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公開番号
2025009788
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-01-20
出願番号
2024044196
出願日
2024-03-19
発明の名称
プラズマ処理装置
出願人
東京エレクトロン株式会社
代理人
個人
,
個人
主分類
H05H
1/46 20060101AFI20250109BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】複数の電磁波供給部を有するプラズマ処理装置においてプラズマの分布の調整を容易にする。
【解決手段】上部に開口を有する処理容器と、前記開口を塞ぐように前記処理容器の内部空間と外部空間とを仕切り、前記外部空間側の面に複数の凹部が形成される誘電体天板と、平板状のアンテナを有し、複数の前記凹部の夫々に設置され、電磁波を前記処理容器内に供給するように構成される複数の電磁波供給部であり、前記アンテナは、複数の前記凹部の底部に位置する複数の電磁波供給部と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
上部に開口を有する処理容器と、
前記開口を塞ぐように前記処理容器の内部空間と外部空間とを仕切り、前記外部空間側の面に複数の凹部が形成される誘電体天板と、
平板状のアンテナを有し、複数の前記凹部の夫々に設置され、電磁波を前記処理容器内に供給するように構成される複数の電磁波供給部であり、前記アンテナは、複数の前記凹部の底部に位置する複数の電磁波供給部と、
を有する、プラズマ処理装置。
続きを表示(約 800 文字)
【請求項2】
複数の前記凹部における前記誘電体天板の厚みは、前記誘電体天板を伝搬する電磁波の波長をλとしたとき、λ/8以下である、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項3】
前記誘電体天板は、複数の前記凹部以外の領域を厚さ方向に貫通し、前記処理容器内に処理ガスを供給するように構成される複数のガス孔を有する、
請求項1に記載のプラズマ処理装置。
【請求項4】
複数の前記凹部の平面視形状は、前記アンテナと相似形又は円形である、
請求項1~3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項5】
前記誘電体天板は、隣接する前記電磁波供給部の間に土手を設けることにより、前記土手に囲まれた複数の前記凹部が形成される、
請求項1~3のいずれか1項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項6】
前記土手の高さと前記土手の幅とは、それぞれλ/4±λ/8の範囲内である、
請求項5に記載のプラズマ処理装置。
【請求項7】
前記凹部には、前記アンテナの外周部に位置する凸部が設けられ、
前記凸部の高さは、λ/4±λ/8の範囲内である、
請求項2に記載のプラズマ処理装置。
【請求項8】
前記凸部は、平面視して前記アンテナを囲む、
請求項7に記載のプラズマ処理装置。
【請求項9】
前記凸部の幅は、前記凹部における前記誘電体天板の厚みの0.5倍~2倍の範囲内である、
請求項7に記載のプラズマ処理装置。
【請求項10】
複数の前記凹部の平面視形状が円形であり、
複数の前記凹部ごとに前記凸部を有する、
請求項7に記載のプラズマ処理装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本開示は、プラズマ処理装置に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)
【背景技術】
【0002】
例えば、特許文献1は、処理容器内に導入したマイクロ波により処理ガスからプラズマを生成し、基板をプラズマ処理するマイクロ波導入装置を提案する。処理容器の天井部には、天壁を構成する導電性部材が配置されている。導電性部材は複数の開口部を有し、複数の開口部には複数の誘電体窓が嵌合し、誘電体窓から処理容器内にマイクロ波を導入する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2012-216745号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、複数の電磁波供給部を有するプラズマ処理装置においてプラズマの分布の調整を容易にすることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一の態様によれば、上部に開口を有する処理容器と、前記開口を塞ぐように前記処理容器の内部空間と外部空間とを仕切り、前記外部空間側の面に複数の凹部が形成される誘電体天板と、平板状のアンテナを有し、複数の前記凹部の夫々に設置され、電磁波を前記処理容器内に供給するように構成される複数の電磁波供給部であり、前記アンテナは、複数の前記凹部の底部に位置する複数の電磁波供給部と、を有する、プラズマ処理装置が提供される。
【発明の効果】
【0006】
一の側面によれば、複数の電磁波供給部を有するプラズマ処理装置においてプラズマの分布の調整を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
一実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す断面模式図。
第1実施形態に係る誘電体天板の断面図と平面視図。
第1実施形態に係る誘電体天板と電界強度分布の結果例1を示す図。
第2実施形態に係る誘電体天板の断面図と平面視図。
第2実施形態に係る誘電体天板と電界強度分布の結果例2を示す図。
第2実施形態に係る誘電体天板と電界強度分布の結果例3を示す図。
第3実施形態に係る誘電体天板の断面図と平面視図。
参考例、第1実施形態、第3実施形態に係る誘電体天板の断面図。
参考例、第1実施形態、第3実施形態に係る誘電体天板のそれぞれにおける電界強度分布の結果例を示す図。
参考例、第1実施形態、第3実施形態に係る誘電体天板のそれぞれにおける径方向の電界強度の結果例を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【0009】
[プラズマ処理装置]
図1を参照しながら、一実施形態に係るプラズマ処理装置の構成例について説明する。図1は、一実施形態に係るプラズマ処理装置1の一例を示す断面模式図である。プラズマ処理装置1は、例えば半導体ウェハを一例とする基板Wを収容する処理容器2と誘電体天板11とを有する。処理容器2は、上部に開口を有し、略円筒形状である。処理容器2は、例えばアルミニウムおよびその合金等の金属材料により形成されている。誘電体天板11は、処理容器2の開口を塞ぐように設けられ、処理容器2の内部空間と外部空間とを仕切る。誘電体天板11により仕切られた処理容器2の内部空間は真空であり、外部空間は大気である。誘電体天板11は、アルミナ(Al
2
O
3
)等の誘電体により形成されている。ただし、誘電体天板11は、アルミナに限らない。なお、誘電体天板11の表面のうち外部空間に接する面は、図示しない金属で覆われている。
【0010】
更にプラズマ処理装置1は、処理容器2内に処理ガスを供給するガス供給部31と、処理容器2内を排気する排気装置4と、電磁波を処理容器2内に導入する電磁波供給部5とを有する。本実施形態では、電磁波の一例として860MHzの周波数のマイクロ波を印加する。ただし、電磁波は、860MHzの周波数のマイクロ波に限らず、300MHz~300GHzの周波数の電磁波であってよい。
(【0011】以降は省略されています)
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