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公開番号
2024165245
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-11-28
出願番号
2023081271
出願日
2023-05-17
発明の名称
キノイド化合物、その製造法及び光電変換素子
出願人
東ソー株式会社
,
公益財団法人相模中央化学研究所
代理人
主分類
H10K
30/60 20230101AFI20241121BHJP()
要約
【課題】赤色用光電変換材料として適した吸収特性を示すキノイド化合物の提供、及び当該キノイド化合物の合成方法の提供。
【解決手段】式(1)で示されるキノイド化合物及びその製造方法。
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>JPEG</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2024165245000016.jpg</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">48</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">50</com:WidthMeasure> </com:Image>
(R
1
は、H、ハロゲン、アルキル基又はシアノ基;R
2
は、H、アルキル基又は芳香族炭化水素基であり、2つのR
2
は一体となって環を形成してもよい;R
3
は、H又はアルキル基で、隣接するR
2
と一体となって環を形成してもよい;R
4
は、H又はアルキル基;R
5
~R
9
は、H、ハロゲン又はハロアルキル基を表し、R
5
~R
9
のうち少なくとも1つはハロアルキル基)
【選択図】なし
特許請求の範囲
【請求項1】
下記式(1)で示されるキノイド化合物。
JPEG
2024165245000012.jpg
48
50
式(1)中、
R
1
は、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、炭素数1~4のアルキル基又はシアノ基を表す。
R
2
は、同一又は相異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、2つのR
2
は一体となって環を形成してもよく、2つのR
2
は酸素原子又は硫黄原子を介して結合し一体となって環を形成してもよい。
R
3
は、同一又は相異なって、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表し、R
3
は隣接するR
2
と一体となって5又は6員環を形成してもよい。
R
4
は、同一又は相異なって、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。
R
5
~R
9
は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のハロアルキル基を表し、R
5
~R
9
のうち少なくとも1つは炭素数1~4のハロアルキル基である。
続きを表示(約 1,400 文字)
【請求項2】
式(1)中、R
1
が、水素原子又はフッ素原子であり、
R
2
が、炭素数1~4のアルキル基である、請求項1に記載のキノイド化合物。
【請求項3】
式(1)中、R
3
及びR
4
が、水素原子である、請求項1に記載のキノイド化合物。
【請求項4】
式(1)中、R
5
~R
9
のうち少なくとも1つはトリフルオロメチル基である、請求項1に記載のキノイド化合物。
【請求項5】
式(1)中、R
7
が、水素原子又はトリフルオロメチル基である、請求項1に記載のキノイド化合物。
【請求項6】
式(1)中、R
5
、R
7
及びR
9
が、水素原子であり、 R
6
及びR
8
のうち、少なくとも1つはトリフルオロメチル基である、請求項1に記載のキノイド化合物。
【請求項7】
下記式(2)
JPEG
2024165245000013.jpg
31
32
(式(2)中、R
1
は、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。Xはハロゲン原子を表す。)で示されるハロゲン化芳香族化合物(2)と、下記式(3)
JPEG
2024165245000014.jpg
27
50
(式(3)中、R
2
は、同一又は相異なって、水素原子、炭素数1~6のアルキル基又は炭素数6~18の芳香族炭化水素基を表し、2つのR
2
は一体となって環を形成してもよく、2つのR
2
は酸素原子又は硫黄原子を介して結合し一体となって環を形成してもよい。R
3
は、同一又は相異なって、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表し、R
3
は隣接するR
2
と一体となって環を形成してもよい。R
4
は、同一又は相異なって、水素原子又は炭素数1~4のアルキル基を表す。R
5
~R
9
は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1~4のハロアルキル基を表し、R
5
~R
9
のうち少なくとも1つは炭素数1~4のハロアルキル基である。)で示されるベンゾフェノン化合物と、を有機金属試薬存在下で反応させることを特徴とする、下記式(1)
JPEG
2024165245000015.jpg
48
50
(式中、R
1
~R
9
は、前記と同じ意味を表す。)で示されるキノイド化合物の製造方法。
【請求項8】
請求項1~6のいずれか1項に記載のキノイド化合物を含んでなる光電変換素子。
【請求項9】
請求項1~6のいずれか1項に記載のキノイド化合物を光電変換層に含んでなる光電変換素子。
【請求項10】
光電変換層にさらにフラーレン誘導体を含む、請求項9に記載の光電変換素子。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、キノイド化合物、その製造方法及び光電変換素子に関するものである。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
光電変換素子は、光センサーなどの撮像素子や太陽電池などの光発電装置に使用されている。有機光電変換材料を用いる光電変換素子が特許文献1などに開示されている。
【0003】
光電変換素子としては、シリコン半導体を用いた素子が広く用いられており、特に撮像素子としてはシリコンフォトダイオードが主に使用されている。このようなシリコンフォトダイオードは可視光領域全域に感度を有しているため、この上部にRGBがモザイク状に配置されたカラーフィルターを用いて各画素をRGBそれぞれの受光部として振り分けることでカラー撮像を行っている。本方式ではカラーフィルターでの入射光の損失により光の利用効率が低いため、撮像素子の高感度化の障壁となることが懸念される。そこで、RGB各色の有機光電変換層を積層した撮像素子(以下積層型有機撮像素子)が提案されている(例えば、非特許文献1参照)。本方式はカラーフィルターによる光の損失がないため、カラーフィルターを用いた場合と比べて光の利用効率が数倍となるため、カメラなどのデバイスの高画素化に伴う画素の微細化に優位性を持つ高感度のデバイスへの利用が期待されている。
【0004】
積層型有機撮像素子の光電変換層としては、高い光吸収能及びRGB各層の色に適した波長選択性を有することが求められる。特に、表色系の等色関数と同様の吸収特性を示すことが望ましく、例えば赤色の等色関数の極大点の波長は600nmであることから、赤色用光電変換材料としては600nm近傍において極大吸収を示すことが好ましい。特許文献2及び非特許文献2には、R層(赤色用光電変換層)としてホウ素サブナフタロシアニンクロリド(以下、SubNc)を光電変換材料として用いた赤色用光電変換素子について記載されており、単層膜で波長約680nmの極大吸収を示し、光電変換素子の外部量子効率についても光電変換層の膜厚50nmの素子において波長約680nmにて極大値を示すことが報告されているが、赤色用光電変換材料としては、より600nm近傍に極大吸収を示す材料が求められる。
【0005】
特許文献3には、キノイド誘導体を含む電気活性化合物が記載されているが、フェニル基上にハロアルキル基を有さない点で本発明のキノイド化合物とは異なる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特許4148374号公報
特開2017-73426号公報
特開平4334343号公報
【非特許文献】
【0007】
Japanese Journal of Applied Physics,2011年、50巻、024103頁
電子情報通信学会論文誌C Vol. J101-C No.9 pp.352-361頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
本発明は、既存材よりも赤色用光電変換材料として適した吸収特性を示す、すなわち600nm近傍において極大吸収を示すキノイド化合物を提供すること、及び当該キノイド化合物を簡便に合成する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、新規なキノイド化合物が600nm近傍に極大吸収を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
【0010】
即ち本発明は、
[1]
下記式(1)で示されるキノイド化合物。
(【0011】以降は省略されています)
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