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公開番号2025100496
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-03
出願番号2024224990
出願日2024-12-20
発明の名称撮像素子用光電変換素子用材料、撮像素子用光電変換素子、および化合物
出願人東ソー株式会社
代理人個人,個人
主分類H10K 30/60 20230101AFI20250626BHJP()
要約【課題】暗電流特性および応答性に優れる撮像素子用光電変換素子の作製に資する材料を提供する。
【解決手段】下記式(1)で表される化合物を含有する、撮像素子用光電変換素子用材料。
【化1】
<com:Image com:imageContentCategory="Drawing"> <com:ImageFormatCategory>TIFF</com:ImageFormatCategory> <com:FileName>2025100496000030.tif</com:FileName> <com:HeightMeasure com:measureUnitCode="Mm">25</com:HeightMeasure> <com:WidthMeasure com:measureUnitCode="Mm">134</com:WidthMeasure> </com:Image> (式(1)中、Ar¹およびAr²は、同一であり、かつ、単環および3環以下の縮環から選択されるいずれかの環が連結した連結環、または3環以下の縮環からなる炭素数14～26のアリール基を表し、Ar³は、置換基を有してもよい炭素数6～40の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数6～40のヘテロアリール基を表す。)
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
下記式（１）で表される化合物を含有する、撮像素子用光電変換素子用材料。
TIFF
2025100496000028.tif
25
134
（式（１）中、
Ａｒ
１
およびＡｒ
２
は、同一であり、かつ、単環および３環以下の縮環から選択されるいずれかの環が連結した連結環、または３環以下の縮環からなる炭素数１４～２６のアリール基を表し、
Ａｒ
３
は、置換基を有してもよい炭素数６～４０の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数６～４０のヘテロアリール基を表す。）
続きを表示（約 900 文字）【請求項２】
前記置換基が、炭素数１～６の直鎖、分岐、もしくは環状アルキル基、炭素数１～６の直鎖、分岐、もしくは環状アルコキシ基、重水素原子、シアノ基、炭素数６～２５の芳香族炭化水素基、炭素数４～２５のヘテロアリール基、またはこれらを組合せた基である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項３】
前記式（１）で表される化合物の分子量が５００以上、１０００以下である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項４】
前記Ａｒ
３
が、３環以上の縮環である芳香族炭化水素環、または３環以上の縮環であるヘテロアリール環を含む、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項５】
前記Ａｒ
３
が、置換基を有してもよい、３環以上の縮環からなる芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい、３環以上の縮環からなるヘテロアリール基である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項６】
前記Ａｒ
１
および前記Ａｒ
２
における前記アリール基が、６員環から形成される、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項７】
前記Ａｒ
３
が、置換基を有してもよい、５員環、６員環もしくはその両方から形成される芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい、カルバゾール環を内包する縮環からなるヘテロアリール基である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項８】
前記式（１）で表される化合物のガラス転移点が１４０℃以上である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項９】
撮像素子用光電変換素子用正孔輸送材料である、請求項１に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【請求項１０】
請求項１～９のいずれかに記載の撮像素子用光電変換素子用材料を含む、撮像素子用光電変換素子。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子用光電変換素子用材料、撮像素子用光電変換素子、および化合物に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
撮像素子用光電変換素子は、携帯電話やカメラ等の用途で使用されており、その開発が精力的に行われている。
【０００３】
近年の撮像素子用光電変換素子に対する市場からの要求は益々高くなり、暗電流、応答性等において優れた特性を有する材料が求められている。有機材料からなる光電変換層を有する有機光電変換素子としては、光電変換層で発生した正孔を第一の電極へ輸送する正孔輸送層や、光電変換層で発生した電子を第二の電極へ輸送する電子輸送層等の電荷輸送層を有する積層構成が一般的である（例えば、特許文献１を参照）。しかし、このような電荷輸送層を有していても、暗電流特性および応答性が十分とはいえず、これらの特性に一層優れた光電変換素子が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
国際公開第２０１５／１６３３４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示は、以上の状況に鑑みてなされたものであり、暗電流特性および応答性に優れる撮像素子用光電変換素子の作製に資する材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、撮像素子用光電変換素子用材料として、特定の化合物を用いることにより、上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。
【０００７】
本開示の態様は、以下の撮像素子用光電変換素子用材料、撮像素子用光電変換素子、および化合物に関する。
【０００８】
［１］下記式（１）で表される化合物を含有する、撮像素子用光電変換素子用材料。
TIFF
2025100496000002.tif
24
134
（式（１）中、
Ａｒ
１
およびＡｒ
２
は、同一であり、かつ、単環および３環以下の縮環から選択されるいずれかの環が連結した連結環、または３環以下の縮環からなる炭素数１４～２６のアリール基を表し、
Ａｒ
３
は、置換基を有してもよい炭素数６～４０の芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい炭素数６～４０のヘテロアリール基を表す。）
【０００９】
［２］前記置換基が、炭素数１～６の直鎖、分岐、もしくは環状アルキル基、炭素数１～６の直鎖、分岐、もしくは環状アルコキシ基、重水素原子、シアノ基、炭素数６～２５の芳香族炭化水素基、炭素数４～２５のヘテロアリール基、またはこれらを組合せた基である、［１］に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
【００１０】
［３］前記式（１）で表される化合物の分子量が５００以上、１０００以下である、［１］または［２］に記載の撮像素子用光電変換素子用材料。
（【００１１】以降は省略されています）

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