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公開番号
2025099137
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-07-03
出願番号
2023215562
出願日
2023-12-21
発明の名称
配線基板の製造方法
出願人
イビデン株式会社
代理人
弁理士法人銀座マロニエ特許事務所
主分類
H05K
3/18 20060101AFI20250626BHJP(他に分類されない電気技術)
要約
【課題】絶縁層の表面に形成された回路用プレーン導体層の厚みが信号用配線導体層の厚みより大きく、当該導体層を構成する電解銅めっき膜の厚みのばらつきが小さい配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】方法は、基部絶縁層のシード層の表面に複数の第1めっきレジストを形成した第1凹部に第1プレーン導体層と信号配線導体層とを形成し、シード層から第1めっきレジストを除去してシード層の表面に第2凹部を形成し、第2凹部に第2めっきレジストを第1プレーン導体層の厚さよりも大きく形成し信号配線導体層を覆うようにして形成し、第1プレーン導体層の表面と隣接する第2めっきレジストにより形成された第3凹部に第2プレーン導体層を形成しシード層から第2めっきレジストを除去することによって第1プレーン導体層と第2プレーン導体層からなる回路用プレーン導体層と信号配線導体層を露出させ基部絶縁層からシード層を除去する。
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
基部絶縁層上に形成された一つの導体層に回路用プレーン導体層と信号配線導体層とを有する配線基板の製造方法であって、
シード層が形成された基部絶縁層を準備することと、
前記シード層の表面に複数の第1めっきレジストを形成することにより前記回路用プレーン導体層の一部を構成する第1プレーン導体層と前記信号配線導体層を形成するための第1凹部を形成することと、
前記第1凹部に前記第1プレーン導体層と前記信号配線導体層とを形成することと、
前記シード層から前記第1めっきレジストを除去することによって前記シード層の表面に第2めっきレジストを形成するための第2凹部を形成することと、
前記第2凹部に前記第2めっきレジストを前記第1プレーン導体層の厚さよりも大きく形成し、前記信号配線導体層を覆うようにして形成することと、
前記第1プレーン導体層の導体層表面と隣接する前記第2めっきレジストにより形成された第3凹部に前記回路用プレーン導体層の一部を構成する第2プレーン導体層を形成することと、
前記シード層から前記第2めっきレジストを除去することによって前記第1プレーン導体層と前記第2プレーン導体層からなる前記回路用プレーン導体層と前記信号配線導体層とを露出させることと、
前記基部絶縁層から前記シード層を除去すること、を含む配線基板の製造方法。
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【請求項2】
請求項1に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第1プレーン導体層と前記信号配線導体層と前記第2プレーン導体層は、電解銅めっき膜から形成され、前記電解めっき膜が電流密度0.8~1.5A/dm
2
の直流電流により析出する、配線基板の製造方法。
【請求項3】
請求項1に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第1プレーン導体層と前記第2プレーン導体層とからなる前記回路用プレーン導体層の厚さと前記信号配線導体層の厚さとの比が1.5~3.0である、配線基板の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、絶縁層の表面に形成されたグランド回路用又は電源回路用の回路用プレーン導体層の厚みが信号用の信号配線導体層の厚みよりも大きく、これらの導体層を構成する電解銅めっき膜の厚みのばらつきが小さい配線基板の製造方法に関する。
続きを表示(約 2,500 文字)
【背景技術】
【0002】
搭載する半導体素子に対して十分な電源供給をすることにより、作動電圧の低い半導体素子を安定的に作動させることができるとともに、微細なラインアンドスペースの小型高密度配線基板が提案されている。かかる配線基板は、絶縁層の同じ主面に、信号用の帯状配線導体と、接地または電源用のプレーン導体とを配設して成り、プレーン導体の厚みが帯状配線導体の厚みよりも大きいことを特徴としている。
【0003】
図3は、かかる配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図である。図3に示されるように、配線基板は、絶縁層1と導体層2とソルダーレジスト層3とから成る。導体層2は、信号用の帯状配線導体2aと、接地または電源用のプレーン導体2bとを含んでいる。帯状配線導体2aの厚みよりもプレーン導体2bを厚く析出させるには、例えば、セミアディティブ法における電解銅めっきを析出させる際に、直流電源を用いて3(A/dm
2
)以上の大きい電流密度で電解銅めっきを行っている(特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2016-92053号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
特許文献1に開示された技術では、配線基板が備える帯状配線導体2aの厚みよりもプレーン導体2bを厚く析出させるため、高電流密度で電解銅めっきを行っている。このため、電解銅めっき膜の厚みのばらつきが大きくなる。その結果、このような配線基板は、当該配線基板に搭載する半導体素子に対して十分な電源供給をすることができないため、作動電圧の低い半導体素子を安定して作動することができない。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明に係る配線基板の製造方法は、基部絶縁層上に形成された一つの導体層に回路用プレーン導体層と信号配線導体層とを有する配線基板の製造方法であって、シード層が形成された基部絶縁層を準備することと、前記シード層の表面に複数の第1めっきレジストを形成することにより前記回路用プレーン導体層の一部を構成する第1プレーン導体層と前記信号配線導体層を形成するための第1凹部を形成することと、前記第1凹部に前記第1プレーン導体層と前記信号配線導体層とを形成することと、前記シード層から前記第1めっきレジストを除去することによって前記シード層の表面に第2めっきレジストを形成するための第2凹部を形成することと、前記第2凹部に前記第2めっきレジストを前記第1プレーン導体層の厚さよりも大きく形成し、前記信号配線導体層を覆うようにして形成することと、前記第1プレーン導体層の導体層表面と隣接する前記第2めっきレジストにより形成された第3凹部に前記回路用プレーン導体層の一部を構成する第2プレーン導体層を形成することと、前記シード層から前記第2めっきレジストを除去することによって前記第1プレーン導体層と前記第2プレーン導体層からなる前記回路用プレーン導体層と前記信号配線導体層とを露出させることと、前記基部絶縁層から前記シード層を除去すること、を含む。
【図面の簡単な説明】
【0007】
本発明に係る配線基板の製造方法の対象となる配線基板の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
本発明に係る配線基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
従来の配線基板の製造方法によって製造された配線基板の一例を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
<本発明の製造対象となる配線基板について>
本発明の配線基板の一実施形態が、図面を参照して説明される。なお、図1~図2に示す例において、各部材の寸法、特に高さ方向の寸法については、本発明の特徴をより良く理解できるようにするために、実際の寸法とは異なる寸法で記載している。
【0009】
図1は、本発明に係る配線基板の製造方法の対象となる配線基板の一実施形態を説明するための断面図である。図1において、配線基板10は、コア基板(図示せず)の片面または両面に回路用プレーン導体層11及び信号用の信号配線導体層12とからなる導体層と基部絶縁層13とを交互に積層してなるコア付き基板であってよい。すなわち、配線基板10は、基部絶縁層13上に形成された一つの導体層内に回路用プレーン導体層11と信号用の信号配線導体層12とが混在し、回路用プレーン導体層11の厚さが信号用の信号配線導体層12の厚さよりも大きい場合であっても、これらの導体層の厚さのばらつきが少ない点に特徴を有する。
【0010】
ここで、回路用プレーン導体層11は、グランド回路用プレーン導体層11であっても、電源回路用プレーン導体層11であってもよい。後述するように、回路用プレーン導体層11は、少なくとも基部絶縁層13の表面に形成されている第1プレーン導体層11Aと、当該第1プレーン導体層11Aの表面に形成され、追加導体層である第2プレーン導体層11Bとを備えている。
なお、コア基板の両面に導体層を形成する場合には、コア基板を介して対向する導体層同士は、スルーホール導体(図示せず)を介して接続されていてもよい。
(【0011】以降は省略されています)
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