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公開番号2024134228
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-03
出願番号2023044427
出願日2023-03-20
発明の名称基板処理装置、及び基板処理方法
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20240926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板に付着するパーティクルを除去する、技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理液で処理する。基板処理装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、を備える。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
基板を処理液で処理する、基板処理装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、
前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、
を備える、基板処理装置。
続きを表示(約 1,000 文字)【請求項2】
前記電圧印加部は、前記基板を陰極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる、請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記保持部を回転させる回転部を備える、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記電圧印加部は、前記基板に所望の電位を与える導電部を有する、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記基板は、前記処理液が供給される第1主面と、前記第1主面とは反対向きの第2主面と、を有し、
前記導電部は、前記基板の前記第2主面に接触する導電板を含む、請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記基板は、前記処理液が供給される第1主面と、前記第1主面とは反対向きの第2主面と、を有し、
前記導電部は、前記基板の周縁を把持する把持部を含む、請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記処理液は、電解質を含む水溶液である、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記電解質は、フッ酸(HF)、塩酸(HCl)、水酸化アンモニウム(NH

OH)、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(C


13
NO)、過酸化水素(H



)、硫酸(H

SO

)、リン酸(H

PO

)、硝酸(HNO

)、炭酸(H

CO

)、酢酸(CH

COOH)、クエン酸(C





)、塩化ナトリウム(NaCl)から選ばれる少なくとも1つを含む、請求項7に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記基板に対して光を照射する光源を備える、請求項1又は2に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記基板は、前記処理液が供給される第1主面と、前記第1主面とは反対向きの第2主面と、を有し、
前記光源は、前記基板の前記第1主面に対して垂直に前記光を照射する第1光源を含む、請求項9に記載の基板処理装置。
(【請求項11】以降は省略されています)

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
続きを表示(約 1,400 文字)【背景技術】
【0002】
特許文献1に記載の基板処理装置は、基板上の貴金属膜を処理液でエッチングする。基板処理装置は、処理液に電圧を印可する陽極と陰極を備える。陽極に接触する処理液と、陰極に接触する処理液とは、基板上の離隔された位置に供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-158300号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示の一態様は、基板に付着するパーティクルを除去する、技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板を処理液で処理する。基板処理装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部で保持されている前記基板の表面に前記処理液を供給する液供給部と、前記基板を一の電極として前記処理液に電圧を印可し、前記処理液の電気分解を生じさせることで、前記基板の表面で気泡を発生させる電圧印加部と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一態様によれば、基板に付着するパーティクルを除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
図1は、一実施形態に係る基板処理装置を示す図である。
図2は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図3は、処理液の電気分解の一例を示す図である。
図4は、導電部の一例を示す図である。
図5は、導電部の変形例を示す図である。
図6は、光照射の有無と、電解質の含有量と、電流が2mAになる電圧との関係の一例を示す図である。
図7は、図2に示す処理を施す前と後の基板表面の一例を示すSEM写真である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。
【0009】
先ず、図1を参照して、実施形態の基板処理装置1について説明する。図1に示すように、基板処理装置1は、基板Wを処理液Lで処理する。基板処理装置1は、本実施形態では基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式であるが、複数枚の基板Wを一括で処理するバッチ式であってもよい。枚葉式は、基板を水平に保持すると共に基板Wを回転させながら、基板Wに対して処理液を供給する。バッチ式は、一列に並ぶ複数枚の基板のそれぞれを鉛直に保持すると共に処理槽に貯留した処理液に浸漬することで、基板Wに対して処理液を供給する。
【0010】
基板処理装置1は、処理容器10と、処理容器10の内部で基板Wを保持する保持部20と、保持部20で保持されている基板Wの表面に処理液Lを供給する液供給部30と、基板Wを一の電極として処理液Lに電圧を印可し、処理液Lの電気分解を生じさせることで、基板Wの表面で気泡を発生させる電圧印加部40と、を備える。また、基板処理装置1は、保持部20を回転させる回転部50と、回転させている基板Wから振り切られる処理液Lを回収するカップ60と、を備える。基板処理装置1は、制御部90を備える。
(【0011】以降は省略されています)

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