TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2024125020
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-09-13
出願番号
2023033074
出願日
2023-03-03
発明の名称
発光装置を製造する製造方法
出願人
キヤノン株式会社
代理人
弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類
H10K
71/20 20230101AFI20240906BHJP()
要約
【課題】発光層を含む複数の層からなる素子構成層を有する発光装置を製造するのに有利な技術。
【解決手段】第1電極層21と発光層を含む複数の層からなる素子構成層22と第2電極層23と第2電極層の上に配された第1絶縁層24とを有する発光装置の製造方法であって、第1絶縁層の上に、第1絶縁層の一部の領域が露出するようにレジスト層を形成する工程と、レジスト層から露出させた領域の第1絶縁層、第2電極層及び素子構成層を除去する工程と、第1絶縁層、第2電極層及び素子構成層を除去する工程の後に、レジスト層を除去する工程と、レジスト層を除去した後、第1絶縁層、第2電極層及び素子構成層の側面を被覆する、絶縁材料からなるサイドウォールを形成する工程と、第1絶縁層、第2電極層及び素子構成層の側面にサイドウォールを形成した後、第2電極層の上の第1絶縁層にコンタクトホール28を形成する工程と、を有するる製造方法。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
第1電極層と前記第1電極層の上に配された発光層を含む複数の層からなる素子構成層と前記素子構成層の上に配された第2電極層と前記第2電極層の上に配された第1絶縁層とを有する発光装置を製造する製造方法であって、
前記第1絶縁層の上に、前記第1絶縁層の一部の領域が露出するようにレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層から露出させた領域の前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する工程と、
前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する工程の後に、前記レジスト層を除去する工程と、
前記レジスト層を除去した後、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面を被覆する、絶縁材料からなるサイドウォールを形成する工程と、
前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面に前記サイドウォールを形成した後、前記第2電極層の上の前記第1絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
続きを表示(約 1,200 文字)
【請求項2】
前記サイドウォールを形成する工程では、
前記第1絶縁層の上、及び、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去した領域の上に前記絶縁材料からなる第2絶縁層を形成する工程と、
前記第2絶縁層のうち、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面以外の部分を除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項3】
前記コンタクトホールを形成する工程では、フォトリソグラフィにより、前記第1絶縁層に前記コンタクトホールを形成する、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項4】
前記コンタクトホールを介して前記第2電極層と電極とを接続する第3電極層を形成する工程を更に有する、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項5】
前記第3電極層を形成する工程では、前記第3電極層が少なくとも前記第2電極層の側面と電気的に接続されるように、前記第3電極層を形成する、ことを特徴とする請求項4に記載の製造方法。
【請求項6】
前記第2電極層は、複数の層からなる積層体である、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項7】
前記第1絶縁層は、複数の層からなる積層体である、ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項8】
前記レジスト層を形成する前に、前記第1絶縁層の上にハードマスク層を形成する工程を更に有し、
前記レジスト層を形成する工程では、フォトリソグラフィにより、前記ハードマスク層をパターニングして前記ハードマスク層の上に前記レジスト層を形成し、
前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する工程では、前記ハードマスク層をマスクとして、エッチングにより、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する、
ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項9】
前記発光装置は、前記素子構成層をそれぞれが含む複数の画素を有し、
前記サイドウォールを形成する工程では、前記複数の画素のそれぞれについて、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面に前記サイドウォールを形成し、
前記コンタクトホールを形成する工程では、前記複数の画素のそれぞれについて、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面に前記サイドウォールを形成した後、前記第2電極層の上の前記第1絶縁層に前記コンタクトホールを形成する、
ことを特徴とする請求項1に記載の製造方法。
【請求項10】
前記複数の画素は、少なくとも異なる2色以上の画素を含む、ことを特徴とする請求項9に記載の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置を製造する製造方法に関する。
続きを表示(約 2,000 文字)
【背景技術】
【0002】
電界発光装置は、基材又は基板の上に、複数の発光素子をライン状又はマトリクス状に配列して構成される装置である。このような発光装置では、互いに異なる色、例えば、赤、緑、青のいずれかの色を発光する発光素子を少なくとも1個ずつ組み合わせて1組の画素を形成するように配置することで、多色表示が可能となる。
【0003】
発光装置を構成する発光素子は、一対の電極と、一対の電極の間に配置される発光層と、を有する。ここで、発光素子の発光色は、発光層を構成する発光材料を適宜選択することによって変えることができる。
【0004】
近年、有機発光ダイオード(OLED)素子を用いた有機発光素子を製造する際の一般的なプロセスとして、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスが知られている。真空成膜プロセスは、高精細マスクを用いた真空蒸着法による素子構成層の成膜プロセスと、マスクを用いた真空スパッタ成膜などによる上部電極層の成膜プロセスと、を含む。但し、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスでは、マスクの位置合わせ、マスクの厚さ、マスクの撓みなどに起因して、形成された素子構成層の膜厚が傾斜する(ばらつく)ことがある。素子構成層の膜厚が傾斜した領域は、有機発光素子の構成部材として使用することのできない領域、即ち、ボケ領域となる。このため、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスでは、額縁領域(発光画素群で形成される表示エリアの外側であって、基板端までの領域)の狭小化が困難である。
【0005】
そこで、高精細マスクを用いた真空成膜プロセスに代えて、素子構成層が積層された積層体を、フォトリソグラフィによってパターニングする技術が提案されている(特許文献1参照)。フォトリソグラフィを用いることで、形成可能な精細度が飛躍的に向上し、パターニングされた素子構成層の膜端に生じるボケ領域を最小限に抑えることが可能となる。一方、素子構成層となる膜の端面又は表面は、フォトリソグラフィによるパターニングを行う際に、液体や外部環境下に露出した状態となるため、輝度、駆動電圧、発光寿命などの発光素子のデバイス特性の劣化を招く要因となる。特許文献1には、素子構成層上の電極材料を保護膜として機能させ、素子構成層を液体や外部環境下に露出させずに、フォトリソグラフィによってパターニングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
特開2016-21380号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、特許文献1に開示された技術では、発光層を構成する素子構成層が上部の電極材料のみで保護されている。一方で電極材料の透明性又は半透過性を保つために、薄い金属膜、或いは、透明導電酸化膜に電極材料が限定される。このような薄い金属膜や透明導電酸化膜は、窒化シリコンなどの絶縁膜と比べて、耐湿性や耐浸液性が低い。従って、フォトリソグラフィによってパターニングする過程において、輝度、駆動電圧、発光寿命などの発光素子のデバイス特性で更なる性能の向上をもたらす余地がある。
【0008】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、第1電極層と第2電極層との間に発光層を含む複数の層からなる素子構成層を有する発光装置を製造するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての製造方法は、第1電極層と前記第1電極層の上に配された発光層を含む複数の層からなる素子構成層と前記素子構成層の上に配された第2電極層と前記第2電極層の上に配された第1絶縁層とを有する発光装置を製造する製造方法であって、前記第1絶縁層の上に、前記第1絶縁層の一部の領域が露出するようにレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層から露出させた領域の前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する工程と、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層を除去する工程の後に、前記レジスト層を除去する工程と、前記レジスト層を除去した後、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面を被覆する、絶縁材料からなるサイドウォールを形成する工程と、前記第1絶縁層、前記第2電極層及び前記素子構成層の側面に前記サイドウォールを形成した後、前記第2電極層の上の前記第1絶縁層にコンタクトホールを形成する工程と、を有することを特徴とする。
【0010】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
他の特許を見る