TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025051611
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-04-04
出願番号
2024146179
出願日
2024-08-28
発明の名称
拡散源粉末および希土類系焼結磁石の製造方法
出願人
株式会社プロテリアル
代理人
個人
,
個人
主分類
H01F
41/02 20060101AFI20250327BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】希土類系焼結磁石の表面に均一に付着することが可能な拡散源粉末を提供する。
【解決手段】本発明の拡散源粉末の製造方法は、希土類合金の溶湯を準備する工程と、温度が1100℃以上1400℃以下に加熱された前記溶湯からアトマイズ法によって複数のアトマイズ粉末粒子を形成する工程とを含む。希土類合金は、R-M-A合金である。Rは、少なくとも一つの希土類元素を含み、かつ、NdおよびPrの少なくとも一方を含む。Mは、Cu、Ga、Co、およびFeからなる群から選択される少なくとも一つである。Aは、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、およびBからなる群から選択される少なくとも一つである。
【選択図】図3
特許請求の範囲
【請求項1】
希土類合金から形成された複数のアトマイズ粉末粒子を含む拡散源粉末の製造方法であって、
前記希土類合金の溶湯を準備する工程と、
温度が1100℃以上1400℃以下に加熱された前記溶湯からアトマイズ法によって複数のアトマイズ粉末粒子を形成する工程と、
を含み、
前記希土類合金は、R-M-A合金であり、
Rは、少なくとも一つの希土類元素を含み、かつ、NdおよびPrの少なくとも一方を含み、
Mは、Cu、Ga、Co、およびFeからなる群から選択される少なくとも一つであり、
Aは、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、およびBからなる群から選択される少なくとも一つである、拡散源粉末の製造方法。
続きを表示(約 1,300 文字)
【請求項2】
Rの組成比率は、R-M-A合金全体の65質量%以上95質量%以下、
Mの組成比率は、R-M-A合金全体の5質量%以上35質量%以下、
Aの組成比率は、R-M-A合金全体の0質量%以上~3質量%以下である、請求項1に記載の拡散源粉末の製造方法。
【請求項3】
NdおよびPrの合計組成比率は、R全体の60質量%以上であり、
Mは、CuおよびGaの少なくとも一方を含み、CuおよびGaの合計組成比率は、M全体の50質量%以上である、請求項2に記載の拡散源粉末の製造方法。
【請求項4】
前記アトマイズ粉末粒子を形成する工程は、温度が1250℃以上1350℃以下の範囲に調整された前記溶湯を噴霧することを含む、請求項3に記載の拡散源粉末の製造方法。
【請求項5】
前記アトマイズ粉末粒子を形成する工程は、前記アトマイズ粉末粒子における半分以上の粒子のそれぞれに凹部を形成することを含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の拡散源粉末の製造方法。
【請求項6】
希土類合金から形成された複数のアトマイズ粉末粒子を含む拡散源粉末であって、
前記希土類合金は、R-M-A合金であり、
Rは、少なくとも一つの希土類元素を含み、かつ、NdおよびPrの少なくとも一方を含み、
Mは、Cu、Ga、Co、およびFeからなる群から選択される少なくとも一つであり、
Aは、Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Zn、Ge、Zr、Nb、Mo、Ag、およびBからなる群から選択される少なくとも一つであり、
前記複数のアトマイズ粉末粒子における半分以上の粒子のそれぞれは、凹部を有している、拡散源粉末。
【請求項7】
Rの組成比率は、R-M-A合金全体の65質量%以上95質量%以下、
Mの組成比率は、R-M-A合金全体の5質量%以上35質量%以下、
Aの組成比率は、R-M-A合金全体の0質量%以上~3質量%以下である、請求項6に記載の拡散源粉末。
【請求項8】
NdおよびPrの合計組成比率は、R全体の60質量%以上であり、
Mは、CuおよびGaの少なくとも一方を含み、CuおよびGaの合計組成比率は、M全体の50質量%以上である、請求項7に記載の拡散源粉末。
【請求項9】
体積基準によるメジアン径d50が50μm以上150μm以下である、請求項8に記載の拡散源粉末。
【請求項10】
請求項6から9のいずれか1項に記載の拡散源粉末を用意する工程と、
表面の少なくとも一部に粘着層が設けられた希土類系焼結磁石素材を用意する工程と、
前記希土類系焼結磁石素材における前記粘着層に前記拡散源粉末を付着させる工程と、
前記希土類磁石素材を加熱して、前記粘着層に付着した前記拡散源粉末から、前記拡散源粉末に含まれる元素を前記希土類系焼結磁石素材の内部に拡散させる工程と、
を含む希土類系焼結磁石の製造方法。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、拡散源粉末、および、当該拡散源粉末を用いる希土類系焼結磁石の製造方法に関する。
続きを表示(約 1,700 文字)
【背景技術】
【0002】
R
2
T
14
B型化合物(Rは、少なくとも一つの希土類元素を含み、かつ、NdおよびPrの少なくとも一方を含み、TはFeまたはFeとCo)を主相とするR-T-B系焼結磁石は、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ(VCM)や、ハイブリッド車搭載用モータ等の各種モータや家電製品等に使用されている。
【0003】
R-T-B系焼結磁石は、高温で固有保磁力H
cJ
(以下、単に「H
cJ
」と表記する)が低下するため、不可逆熱減磁が起こる。不可逆熱減磁を回避するため、モータ用等に使用する場合、高温下でも高いH
cJ
を維持することが要求されている。
【0004】
R-T-B系焼結磁石は、R
2
T
14
B型化合物相中のRの一部を重希土類元素RH(Dy、Tb)で置換すると、H
cJ
が向上することが知られている。高温で高いH
cJ
を得るためには、R-T-B系焼結磁石中に重希土類元素RHを多く添加することが有効である。しかし、R-T-B系焼結磁石において、Rとして軽希土類元素RL(Nd、Pr)を重希土類元素RHで置換すると、H
cJ
が向上する一方、残留磁束密度B
r
(以下、単に「B
r
」と表記する)が低下してしまうという問題がある。また、重希土類元素RHは希少資源であるため、その使用量を削減することが求められている。
【0005】
そこで、近年、B
r
を低下させないように、より少ない重希土類元素RHによってR-T-B系焼結磁石のH
cJ
を向上させることが検討されている。例えば、重希土類元素RHのフッ化物または酸化物や、各種の金属MまたはM合金をそれぞれ単独、または混合して焼結磁石の表面に存在させ、その状態で熱処理することにより、保磁力向上に寄与する重希土類元素RHを磁石内に拡散させることが提案されている。
【0006】
特許文献1は、R酸化物、Rフッ化物、R酸フッ化物の粉末を用いることを開示している(Rは希土類元素)。
【0007】
特許文献2は、RM(MはAl、Cu、Zn、Gaなどから選ばれる1種以上)合金の粉末を用いていることを開示している。
【0008】
特許文献3、4は、RM合金(MはAl、Cu、Zn、Gaなどから選ばれる1種以上)、M1M2合金(M1M2はAl、Cu、Zn、Gaなどから選ばれる1種以上)、及びRH酸化物の混合粉末を用いることにより、熱処理時にRM合金などによってRH酸化物を部分的に還元し、重希土類元素RHを磁石内に導入することが可能であることを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
国際公開第2006/043348号
特開2008-263179号公報
特開2012-248827号公報
特開2012-248828号公報
国際公開第2015/163397号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
上記の特許文献1~4には、RH化合物の粉末を含む混合粉末を磁石表面の全体(磁石全面)に存在させて熱処理を行う方法が開示されている。これらの方法の具体例によると、上記混合粉末を水または有機溶媒に分散させたスラリーに磁石を浸漬して引き上げている(浸漬引上げ法)。浸漬引上げ法の場合、スラリーから引き上げられた磁石に対して熱風乾燥または自然乾燥が行われる。スラリーに磁石を浸漬する代わりに、スラリーを磁石にスプレー塗布することも開示されている(スプレー塗布法)。
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
日星電気株式会社
平型電線
2日前
株式会社GSユアサ
蓄電設備
1日前
株式会社村田製作所
電池
今日
トヨタ自動車株式会社
二次電池
1日前
日本電気株式会社
光学モジュール
6日前
TDK株式会社
コイル部品
6日前
住友電装株式会社
コネクタ
今日
株式会社東京精密
ワーク保持装置
5日前
ローム株式会社
半導体装置
今日
株式会社村田製作所
二次電池
今日
オムロン株式会社
スイッチング素子
今日
芝浦メカトロニクス株式会社
基板処理装置
今日
富士電機株式会社
半導体モジュール
今日
KDDI株式会社
伸展マスト
1日前
株式会社東芝
半導体装置
5日前
TDK株式会社
電子部品
5日前
ローム株式会社
半導体発光装置
5日前
日東電工株式会社
スイッチ装置
今日
日東電工株式会社
スイッチ装置
今日
株式会社SUBARU
電池モジュール
1日前
ローム株式会社
半導体発光装置
5日前
トヨタバッテリー株式会社
二次電池セル
今日
矢崎総業株式会社
コネクタ
1日前
矢崎総業株式会社
ヒューズブロック
2日前
太陽誘電株式会社
積層セラミック電子部品
1日前
本田技研工業株式会社
制御装置
1日前
トヨタ自動車株式会社
正極層
今日
シンフォニアテクノロジー株式会社
搬送装置
2日前
株式会社エム・ディ・インスツルメンツ
X線源装置
6日前
TDK株式会社
積層コイル部品
2日前
富士電機機器制御株式会社
電磁接触器
1日前
富士電機株式会社
燃料電池発電システム
1日前
デンカ株式会社
エミッター
今日
三菱電機株式会社
移載装置及び吸着方法
2日前
矢崎総業株式会社
コネクタ嵌合構造
1日前
日本ケミコン株式会社
バリスタ及びその製造方法
1日前
続きを見る
他の特許を見る