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公開番号2025032539
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023137856
出願日2023-08-28
発明の名称電気光学装置、および電子機器
出願人セイコーエプソン株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類G02F 1/1368 20060101AFI20250305BHJP(光学)
要約【課題】開口率とコンタクトホールにおける電気的接続の信頼性とが向上し、基板内部の発熱を抑える電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置としての液晶装置100は、TFT30と、画素電極11と、第1容量素子50と、X軸に沿う方向に延在する第3中継電極83と、Y軸に沿って延在する本体部18Mと、本体部18Mから-X方向に突出し、第1容量素子50に第3コンタクトホールCNT13を介して電気的に接続される突出部18Pと、を有する共通配線18と、を備え、第3中継電極83および共通配線18は、それぞれ光反射性を有する第1層83a,18aと、第1層83a,18aに積層され、光反射率が低い第2層83b,18bと、を有し、本体部18Mの少なくとも一部には、第2層18bが設けられていない。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
トランジスターと、
前記トランジスターに対応して設けられている画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられている容量素子と、
第１方向に沿って延在し、前記トランジスターに第１コンタクトホールを介して電気的に接続される本体部と、該本体部から前記第１方向と交差する第２方向に突出し、前記画素電極に第２コンタクトホールを介して電気的に接続される突出部と、を有する中継層と、
前記中継層と同一層に、前記第２方向に沿って延在する本体部と、該本体部から前記第１方向に突出し、前記容量素子に第３コンタクトホールを介して電気的に接続される突出部と、を有する第１配線と、を備え、
前記中継層および前記第１配線は、それぞれ光反射性を有する第１層と、前記第１層に積層され、前記第１層よりも光反射率が低い第２層と、を有し、
前記第１配線の前記本体部の少なくとも一部には、前記第２層が設けられていないことを特徴とする電気光学装置。
続きを表示（約 560 文字）【請求項２】
前記第１配線と隣り合う第２配線を備え、
前記中継層は、平面視において、前記第１配線と前記第２配線との間に設けられている、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１配線の前記突出部において、前記第１配線の前記本体部側の一部では前記第２層が設けられていない、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２層は、前記第１方向に沿い、前記第１配線の前記突出部、および前記第１配線の前記本体部の一部に設けられている、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記中継層は、前記第１コンタクトホールおよび前記第２コンタクトホールと平面的に重なる領域において、前記第１層および前記第２層が設けられており、
前記第１配線の前記突出部は、前記第３コンタクトホールと平面的に重なる領域において、前記第１層および前記第２層が設けられている、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１層はアルミニウムを含み、
前記第２層は窒化チタンを含む、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。
続きを表示（約 2,000 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の１つとして、画素電極をスイッチング制御するトランジスターを画素ごとに備える、アクティブ駆動型の液晶装置が知られていた。このような液晶装置には、各種配線や電極などを接続するためのコンタクトホールが設けられている。例えば、特許文献１には、シールド層とシールド層用中継層とを接続するためのコンタクトホール、および第３中継電極と第２中継電極とを接続するためのコンタクトホールを有する電気光学装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－２４２２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の電気光学装置では、開口率を向上させることが難しいという課題があった。詳しくは、シールド層を平面的に窪ませて、そこに第３中継電極およびコンタクトホールを配置している。第３中継電極は、コンタクトホールを介して画素電極と電気的に接続される。近年では、液晶装置のさらなる開口率向上のために、配線類は細く、その面積が小さくなる傾向がある。そのため、シールド層を凹ませる形態では、上記コンタクトホールなどを配置する余地を確保することが難しくなっていた。
【０００５】
また、コンタクトホールにおける電気的接続の信頼性を向上させることが難しいという課題もあった。詳しくは、シールド層とシールド層用中継層とを接続するためのコンタクトホール、および第３中継電極と第２中継電極とを接続するためのコンタクトホールでは、アルミニウムなどの導電体による単層構造が採用される。これらのコンタクトホールにアルミニウムの配線を形成する場合に、パターニング工程にてアルミニウムが剥離液によってエッチングされ易い。コンタクトホールの内部では付き回りが低下し易く、アルミニウムの層が薄くなる傾向がある。それ故、アルミニウムがエッチングされると、電気的接続の信頼性を低下させる可能性があった。
【０００６】
さらに、上記各コンタクトホール、シールド層、および第３中継電極の全域において積層構造を採用すると、窒化チタンなどの電蝕防止層の光の吸収効率の高さから、基板内部に発熱が生じ易くなるという課題もあった。すなわち、開口率とコンタクトホールにおける電気的接続の信頼性とが向上し、基板内部の発熱を抑える電気光学装置が求められていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
電気光学装置は、トランジスターと、前記トランジスターに対応して設けられている画素電極と、前記画素電極に対応して設けられている容量素子と、第１方向に沿って延在し、前記トランジスターに第１コンタクトホールを介して電気的に接続される本体部と、該本体部から前記第１方向と交差する第２方向に突出し、前記画素電極に第２コンタクトホールを介して電気的に接続される突出部と、を有する中継層と、前記中継層と同一層に、前記第２方向に沿って延在する本体部と、該本体部から前記第１方向に突出し、前記容量素子に第３コンタクトホールを介して電気的に接続される突出部と、を有する第１配線と、を備え、前記中継層および前記第１配線は、それぞれ光反射性を有する第１層と、前記第１層に積層され、前記第１層よりも光反射率が低い第２層と、を有し、前記第１配線の前記本体部の少なくとも一部には、前記第２層が設けられていないことを特徴とする。
【０００８】
電子機器は、上記の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
図１の線分Ａ－Ａ’における液晶装置の構造を示す模式断面図。
液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
画素の配置を示す概略平面図。
図４の線分β１－β２における素子基板の構造を示す断面図。
図４の線分α１－α２における素子基板の構造を示す断面図。
図４の線分γ１－γ２における素子基板の構造を示す断面図。
共通配線および第３中継電極の構成を示す平面図。
第２実施形態に係る第３中継電極の形態を示す平面図。
図４の線分β１－β２における素子基板の構造を示す断面図。
図４の線分α１－α２における素子基板の構造を示す断面図。
第３実施形態に係る投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において、実施される各種の変形例も本発明に含まれる。
（【００１１】以降は省略されています）

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