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公開番号2025041854
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2024228322,2023087511
出願日2024-12-25,2010-11-16
発明の名称亀裂進展方法
出願人株式会社東京精密
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250318BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】安定した品質のチップを効率よく得ることができるウェハ加工装置及びウェハ加工方法を提供する。
【解決手段】ウェハの内部の亀裂を進展させる亀裂進展方法であって、レーザーによる改質層形成工程を行い、その後、裏面側より粗研削と精研削と科学機械研磨とをあわせて目標面まで研削工程を行い、改質層を除去する。ここで粗研削時には、ウェハの裏面を給水停止状態で研削し、熱膨張によりウェハ亀裂を進展させ、その後エキスパンドテープに貼り付け、引き伸ばし工程により、ウェハを分割する。
【選択図】図9
特許請求の範囲【請求項１】
ウェハの内部の亀裂を進展させる亀裂進展方法であって、
前記ウェハの裏面を給水停止状態で研削することにより前記亀裂を進展させる亀裂進展ステップを備える、
亀裂進展方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハの内部にレーザ改質領域を有するウェハを割断する技術に関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザーを照射して基板内部に改質領域を形成し、半導体基板の裏面にエキスパンドテープを装着し、エキスパンドテープの上からナイフエッジを当てて改質領域を基点として基板を割ることで、半導体基板をチップに切断することが記載されている。
【０００３】
また、特許文献１には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザーを照射して基板内部に改質領域を形成した後で基板を研削して薄くし、半導体基板の裏面にエキスパンドテープを装着し、エキスパンドテープを伸張させることで改質領域を基点として基板を割ることが記載されている。
【０００４】
特許文献２には、裏面を上向きにして載置された半導体基板にレーザーを照射して基板内部に改質領域を形成することで半導体基板の厚さ方向に割れを発生させ、基板の裏面を研削及びケミカルエッチングすることで割れを裏面に露出させることで、半導体基板をチップに切断することが記載されている。そして、特許文献２には、自然に或いは比較的小さな力、例えば人為的な力や基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることにより、改質領域から厚さ方向に割れが発生することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許３６２４９０９号公報
特許３７６２４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の発明では、ナイフエッジにより局所的に外力を印加することで基板を割るが、この局所的に外力を印加するために曲げ応力やせん断応力を基板に付与させることになる。しかし、曲げ応力やせん断応力は基板全面に一様に分布させることは難しい。例えば、曲げ応力やせん断応力を基板にかける場合、どこか弱い点に応力が集中することになり、効率的に所望の部分に対して必要最低限の応力を一様に付与できない。
【０００７】
したがって、基板の割れにばらつきが生じ、割れが緩やかに進行しなかった場合には基板がチップ内においても破壊するという問題がある。また、基板を切断する部分に対して、局所的に順番に応力を与えて切断していく場合、例えば一枚の基板から多数のチップを収集する場合などでは、多数の切断ラインが存在するため、生産性が非常に低下するという問題がある。
【０００８】
また、外力を印加して基盤を割る場合に、基板を薄く加工していない場合には、ウェハを割る際に非常に大きい応力を必要とするという問題がある。
【０００９】
特にレーザー加工の改質深さ幅に対して、基板厚みが充分厚い場合は、外力を印加しても、急激な外力の影響によって、基板に対してきれいに垂直に割断できるとは限らない。そのため、いくつかレーザーパルスを基板の厚み方向に多段に照射するなどが必要な場合がある。
【００１０】
また、特許文献１、２に記載の発明では、レーザーの照射により基板内部に形成された改質領域は、最終的にチップ断面に残ることとなる。そのため、チップ断面の改質領域の部分から発塵する場合がある。また、チップ断面部分が局所的に破砕した結果、その破砕した断面がきっかけとなって、チップが破断する場合もある。その結果、チップの抗折強度は小さくなるという問題点がある。
（【００１１】以降は省略されています）

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