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公開番号2025055395
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-08
出願番号2023164725
出願日2023-09-27
発明の名称ブリッジチップおよび半導体集積モジュール
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類H01L 25/04 20230101AFI20250401BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】複数の素子間における電気接続のロバスト性を向上可能なブリッジチップおよび半導体集積モジュールを提供する。
【解決手段】一実施形態に係るブリッジチップは、第1面と、第1面と反対の第2面と、を有する基板と、可撓性を有し、基板の第1面上に形成された第1樹脂膜と、第1樹脂膜の上に形成された金属膜と、を備える。金属膜は、素子と電気的接続のための接続部を有する。基板は、第1面と第2面との間で基板を貫通する緩衝部を有する。接続部は、基板の平面視において緩衝部の内側に配置されている。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
第１面と、前記第１面と反対の第２面と、を有する基板と、
可撓性を有し、前記基板の前記第１面上に形成された第１樹脂膜と、
前記第１樹脂膜の上に形成された金属膜と、
を備え、
前記金属膜は、素子との電気的接続のための接続部を有し、
前記基板は、前記第１面と前記第２面との間で前記基板を貫通する緩衝部を有し、
前記接続部は、前記基板の平面視において前記緩衝部の内側に配置されている、
ブリッジチップ。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
可撓性を有し、前記第１樹脂膜および前記金属膜の上に形成され、前記金属膜上において開口を有する第２樹脂膜を備える、
請求項１に記載のブリッジチップ。
【請求項３】
前記基板は、前記基板の平面視において前記緩衝部の内側に支持部をさらに有し、
前記接続部は、前記第１樹脂膜および前記支持部を介して前記基板の前記第２面に接続されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項４】
前記接続部上に形成された半田バンプをさらに有する、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項５】
前記第１樹脂膜は、ポリイミドによって構成されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項６】
前記金属膜は、銅、金およびアルミニウムのいずれかによって構成されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項７】
前記金属膜は、第１端部に前記接続部として形成された第１パッドを有するとともに、第２端部に前記接続部として形成された第２パッドを有する配線を含み、
前記第１パッドは、第１素子と電気的に接続可能に構成され、
前記第２パッドは、前記第１素子から離隔した第２素子と電気的に接続可能に構成されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項８】
前記金属膜は、それぞれ第１方向に延伸する複数の配線を含み、
複数の前記配線のそれぞれは、第１端部に第１パッドを有するとともに、第２端部に第２パッドを有し、
複数の前記配線の前記第１パッドは、前記第１方向と交差する第２方向に沿って配置され、
複数の前記配線の前記第２パッドは、前記第２方向に沿って配置され、
前記緩衝部は、前記基板の平面視において複数の前記第１パッドを内側に含む第１緩衝部と、前記基板の平面視において複数の前記第２パッドを内側に含む第２緩衝部と、を含む、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項９】
前記基板は、シリコンによって構成されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
【請求項１０】
前記基板は、ガラスによって構成されている、
請求項１または請求項２に記載のブリッジチップ。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、ブリッジチップおよび半導体集積モジュールに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光送信器が記載されている。光送信器は、マッハツェンダ変調器と、ドライバＩＣと、配線基板とを備える。配線基板は、マッハツェンダ変調器とドライバＩＣとをフリップチップ実装によって互いに接続する。配線基板は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ
２
）または樹脂によって構成されたフレキシブル基板である。この光送信器では、マッハツェンダ変調器およびドライバＩＣに対する配線基板の傾きが±３°以内とされる。
【０００３】
特許文献２には、基板を含む相互接続ブリッジアセンブリを有する光送信器が記載されている。相互接続ブリッジアセンブリの基板は、変調器ドライバおよび制御用ＩＣを互いに電気的に接続する。基板は、柔軟性または弾性を有する材料によって構成されている。これにより、基板は、変調器ドライバの高さと制御用ＩＣの高さとの差を吸収する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－１８９６９９号公報
米国特許出願公開第２０１５／０１８０５８０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
例えば、ドライバＩＣおよび光回路素子等の複数の素子は、筐体内に収容されている状態において、温度変化による膨張または収縮によって応力の影響を受ける場合がある。よって、素子を応力の影響から保護するとともに複数の素子の間の信号伝送を可能とすることが求められる。
【０００６】
本開示は、複数の素子間における電気接続のロバスト性を向上可能なブリッジチップおよび半導体集積モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係るブリッジチップは、第１面と、第１面と反対の第２面と、を有する基板と、可撓性を有し、基板の第１面上に形成された第１樹脂膜と、第１樹脂膜の上に形成された金属膜と、を備える。金属膜は、素子と電気的接続のための接続部を有する。基板は、第１面と第２面との間で基板を貫通する緩衝部を有する。接続部は、基板の平面視において緩衝部の内側に配置されている。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、複数の素子間における電気接続のロバスト性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、実施形態に係る半導体集積モジュールの内部構造を示す平面図である。
図２は、実施形態に係る半導体集積モジュールの断面図である。
図３は、実施形態に係るブリッジチップを示す底面図である。
図４は、実施形態に係るブリッジチップを示す平面図である。
図５は、図４のＡ－Ａ線断面図である。
図６は、図４のＢ－Ｂ線断面図である。
図７は、実施形態に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
図８は、実施形態に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
図９は、実施形態に係る半導体集積モジュールの製造方法の工程を示す図である。
図１０は、実施形態に係るブリッジチップの基板の緩衝部および支持部の変形を説明するための図である。
図１１は、第１変形例に係る半導体集積モジュールの内部構造を示す平面図である。
図１２は、第１変形例に係る半導体集積モジュールを示す断面図である。
図１３は、第２変形例に係るブリッジチップを示す平面図である。
図１４は、図１３のＣ－Ｃ線断面図である。
図１５は、図１３のＤ－Ｄ線断面図である。
図１６は、第２変形例に係るブリッジチップを備える半導体集積モジュールの製造方法の工程を示す図である。
図１７は、第３変形例に係るブリッジチップを示す平面図である。
図１８は、図１７のＥ－Ｅ線断面図である。
図１９は、第４変形例に係るブリッジチップを示す平面図である。
図２０は、第５変形例に係る半導体集積モジュールを示す断面図である。
図２１は、第６変形例に係る半導体集積モジュールを示す断面図である。
図２２は、第７変形例に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
図２３は、第７変形例に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
図２４は、第８変形例に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
図２５は、第８変形例に係るブリッジチップの製造方法の工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示に係るブリッジチップおよび半導体集積モジュールの実施形態の内容を列記して説明する。（１）一実施形態に係るブリッジチップは、第１面と、第１面と反対の第２面と、を有する基板と、可撓性を有し、基板の第１面上に形成された第１樹脂膜と、第１樹脂膜の上に形成された金属膜と、を備える。金属膜は、素子との電気的接続のための接続部を有する。基板は、第１面と第２面との間で基板を貫通する緩衝部を有する。接続部は、基板の平面視において緩衝部の内側に配置されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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