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公開番号2024134515
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-03
出願番号2024002471
出願日2024-01-11
発明の名称プラズマ処理装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20240926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】伝熱媒体を流路に供給する圧力を低減する技術を提供する。
【解決手段】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、プラズマ生成部、少なくとも一つの温度調整対象物、及び供給器を備える。供給器は、流路に伝熱媒体を供給するように構成される。供給器は、第1のタンク、第2のタンク、ポンプ、及び熱交換器を有する。第1のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第1のタンクは、流路に第1の配管を介して接続されている。第2のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第2のタンクは、流路に第2の配管を介して接続され、第1のタンクに第3の配管を介して接続されている。第2のタンクは、第1のタンクの位置よりも低い位置に配置されている。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバと、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されたプラズマ生成部と、
その内部に流路を提供する少なくとも一つの温度調整対象物であって、前記チャンバの一部を構成するか、前記チャンバ内に配置される該少なくとも一つの温度調整対象物と、
前記流路に伝熱媒体を供給するように構成された供給器と、を備え、
前記供給器は、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第１の配管を介して接続された第１のタンクと、
その内部に前記伝熱媒体を貯留するように構成されており、前記流路に第２の配管を介して接続され、前記第１のタンクに第３の配管を介して接続された第２のタンクであり、前記第１のタンクの位置よりも低い位置に配置された、該第２のタンクと、
前記第３の配管と前記第２のタンクとの間で接続されており、前記第２のタンクに貯留された前記伝熱媒体を該第１のタンクに前記第３の配管を介して汲み上げるように構成されたポンプと、
前記流路の上流に配置されており、前記伝熱媒体の温度を調整するように構成された熱交換器と、
を有する、
プラズマ処理装置。
続きを表示（約 1,700 文字）【請求項２】
前記伝熱媒体は、伝熱液体である、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第１の配管は、前記流路の位置よりも高い位置で前記第１のタンクに接続されており、
前記第２の配管は、前記流路の位置よりも低い位置で前記第２のタンクに接続されている、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記供給器は、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記ポンプを制御するように構成され、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記ポンプを制御するように構成されている、
請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記供給器は、
前記ポンプと前記第１のタンクとの間で接続された流量調整バルブと、
前記第１の配管における前記伝熱媒体の第１の流量を測定するように構成された第１の流量計と、
前記第３の配管における前記伝熱媒体の第２の流量を測定するように構成された第２の流量計と、
前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するように、前記流量調整バルブを制御するように構成されたコントローラと、
を更に有する、請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記供給器は、前記第１のタンク及び前記第２のタンクのうち一方における前記伝熱媒体の液面の高さ位置を測定するように構成された液面センサを更に有し、
前記コントローラは、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
を更に有する、請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記コントローラは、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲内の場合には、前記第１の流量と前記第２の流量との間の差を減少させるか解消するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成され、
前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置が前記指定された範囲外の場合には、前記液面センサによって測定される前記液面の前記高さ位置を指定された範囲内に維持するよう、前記流量調整バルブを制御するように構成されている、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記チャンバ内に配置された基板支持部を更に備え、
前記少なくとも一つの温度調整対象物は、前記基板支持部を含む、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置に関するものである。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置が、基板に対するプラズマ処理において用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及びチャンバ内に配置される基台を備える。基台は、その内部に流路を提供する。下記の特許文献１では、プラズマ処理装置は、流路に伝熱媒体を供給するための圧縮機を備える。流路には、圧縮機によって加圧された伝熱媒体が供給される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－７９５３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、伝熱媒体を流路に供給する圧力を低減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、プラズマ生成部、少なくとも一つの温度調整対象物、及び供給器を備える。プラズマ生成部は、チャンバ内でガスからプラズマを生成するように構成されている。少なくとも一つの温度調整対象物は、その内部に流路を提供する。少なくとも一つの温度調整対象物は、チャンバの一部を構成するか、チャンバ内に配置される。供給器は、流路に伝熱媒体を供給するように構成される。供給器は、第１のタンク、第２のタンク、ポンプ、及び熱交換器を有する。第１のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第１のタンクは、流路に第１の配管を介して接続されている。第２のタンクは、その内部に伝熱媒体を貯留するように構成されている。第２のタンクは、流路に第２の配管を介して接続され、第１のタンクに第３の配管を介して接続されている。第２のタンクは、第１のタンクの位置よりも低い位置に配置されている。ポンプは、第３の配管と第２のタンクとの間で接続されている。ポンプは、第２のタンクに貯留された伝熱媒体を第１のタンクに第３の配管を介して汲み上げるように構成されている。熱交換器は、流路の上流に設けられている。熱交換器は、伝熱媒体の温度を調整するように構成されている。
【発明の効果】
【０００６】
一つの例示的実施形態によれば、伝熱媒体を流路に供給する圧力が低減される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成を示す図である。
別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置の供給部及び温度調整対象物の構成を示す図である。
一つの例示的実施形態に係る伝熱媒体の供給方法の流れ図である。
図５に示す工程ＳＴｂの例を示す流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【０００９】
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【００１０】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；ＣａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；ＩｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙＣｏｕｐｌｅｄＰｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：ＨｅｌｉｃｏｎＷａｖｅＰｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：ＳｕｒｆａｃｅＷａｖｅＰｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（ＡｌｔｅｒｎａｔｉｎｇＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
（【００１１】以降は省略されています）

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