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公開番号2024168968
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-12-05
出願番号2023086065
出願日2023-05-25
発明の名称被加工物の研削方法
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人東京アルパ特許事務所
主分類B24B 7/04 20060101AFI20241128BHJP(研削;研磨)
要約【課題】薄膜が形成されたウェーハを安定的に研削する。
【解決手段】ウェーハ100の半導体基板101における裏面103に環状の溝120を形成した後、裏面103を研削する。このため、研削の際、研削ホイール28の下面を、環状の溝120によってドレスすることができる。したがって、半導体基板101の裏面103および外周端部の薄膜105を研削する際に、研削ホイール28のコンディションが低下することを、良好に抑制することが可能となる。このため、薄膜105が形成されたウェーハ100を、安定的に研削することが可能である。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、該基板の第１面にエピタキシャル成長によって形成された該基板とは異なる材質の薄膜とを有する被加工物の該基板の第２面を研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物における該基板の該第２面に環状の溝を形成することを含む溝形成ステップと、
研削ホイールの回転軌跡を、該被加工物の回転軸と重なる位置に位置付けた状態で、回転する該研削ホイールと回転する該被加工物の該基板における該第２面とを相対的に接近させ、該研削ホイールによって該基板の該第２面を少なくとも該溝の深さ以上研削し、該被加工物を所望の仕上げ厚さに研削することを含む研削ステップと、を備えることを特徴とする、
被加工物の研削方法。
続きを表示（約 640 文字）【請求項２】
該溝形成ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を第１チャックテーブルの第１保持面によって保持する第１保持ステップ、および、
該溝形成ステップの後であって該研削ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を、第２チャックテーブルの第２保持面によって保持する第２保持ステップをさらに含んでおり、
該溝形成ステップは、該第１チャックテーブルの該第１保持面に保持されている該被加工物に対して実施されるとともに、
該研削ステップは、該第２チャックテーブルの該第２保持面に保持されている該被加工物に対して実施される、
請求項１に記載の被加工物の研削方法。
【請求項３】
該基板はシリコンから形成され、該薄膜は窒化ガリウムから形成されている、
請求項１記載の被加工物の研削方法。
【請求項４】
該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の中心から外周端部に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含む、
請求項１～３のいずれかに記載の被加工物の研削方法。
【請求項５】
該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の外周端部から中心に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含む、
請求項１～３のいずれかに記載の被加工物の研削方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物の研削方法に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ表面に格子状にストリートが形成され、ストリートによって区画された領域に、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらのウェーハは、裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、ストリートに沿って切削装置等によって分割される。これにより、個々の半導体デバイスチップが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１４－１２４６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、研削されるウェーハの表面に、エピタキシャル成長によって、該ウェーハとは異なる結晶の薄膜が形成されることがある。エピタキシャル成長では、薄膜は、ウェーハの表面だけでなく、ウェーハの外周端部にも回り込むように形成される。したがって、ウェーハの裏面を研削する際に、ウェーハの外周端部に形成された薄膜も、同時に研削されることとなる。
【０００５】
この研削では、ウェーハおよび薄膜という２種類の材質を含む被加工物を研削することとなるため、研削の難易度があがる。例えば、シリコンウェーハに窒化ガリウムの薄膜を形成した場合、窒化ガリウムが硬質材料であるため、研削ホイールの目つぶれおよび目こぼれが発生する可能性がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、エピタキシャル成長によってウェーハの外周端部まで薄膜が形成されたウェーハを、安定的に研削する手法を確立することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の被加工物の研削方法（本研削方法）は、基板と、該基板の第１面にエピタキシャル成長によって形成された該基板とは異なる材質の薄膜とを有する被加工物の該基板の第２面を研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物における該基板の該第２面に環状の溝を形成することを含む溝形成ステップと、研削ホイールの回転軌跡を、該被加工物の回転軸と重なる位置に位置付けた状態で、回転する該研削ホイールと回転する該被加工物の該基板における該第２面とを相対的に接近させ、該研削ホイールによって該基板の該第２面を少なくとも該溝の深さ以上研削し、該被加工物を所望の仕上げ厚さに研削することを含む研削ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本研削方法は、該溝形成ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を第１チャックテーブルの第１保持面によって保持する第１保持ステップ、および、該溝形成ステップの後であって該研削ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を、第２チャックテーブルの第２保持面によって保持する第２保持ステップをさらに含んでいてもよく、該溝形成ステップは、該第１チャックテーブルの該第１保持面に保持されている該被加工物に対して実施されてもよいとともに、該研削ステップは、該第２チャックテーブルの該第２保持面に保持されている該被加工物に対して実施されてもよい。
【０００９】
また、本研削方法では、該基板はシリコンから形成されていてもよく、該薄膜は窒化ガリウムから形成されていてもよい。
【００１０】
また、本研削方法では、該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の中心から外周端部に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含んでいてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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