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公開番号2024178694
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-25
出願番号2023097029
出願日2023-06-13
発明の名称レーザー加工方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類B23K 26/364 20140101AFI20241218BHJP(工作機械;他に分類されない金属加工)
要約【課題】被加工物へのデブリの付着を抑制することができるレーザー加工方法を提供すること。
【解決手段】レーザー加工方法は、被加工物にレーザービームを照射して被加工物を加工するレーザー加工方法であって、被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で被加工物を保持する保持ステップ1と、保持ステップ1の後に、加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップ2と、真空化ステップ2の後に、被加工物の一面側にレーザービームを照射するレーザー照射ステップ3と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
被加工物にレーザービームを照射して該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、
該被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で該被加工物を保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップと、
該真空化ステップの後に、該被加工物の該一面側に該レーザービームを照射するレーザー照射ステップと、
を備える
ことを特徴とするレーザー加工方法。
続きを表示（約 120 文字）【請求項２】
該被加工物は、シリコン基板であり、
該レーザー照射ステップにおいて、該レーザービームが照射される該被加工物の該一面側にフッ素系ガスを供給する
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザー加工方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー加工方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
一般に、デバイスの製造においては、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハ等の基板の表面に格子状に配列された複数のストリート（分割予定ライン）を設定し、ストリートに区画された複数のチップ領域にＩＣ（Integrated Circuit）や、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成される。
【０００３】
ウエーハをストリートに沿って分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザービームを分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することにより、分割の起点となるレーザー加工溝を形成する方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開平１０―３０５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、アブレーション加工では、レーザービームが照射された際にデブリと呼ばれる微細な粉塵が発生し、加工室内に飛散してデバイスの表面に堆積し、デバイスの品質を低下させるという課題があった。
【０００６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、被加工物へのデブリの付着を抑制することができるレーザー加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のレーザー加工方法は、被加工物にレーザービームを照射して該被加工物を加工するレーザー加工方法であって、該被加工物の一面側が鉛直下方向を向くように加工室内で該被加工物を保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該加工室内の空気の圧力を大気圧より低い所定の圧力まで減圧する真空化ステップと、該真空化ステップの後に、該被加工物の該一面側に該レーザービームを照射するレーザー照射ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のレーザー加工方法において、該被加工物は、シリコン基板であり、該レーザー照射ステップにおいて、該レーザービームが照射される該被加工物の該一面側にフッ素系ガスを供給してもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本願発明は、被加工物へのデブリの付着を抑制することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
図１は、実施形態に係るレーザー加工方法の流れを示すフローチャートである。
図２は、加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。
図３は、実施形態に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置の構成例を示す模式図である。
図４は、第１変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。
図５は、第２変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。
図６は、第３変形例に係るレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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