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公開番号2025060123
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-10
出願番号2023170659
出願日2023-09-29
発明の名称基板処理装置
出願人芝浦メカトロニクス株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250403BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プレートの対向面に残留した処理液を除去し、プレートの清浄度を保つことが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、保持部30により保持された基板Wを回転させる回転体10と、基板Wの被処理面に処理液を供給する処理液供給部411と、被処理面に対向する位置に設けられたプレート50と、プレート50に設けられ、基板Wの被処理面に供給された処理液を加熱する加熱部60と、プレート50の被処理面に対向する対向面51を洗浄する洗浄部90と、を有する。洗浄部90は、対向面51に洗浄液を供給する給液部と、給液部により供給された洗浄液を対向面51に接触して拭き取る拭取部93と、拭取部93を対向面51と平行な方向に延びる軸を回動軸として回動可能に支持する支柱と、拭取部93を、対向面51に沿って移動させる移動機構95とを有する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
保持部により保持された基板を回転させる回転体と、
前記基板の被処理面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記被処理面に対向する位置に設けられたプレートと、
前記プレートに設けられ、前記基板の前記被処理面に供給された前記処理液を加熱する加熱部と、
前記プレートの前記被処理面に対向する対向面を洗浄する洗浄部と、
を有し、
前記洗浄部は、
前記対向面に洗浄液を供給する給液部と、
前記給液部により供給された前記洗浄液を、前記対向面に接触して拭き取る拭取部と、
前記拭取部を、前記対向面と平行な方向に延びる軸を回動軸として回動可能に支持する支柱と、
前記拭取部を、前記対向面に沿って移動させる移動機構と、
を有する基板処理装置。
続きを表示（約 470 文字）【請求項２】
前記拭取部の回動によって前記対向面と前記拭取部の接触部とを平行に接触させる調整部を有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記調整部は、
前記拭取部に設けられ、弾性力によって前記拭取部を回動させる弾性部材と、
を有する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支柱は、前記拭取部の長手方向において中心に設けられている請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記移動機構は、前記拭取部の一端を支持して前記対向面に沿って移動させ、
前記支柱は、前記拭取部の長手方向において、前記拭取部の他端寄りに設けられている請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記拭取部は、複数設けられる請求項１記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記移動機構は、前記給液部を前記対向面に沿って移動させ、
前記拭取部は、前記移動機構による移動方向において、前記給液部より後方に設けられている請求項１記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハなどの基板に積層された膜を、処理液によりエッチングするウェットエッチングの装置として、複数枚の基板を一括して処理液に浸漬させるバッチ式の基板処理装置が存在する。このようなバッチ式の基板処理装置は、複数枚を一括して処理できるので、生産性が高い。
【０００３】
但し、バッチ式の基板処理装置は、複数枚の基板を共通の条件の処理液に浸漬させるので、各基板に形成された膜厚等の相違に応じて、基板ごとにエッチングの深さ等を細かく調整することが難しい。そこで、基板を回転させながら、基板の被処理面の回転中心付近にエッチング用の処理液を供給して、基板の被処理面に処理液を広げることにより、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が使用されている。
【０００４】
エッチング用の処理液としては、フッ酸やリン酸、硫酸などの酸系の液体が用いられる。例えば、酸化膜と窒化膜が積層された基板において、窒化膜をエッチングする場合、処理液としてリン酸の水溶液（リン酸溶液）を利用する基板処理装置がある。リン酸溶液は、温度が高いほどエッチングレートが高く、リン酸溶液の温度が下がるとエッチングレートが低下してしまう。このため、所望のエッチングレートを得るには、リン酸溶液を高温に維持しなければならない。例えば、リン酸溶液を１５０℃～１６０℃に加熱して基板に供給することにより、窒化膜をエッチングしている。
【０００５】
しかしながら、シリコンウェーハ等の基板は、熱伝導率が高い。すると、基板の被処理面に供給されたリン酸溶液は、その熱が基板を介して逃げてしまい、温度が低下しやすい。つまり、回転中心付近に供給されたリン酸溶液は高温が維持されているが、基板の外周に向かって移動するに従って、放熱によりリン酸溶液の温度が低下していくことになる。
【０００６】
このように基板の被処理面上の位置によって、リン酸溶液の温度が相違すると、基板の位置によってエッチングレートに差が生じるため、基板の被処理面全体を均一に処理することが難しくなる。これに対処するため、基板の被処理面上のリン酸溶液の温度を維持しながら、エッチング処理する基板処理装置がある（特許文献１参照）。
【０００７】
この基板処理装置は、基板の被処理面に対向し、ヒータを内蔵するプレートを設け、このプレートを基板の被処理面に接近させて、基板の被処理面に高温のリン酸溶液を供給する。基板とプレートとの間の距離は、数ミリ程度であり、リン酸溶液はプレートにより加熱されながら基板の被処理面上を流れることになる。これにより、リン酸溶液のエッチングレートを維持できるようにしている。
【０００８】
しかし、特許文献１の処理プロセスでは、プレートを基板に接近させた状態で、基板の被処理面に処理液を供給していることから、プレートの基板の被処理面に対向する対向面に処理液が付着する。プレートの対向面に残留した処理液は、乾燥するとパーティクルの発生源となる。
【０００９】
これに対処するため、プレートの対向面に残留した処理液を、圧縮空気の噴出又は、スポンジなどの柔軟物体により除去する清掃ユニットを設けた基板処理装置がある（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
国際公開第２０１１／０９０１４１号
特開２００４－２５９７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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