特許ウォッチ

公開番号2025047353
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023155803
出願日2023-09-21
発明の名称エッチング装置
出願人株式会社SCREENホールディングス,国立大学法人東海国立大学機構
代理人個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20250326BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】支持部にバイアス電位を印加することができる技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、載置部20と、電位印加部材30と、昇降駆動部40と、プラズマ発生器50と、加熱部80とを備える。載置部20には、基板Wを支持した可搬型の支持部21が載置される。加熱部80は、載置部20よりも下方に位置し、加熱用の光を発して基板Wを加熱する光源81を含む。電位印加部材30は、載置部20よりも上方に設けられ、所定のバイアス電位が印加される。昇降駆動部40は、電位印加部材30が基板Wまたは支持部21に接触する上位置と、電位印加部材30が前記基板Wおよび支持部21から離れた下位置との間で、載置部20を昇降させる。プラズマ発生器50は、プラズマを発生させ、載置部20に載置された支持部21の上の基板Wの上面にプラズマを供給して、プラズマにより基板Wの上面をエッチングする。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板を支持した可搬型の支持部が載置される載置部と、
前記載置部よりも下方に位置し、加熱用の光を発して前記基板を加熱する光源を含む加熱部と、
前記載置部よりも上方に設けられ、所定のバイアス電位が印加される電位印加部材と、
前記電位印加部材が前記基板または前記支持部に接触する上位置と、前記電位印加部材が前記基板および前記支持部から離れた下位置との間で、前記載置部を昇降させる昇降駆動部と、
プラズマを発生させ、前記載置部に載置された前記支持部の上の前記基板の上面に前記プラズマを供給して、前記プラズマにより前記基板の前記上面をエッチングするプラズマ発生器と
を備える、エッチング装置。
続きを表示（約 540 文字）【請求項２】
請求項１に記載のエッチング装置であって、
前記載置部は、前記光についての透光性を有している、エッチング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のエッチング装置であって、
前記上位置において、前記電位印加部材は前記基板の前記上面に接触する、エッチング装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のエッチング装置であって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
前記電位印加部材および前記載置部を収納する円筒部と、
前記円筒部の側壁部のうち前記電位印加部材よりも下方の部分に接続され、前記基板および前記支持部が通過する搬入部と
を含む、エッチング装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のエッチング装置であって、
前記電位印加部材は、導電性カーボンと、前記導電性カーボンの表面に形成された炭化ケイ素膜とを含む、エッチング装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のエッチング装置であって、
前記電位印加部材は、平面視において円環形状を有する円環部材を含む、エッチング装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、エッチング装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
従来からＩＩＩ族窒化物半導体をエッチングする装置が提案されている（例えば特許文献１，２）。特許文献１，２では、エッチング装置は基板を加熱しつつ、塩素を含む塩素系ガスをプラズマ化させて、当該プラズマを基板に供給する。プラズマ中のイオンおよびラジカルが基板に作用することで、基板上のＩＩＩ族窒化物半導体がエッチングされる。
【０００３】
また、従来のプラズマ装置では、ヒータ内臓静電チャックとともにバイアス電位を印加する基材を配した載置部に基板が載置される（例えば特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２０－８０３４９号公報
特開２０１８－１５２４１５号公報
特開２００９－１７０５０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヒータ内臓静電チャックおよびバイアス電位を印加する基材が混在した載置部の場合、電界の干渉を抑えた設計が必要となり、機構上複雑となる。
【０００６】
一方、基板を支持した支持部がエッチング装置のチャンバ内に搬送される場合がある。チャンバ内では、支持部が載置部に載置される。チャンバ内において、載置部にバイアス電位を印加すると、バイアス電位に起因した電界を基板の上方の空間に生じさせることが可能である。これにより、基板の上方のプラズマのイオンを基板に向かって移動させることができる。しかしながら、電気抵抗式のヒータ加熱に伴い、載置部の部材に熱膨張が発生し、これに伴い、載置部の部材反りが発生することがある。また、電気抵抗式のヒータ加熱による高温下での腐食性ガスによる処理では、放電腐食により、載置部の部材変形が発生することがある。載置部の部材反りや部材変形が生じると、基板の上方空間への電界形成が安定的でなくなる。
【０００７】
そこで、本開示は、基板の上方空間へ安定的な電界を形成することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の態様は、エッチング装置であって、基板を支持した可搬型の支持部が載置される載置部と、前記載置部よりも下方に位置し、加熱用の光を発して前記基板を加熱する光源を含む加熱部と、前記載置部よりも上方に設けられ、所定のバイアス電位が印加される電位印加部材と、前記電位印加部材が前記基板または前記支持部に接触する上位置と、前記電位印加部材が前記基板および前記支持部から離れた下位置との間で、前記載置部を昇降させる昇降駆動部と、プラズマを発生させ、前記載置部に載置された前記支持部の上の前記基板の上面に前記プラズマを供給して、前記プラズマにより前記基板の前記上面をエッチングするプラズマ発生器とを備える。
【０００９】
第２の態様は、第１の態様にかかるエッチング装置であって、前記載置部は、前記光についての透光性を有している。
【００１０】
第３の態様は、第２の態様にかかるエッチング装置であって、前記上位置において、前記電位印加部材は前記基板の前記上面に接触する。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許