材によって隔てられ、前記紫外線光源を収容する光源室
をさらに具備する紫外線照射装置。
【請求項６】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記酸化性ガスは、空気、酸素、湿潤窒素、湿潤水素又はこれらの少なくとも１種を含むガスである
紫外線照射装置。
【請求項７】
請求項１に記載の紫外線照射装置であって、
前記還元性ガスは、水素、アルゴン水素混合ガス、窒素水素混合ガス又はこれらの少なくとも１種を含むガスである
紫外線照射装置。
【請求項８】
絶縁層に設けられた開口により金属層が露出している処理対象物に対して酸化性ガス雰囲気中で紫外線を照射し、前記金属層上の前記絶縁層の残渣を除去し、
還元性ガス雰囲気中で前記処理対象物に紫外線を照射して、前記残渣の除去工程で形成された、前記金属層表面の金属酸化物を還元する
紫外線処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の紫外線処理方法であって、
前記残渣を除去する工程の前に、前記処理対象物に対してレーザを照射し、前記絶縁層に前記開口を形成して前記金属層を露出させる工程を含む
紫外線処理方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の紫外線処理方法であって、
前記金属酸化物を還元する工程の後に、前記金属層に導電層を積層する工程を含む
紫外線照射方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理対象物に紫外線照射を行う紫外線照射装置、紫外線照射方法及び配線基板製造方法に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、半導体部品等の電子部品が実装される配線基板の製造方法が変わりつつある。従来の化学薬品処理を伴うウェットプロセスでは微細化・小型化への対応が困難になっており、半導体の製造方法に近いドライプロセスが要求されるようになってきている。ここで、配線基板の製造工程にはデスミア処理が含まれる。デスミア処理は、レーザ照射等により絶縁層に開口を設ける際に生じたスミア（残渣）を除去する処理である。ドライプロセスによるデスミア処理には紫外線を利用したものがある（例えば特許文献１乃至５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００３－１４４９１３号公報
国際公開第２００２／０３６２５９号
特開２００８－４３９２５号公報
特開２０１４－１２７６０４号公報
特開２０１６－４８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
デスミア処理の後、上記開口から露出する金属層にシード層を積層し、シード層上にメッキにより配線層を形成する工程がある。この際、ウェットプロセスではファインエッチングを行い、金属層表面を清浄にした後でシード層を形成することができる。しかしながらドライプロセスの場合、ファインエッチングを利用することができないため、金属層表面の状態が問題となる。金属層表面にはデスミア処理により金属酸化物が生成するが、そのような金属層表面にシード層を形成すると、シード層上に配線層が形成されても金属層とシード層の界面に金属酸化物が残存し、同界面での高抵抗や剥離の問題が生じるため、配線基板の信頼性を損ねてしまう。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ドライプロセスによるデスミアを行いながら、信頼性に優れる電気的接続の形成を可能とする紫外線照射装置、紫外線照射方法及び配線基板製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る紫外線照射装置は処理室と、紫外線光源と、ガス供給部とを具備する。
前記紫外線光源は、前記処理室へ紫外線を入射させる。
前記ガス供給部は、前記処理室に酸化性ガスが供給される第１状態と、前記処理室に還元性ガスが供給される第２状態とを切り替え可能である。
【０００７】
この構成によれば、第１状態における酸化性ガス雰囲気中で処理室に紫外線を入射させ、かつ第２状態における還元性ガス雰囲気中で処理室に紫外線を入射させることができる。金属層上にスミアが発生している処理対象物を処理室に収容し、ガス供給部を第１状態として処理対象物に紫外線を照射することでスミアの除去が可能である。また、ガス供給部を第２状態として処理対象物に紫外線を照射することで、スミアの除去時に金属層表面に生成した金属酸化物を還元することが可能である。これにより、ドライプロセスによってデスミアが可能であり、かつ金属酸化物が還元された金属層表面を形成することができるため、金属層表面上に別の導電層を積層してもこれらの層界面の抵抗や剥離を抑制し、信頼性に優れた電気的接続を形成することが可能である。
【０００８】
前記ガス供給部は、流路切替機構と、前記酸化性ガスのガス源である酸化性ガス源と前記流路切替機構を接続する第１流路と、前記還元性ガスのガス源である還元性ガス源と前記流路切替機構を接続する第２流路と、前記流路切替機構と前記処理室を接続する第３流路を備え、
前記流路切替機構は、前記第１状態において前記第１流路と前記第３流路を接続し、前記第２流路と前記第３流路を遮蔽し、前記第２状態において前記第２流路と前記第３流路を連通接続し、前記第１流路と前記第３流路を遮蔽してもよい。
【０００９】
前記流路切替機構は、前記第１流路、前記第２流路及び前記第３流路と接続された三方弁であってもよい。
【００１０】
前記紫外線照射装置は、前記ガス供給部を前記第１状態として前記紫外線光源から前記処理室へ紫外線を入射させた後、前記ガス供給部を前記第２状態として前記紫外線光源から前記処理室内へ紫外線を入射させるように前記ガス供給部及び前記紫外線光源を制御する制御部をさらに具備してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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