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公開番号2024131958
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023042554
出願日2023-03-17
発明の名称炭素膜および炭素膜の製造方法
出願人株式会社ダイセル,兵庫県公立大学法人
代理人弁理士法人G-chemical
主分類C23C 14/06 20060101AFI20240920BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】形成が容易である新たな炭素膜を提供する。
【解決手段】本開示の炭素膜は、ラマン分光分析によって得られるラマンスペクトルにおけるGバンドのピークの半値幅が155cm^-1以上である。前記炭素膜の、前記Gバンドのピーク波数は1555cm^-1以下であることが好ましい。また、本開示は、ナノダイヤモンド粒子を主成分とする原料粉末の圧粉体に電子ビーム照射をして蒸着させる工程を備える炭素膜の製造方法を提供する。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
ラマン分光分析によって得られるラマンスペクトルにおけるＧバンドのピークの半値幅が１５５ｃｍ
-1
以上である炭素膜。
続きを表示（約 200 文字）【請求項２】
前記Ｇバンドのピーク波数は１５５５ｃｍ
-1
以下である請求項１に記載の炭素膜。
【請求項３】
ナノダイヤモンド粒子を主成分とする原料粉末の圧粉体に電子ビーム照射をして蒸着させる工程を備える炭素膜の製造方法。
【請求項４】
前記圧粉体のかさ密度は０．５ｇ／ｃｍ
3
以上である請求項３に記載の炭素膜の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は炭素膜および炭素膜の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
薄膜の形成方法としては、ＰＶＤ法の一種である電子ビーム蒸着法が知られている。電子ビーム蒸着法は、昇華性材料から高融点材料まで様々な材料を効率よく加熱・蒸発できる技術として広く普及している。また、電子ビーム蒸着法は、スマートフォンを中心とした光学部品や各種電子部品の電極膜のコーティング技術として欠かせない技術である。
【０００３】
例えば特許文献１には、蒸着原材料としてグラファイト板を用いた電子ビーム法によりダイヤモンドライクカーボン膜を形成することが開示されている（例えば特許文献１参照）。また、特許文献２には、真空中でカーボンを主成分とする円柱状の陰極の外周面にアークスポットを形成させ、アーク放電を生じさせることにより、アークスポットからカーボンを昇華させて、基材の表面に非晶質硬質炭素膜を成膜する非晶質硬質炭素膜の成膜方法が開示されている。
【０００４】
なお、非特許文献１には、ナノダイヤモンド粉末の熱圧体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特開昭６１－２１９７０９号公報
特開２０２１－２１０９８号公報
【非特許文献】
【０００６】
Ｇａｌｉｎａ等，"ＨＯＴＰＲＥＳＳＩＮＧＯＦＮＡＮＯＤＩＡＭＯＮＤＰＯＷＤＥＲ"，［令和５年３月１７日検索］，インターネット＜URL：https://www.researchgate.net/publication/235764939_Hot_Pressing_of_Nanodiamond_Powder＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の方法では、蒸着原材料としてグラファイトを用いるため形成される膜はｓｐ
2
炭素を主とする炭素膜であり、得られる炭素膜のバリエーションがない。また、特許文献２の方法では、アークイオンプレーティング法が用いられているが、成膜操作が煩雑である。なお、非特許文献１には、ナノダイヤモンド粉末の熱粉体を用いて蒸着膜を製造することの開示は無い。
【０００８】
従って、本開示の目的は、形成が容易である新たな炭素膜を提供することにある。また、本開示の目的は、形成が容易である炭素膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示は、ラマン分光分析によって得られるラマンスペクトルにおけるＧバンドのピークの半値幅が１５５ｃｍ
-1
以上である炭素膜を提供する。
【００１０】
上記Ｇバンドのピーク波数は１５５５ｃｍ
-1
以下であることが好ましい。
（【００１１】以降は省略されています）

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