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公開番号2025026919
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-26
出願番号2024199045,2022123458
出願日2024-11-14,2022-08-02
発明の名称塗布状況検出方法及び塗布状況検出装置
出願人株式会社東京精密
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/66 20060101AFI20250218BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】被加工物に塗布された保護膜の塗布状況の検出を低コスト且つ簡単に実行することができる塗布状況検出方法及び塗布状況検出装置を提供する。
【解決手段】被加工物(半導体ウェーハW)に塗布された保護膜9の塗布状況を検出する塗布状況検出方法であって、被加工物を広帯域光源13から出射された広帯域光(照明光L1)で照明して被加工物からの広帯域光の反射光L2を受光する測定ステップ(ステップS2からステップS3)と、測定ステップで受光した反射光L2から保護膜9が塗布されていない塗り残し領域を検出する塗り残し領域検出ステップ(ステップS4からステップS5)と、を有する。
【選択図】図11
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物に塗布された保護膜の塗布状況を検出する塗布状況検出方法であって、
前記被加工物を広帯域光源から出射された広帯域光で照明して前記被加工物からの前記広帯域光の反射光を受光する測定ステップと、
前記測定ステップで受光した前記反射光から前記保護膜が塗布されていない塗り残し領域を検出する塗り残し領域検出ステップと、
を有する塗布状況検出方法。
続きを表示（約 180 文字）【請求項２】
被加工物に塗布された保護膜の塗布状況を検出する塗布状況検出装置であって、
前記被加工物を広帯域光源から出射した広帯域光で照明して前記被加工物からの前記広帯域光の反射光を受光する測定部と、
前記測定部で受光した前記反射光から前記保護膜が塗布されていない塗り残し領域を検出する塗り残し領域検出部と、
を備える塗布状況検出装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物に塗布された保護膜の塗布状況を検出する塗布状況検出方法及び塗布状況検出装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハ（被加工物）は、複数のデバイスが格子状のストリートによって格子状に区画されている。この半導体ウェーハをストリートに沿って分割することにより個々のデバイスが製造される。半導体ウェーハを複数のデバイス（チップ）に分割する装置としてレーザ加工装置がよく知られている。レーザ加工装置は、半導体ウェーハに対してレーザ光学系をストリートに沿った加工送り方向に相対移動させつつレーザ光学系からレーザ光をストリートに照射することでストリートに沿って加工溝を形成するレーザ加工（アブレーション溝加工ともいう）を実行する。
【０００３】
レーザ加工装置による半導体ウェーハのレーザ加工を実行する場合には、レーザ加工により発生するデブリが半導体ウェーハに付着することを防止するために、予め半導体ウェーハの表面に保護膜を塗布（形成）する。この際に保護膜の膜厚は薄いので、半導体ウェーハの表面の凹凸或いは汚れ等の原因により、半導体ウェーハの表面上に保護膜が塗布されていない塗り残し領域が発生するおそれがある。この塗り残し領域が存在している状態で半導体ウェーハのレーザ加工を実行すると不良の原因となる。このため、レーザ加工前に半導体ウェーハの表面上に塗布された保護膜の塗布状況を検出する必要がある。
【０００４】
特許文献１には、蛍光剤を含有する保護膜が塗布された半導体ウェーハの表面に対して励起光を照射して、半導体ウェーハの表面上で蛍光が発生しない領域を塗り残し領域として検出する蛍光検出装置が開示されている。特許文献２及び特許文献３には、保護膜が塗布された半導体ウェーハの表面に対して赤外光を照射してこの表面からの反射光を受光して、保護膜の有無による反射光の反射率の違いを検出することで、半導体ウェーハの表面上での塗り残し領域の有無を検出する保護膜検出装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開２０１７－２２７５３２号公報
特開２０１７－１０３２８１号公報
特開２０１５－０６５３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の蛍光検出装置では、微弱な蛍光を検出するために、強力且つ均一な励起光源と、高感度の光電子増倍管とが必要になるため、照明光学系及び検出光学系が高価且つ複雑になる。
【０００７】
特許文献２及び特許文献３に記載の保護膜検出装置においても赤外光を用いるための照明光学系及び検出光学系が高価になる。また、特許文献２及び特許文献３に記載の保護膜検出装置では保護膜の有無による反射光の反射率の違いを検出しているが、この反射率は半導体ウェーハの材質、及び半導体ウェーハの表面に対する赤外光の入射角などの各種条件により変化する。このため、保護膜の有無を判定するための反射率の閾値を単純に決定することができず、半導体ウェーハの表面に塗布された保護膜の塗布状況の検出を簡単に行うことができない。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、被加工物に塗布された保護膜の塗布状況の検出を低コスト且つ簡単に実行することができる塗布状況検出方法及び塗布状況検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の目的を達成するための塗布状況検出方法は、被加工物に塗布された保護膜の塗布状況を検出する塗布状況検出方法であって、被加工物を広帯域光源から出射された照明光で照明して被加工物からの反射光を受光する測定ステップと、測定ステップで受光した反射光から保護膜の塗布状況を検出する塗布状況検出ステップと、を有する。
【００１０】
この塗布状況検出方法によれば、保護膜の塗布領域での反射光の反射率を保護膜の塗り残し領域での反射光の反射率よりも低下させることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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