特許ウォッチ

公開番号2025058751
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-09
出願番号2023168882
出願日2023-09-28
発明の名称基板処理装置
出願人芝浦メカトロニクス株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20250402BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に供給する処理液の温度を安定させることが出来る基板処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態の基板処理装置100は、基板Sを処理する処理部2(201、202)を備え、第1の処理液と、第1の処理液より低い温度の第2の処理液とを供給する処理液供給装置1を有する。処理液供給装置1は、基板Sに第1の処理液を供給する第1の処理液循環ラインL1と、基板Sに第2の処理液を供給する第2の処理液循環ラインL2と、を有する。第1の処理液循環ラインL1は、処理部201、202において基板Sに対して供給されなかった第1の処理液を循環させる第1の戻り配管35を有する。第2の処理液循環ラインL2は、処理部201、202において基板Sに対して供給されなかった第2の処理液を循環させる第2の戻り配管65を有する。第1の戻り配管35と、第2の戻り配管65との間で、熱交換を行う熱交換エリアAが設けられる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を処理する処理部を備え、前記処理部に搬入された前記基板に対して、第１の処理液と、前記第１の処理液より低い温度の第２の処理液とを供給する処理液供給装置を有する基板処理装置において、
前記処理液供給装置は、前記基板に前記第１の処理液を供給する第１の処理液循環ラインと、前記基板に前記第２の処理液を供給する第２の処理液循環ラインとを有し、
前記第１の処理液循環ラインは、前記処理部において前記基板に対して供給されなかった前記第１の処理液を循環させる第１の戻り配管を有し、
前記第２の処理液循環ラインは、前記処理部において前記基板に対して供給されなかった前記第２の処理液を循環させる第２の戻り配管を有し、
前記第１の戻り配管と、前記第２の戻り配管との間で、熱交換を行う熱交換エリアが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１の処理液循環ラインはさらに、
前記第１の処理液を、前記処理部において前記基板に前記第１の処理液を吐出するノズルに供給する第１の供給配管と、
前記第１の供給配管に設けられ、前記第１の供給配管を流れる前記第１の処理液を加熱する第１の加熱部と、
を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の処理液循環ラインはさらに、
前記第１の処理液を貯留する第１の供給タンクと、
前記第１の供給タンク内の前記第１の処理液を調温する第２の加熱部と、
を備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記基板を処理するためのチャンバを備え、
前記第１の加熱部は、前記チャンバ内に設けられることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理部を複数有し、
前記第１の供給タンクに接続され、前記第１の処理液を循環させる循環配管と、をさらに備え、
前記第１の供給配管は、一端が前記循環配管の途中から分岐して接続され、他端が、複数の前記処理部の前記ノズルに接続され、
前記第１の戻り配管は、前記第１の供給タンクに接続され、前記処理部において前記基板に対して供給されなかった前記第１の処理液を前記第１の供給タンク内に戻すことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の戻り配管は、複数の前記処理部毎に、複数設けられ、
前記熱交換エリアでは、複数の前記第１の戻り配管と、前記第２の戻り配管との間で熱交換を行うことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第２の処理液循環ラインはさらに、
前記第２の処理液を貯留する第２の供給タンクと、
前記第２の供給タンク内の前記第２の処理液を調温する第３の加熱部と、
前記供給タンク内の前記第２の処理液を、前記処理部において前記基板に前記第２の処理液を吐出するノズルに供給する第２の供給配管と、
を備え、
前記第２の供給タンク内の前記第２の処理液は、前記第３の加熱部により、常温より高い温度であって、前記第１の供給タンク内の前記第１の処理液よりも低い温度に調温されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記熱交換エリアでは、前記第１の戻り配管と前記第２の戻り配管とが略平行に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第１の処理液は、シリカを含むリン酸溶液であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウェーハやガラスなどの基板に積層された膜を、処理液によりエッチングするウェットエッチングタイプの基板処理装置が知られている。このような基板処理装置においては、基板に供給する処理液の温度を高温にすることで、エッチングレートを高めることができる。
【０００３】
高温の処理液を使用する基板処理装置では、例えば、基板に供給する処理液を加熱するため、処理液が貯留される処理液タンクから、基板に向けて処理液を吐出するノズルへの配管経路上に、ヒータが設置される。このヒータで処理液を加熱することで、高温の処理液を基板に供給することが可能となる。
【０００４】
基板に供給される処理液の温度が変わると、エッチングレートが変わってしまう。したがって、基板処理装置においては、均一なエッチングを可能とするために、基板に供給する処理液の温度を厳密に制御する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１９－１９２８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような基板処理装置においてはエッチングの際には、搬入された基板に対して適量の処理液をノズルから吐出する。処理液はヒータでの加熱後、吐出するまでに時間がかかる場合には、温度が低下してしまう。そのため、ヒータで加熱した処理液は、滞留させずに、再び処理液タンクに戻るように配管経路を構成する。このとき、処理液タンクに戻る処理液は、ヒータによって加熱されているので、処理液タンク内に貯留された処理液よりも高温になっている。
【０００７】
高温の処理液が処理液タンク内に流入すると、処理液タンク内の処理液の温度が目標温度よりも高くなってしまい、基板に供給する処理液の温度の制御が困難となる。あるいは、処理液タンク内の処理液の温度が目標温度に調整できるまで、処理液の供給が不可能となり、基板のエッチング処理を行うことができなくなる。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決すべく、基板に供給する処理液の温度を安定させることが出来る基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、基板を処理する処理部を備え、前記処理部に搬入された前記基板に対して、第１の処理液と、前記第１の処理液より低い温度の第２の処理液とを供給する処理液供給装置を有する基板処理装置において、前記処理液供給装置は、前記基板に前記第１の処理液を供給する第１の処理液循環ラインと、前記基板に前記第２の処理液を供給する第２の処理液循環ラインとを有し、前記第１の処理液循環ラインは、前記処理部において前記基板に対して供給されなかった前記第１の処理液を循環させる第１の戻り配管を有し、前記第２の処理液循環ラインは、前記処理部において前記基板に対して供給されなかった前記第２の処理液を循環させる第２の戻り配管を有し、前記第１の戻り配管と、前記第２の戻り配管との間で、熱交換を行う熱交換エリアが設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、基板処理装置において基板に供給する処理液の温度を安定させることが出来る。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許